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英國(guó)科學(xué)家正研發(fā)一種新式的“內(nèi)存”芯片

此前外國(guó)媒體報(bào)道稱，英國(guó)的科學(xué)研究工作人員找到一種新式的“內(nèi)存”，這類新材料做成的內(nèi)存芯片具有三大特性——超低能耗、寫(xiě)入不毀壞數(shù)據(jù)、非易失性。

大比特商務(wù)網(wǎng)傳感器行業(yè)要聞回顧（9.9—9.12）

日前，傳感器產(chǎn)品在消費(fèi)類電子產(chǎn)品領(lǐng)域發(fā)揮著舉足輕重的作用。不僅如此，傳感器的技術(shù)發(fā)展，也讓更多的醫(yī)療設(shè)備產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更加智能化的應(yīng)用。而目前新型傳感器產(chǎn)品應(yīng)用石墨烯之后，有望實(shí)現(xiàn)具備超高靈敏度的傳感器設(shè)備和量子計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片。以下是本周大比特商務(wù)網(wǎng)傳感器行業(yè)要聞回顧。

GF與TI合競(jìng)標(biāo)報(bào)贏得力晶300毫米晶圓廠

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，GlobalFoundries和德州儀器(IT)已經(jīng)擊敗了臺(tái)灣內(nèi)存芯片供應(yīng)商，獲得購(gòu)買力晶科技的P3 300毫米(12英寸)晶圓廠的權(quán)利。

三星產(chǎn)能再擴(kuò)張 存儲(chǔ)芯片廠落戶西安

9月12日，全球第一大內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠商——韓國(guó)三星電子，在西安的存儲(chǔ)芯片工廠宣布動(dòng)工。預(yù)期可于2013年底前量產(chǎn)10nm級(jí)NAND型閃存(NANDFlash)，成為三星有史以來(lái)投資額最高的海外芯片制造廠。

三星產(chǎn)能再擴(kuò)張 存儲(chǔ)芯片廠落戶西安

9月12日，全球第一大內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠商——韓國(guó)三星電子，在西安的存儲(chǔ)芯片工廠宣布動(dòng)工。預(yù)期可于2013年底前量產(chǎn)10nm級(jí)NAND型閃存(NANDFlash)，成為三星有史以來(lái)投資額最高的海外芯片制造廠。

空氣產(chǎn)品公司將在西安為三星電子新內(nèi)存芯片廠供應(yīng)氣體

中國(guó)上海(2012年7月18日)–空氣產(chǎn)品公司 (Air Products紐約證券交易所代碼：APD)，一家全球領(lǐng)先的工業(yè)氣體供應(yīng)商，今日宣布其已獲得三星電子有限公司的一項(xiàng)重要合同，以支持三星位于陜西省西安市新的內(nèi)存芯片廠項(xiàng)目的發(fā)展。該項(xiàng)目是三星電子迄今最大的海外投資項(xiàng)目，也是中國(guó)最先進(jìn)的芯片廠。

存儲(chǔ)芯片整體漲勢(shì)或?qū)⒀又?024年第一季度

根據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)，預(yù)估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價(jià)均上漲。存儲(chǔ)芯片的整體漲勢(shì)或?qū)⒀永m(xù)至明年第一季度。

全球存儲(chǔ)事業(yè)火熱 韓企占據(jù)全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)

受惠與全球5G市場(chǎng)的發(fā)展，再加上全球疫情趨緩，全球存儲(chǔ)器事業(yè)逐漸恢復(fù)合理化。存儲(chǔ)器需求以及價(jià)格都在增漲。全球DRAM市場(chǎng)格局三分天下，其中韓國(guó)企業(yè)在DRAM市場(chǎng)與NAND Flash市場(chǎng)中占據(jù)較大份額，可見(jiàn)韓國(guó)廠商在DRAM，NAND Flash兩類數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈影響力突出。

說(shuō)說(shuō)主存儲(chǔ)器發(fā)展緣故是什么

因?yàn)槌绦蜻\(yùn)行的輸入數(shù)據(jù)集經(jīng)營(yíng)規(guī)模一直在擴(kuò)大，所以我們就需要更高的DRAM容積才能滿足我們的運(yùn)行需求，但是，DRAM在容積增加的狀況下，維持其效率比等就會(huì)非常困難，要想解決這一困難，我們應(yīng)該怎么做呢？

存儲(chǔ)器前景堪憂？5G商機(jī)與自動(dòng)駕駛打破僵局

2018年下半年開(kāi)始，DRAM與NAND Flash的價(jià)格就持續(xù)走低，造成了存儲(chǔ)器供給過(guò)剩、庫(kù)存堆高等問(wèn)題。

為什么來(lái)了又走?2019年首批半導(dǎo)體人才回流臺(tái)灣

據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)消息稱，聯(lián)電內(nèi)部協(xié)助福建晉華開(kāi)發(fā)DRAM的團(tuán)隊(duì)在近期展開(kāi)裁員行動(dòng)，裁員人數(shù)估達(dá)上百人。這些被裁人員當(dāng)中，一部分陸續(xù)找到新東家，另一部分回流臺(tái)灣，回流臺(tái)灣的人員將協(xié)助華邦電擴(kuò)大自主研發(fā)陣容，這是2019年首批半導(dǎo)體人才從大陸回流臺(tái)灣的事件。

新式DRAM存取技術(shù)倍增超頻性能

2013年第二季全球行動(dòng)式內(nèi)存營(yíng)收季增11%，SK海力士成業(yè)界黑馬

August 14 ，2013---根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，第二季智能型手機(jī)出貨季成長(zhǎng)約7%，總出貨來(lái)到約兩億兩千余萬(wàn)支(222.7M)，加上為后續(xù)旺季來(lái)臨前所作的備貨準(zhǔn)備，行動(dòng)式內(nèi)存的總營(yíng)收已逼近30億美元，季增約11%，占總體DRAM營(yíng)收的34%。

標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存價(jià)格飆升，2Q13 DRAM廠獲利創(chuàng)新高

2013年8月8號(hào)---根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，由于DRAM產(chǎn)業(yè)寡占市場(chǎng)格局確立，加上各大DRAM供貨商按照原先規(guī)劃減少標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存部位影響下，主流模組4GB均價(jià)在第二季上揚(yáng)16%，由23.5美金漲至27.25美金，以4Gb顆粒來(lái)計(jì)算已達(dá)近年新高價(jià)格。

高通芯片中國(guó)區(qū)域市占率逐年下滑

根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Trendforce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，聯(lián)發(fā)科卯足全力搶攻智能型手機(jī)芯片市場(chǎng)，不僅從低階進(jìn)攻中高階手機(jī)，近期更發(fā)布4G芯片，進(jìn)軍4G手機(jī)市場(chǎng)態(tài)度積極。

一月上旬DRAM價(jià)格續(xù)強(qiáng) 2GB模組漲幅突破10%

根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查顯示，與12月下旬的上漲激勵(lì)因素相同，受惠于兩大韓廠PC DRAM的產(chǎn)出逐漸減少，雖然首季需求端的表現(xiàn)并不突出，但在PC OEM預(yù)測(cè)供給會(huì)愈來(lái)愈不穩(wěn)定的前提下，模組合約價(jià)格持續(xù)上揚(yáng)，主流商品4GB品項(xiàng)最高價(jià)達(dá)到17.5美元，漲幅超過(guò)7%。

預(yù)計(jì)2013年NAND Flash平均銷售價(jià)格跌幅為22%

根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查，雖然對(duì)于明年景氣保守看待，不過(guò)智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)仍可穩(wěn)健成長(zhǎng)，而超輕薄筆電(Ultrabook)的滲透率也將逐季提升，因此我們對(duì)于eMMC與SSD的發(fā)展依舊持正面看法，整體NAND Flash需求位元年成長(zhǎng)率也可達(dá)47.6% 。

2013年DRAM產(chǎn)業(yè)資本支出大減兩成 制程轉(zhuǎn)進(jìn)速度放緩趨勢(shì)確立

根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查顯示，繼11月下旬DRAM合約價(jià)格小跌3.17%，受到現(xiàn)貨價(jià)格的激勵(lì)，12月上旬的模組價(jià)格亦同步呈現(xiàn)上揚(yáng)走勢(shì)，4GB均價(jià)回到US$15.5水位，小漲1.64%;2GB模組均價(jià)同樣受惠，回到US$8.9水位，漲幅同樣有1.71%。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)還將研發(fā)國(guó)產(chǎn)DRAM內(nèi)存，直奔20/18nm工藝

1月份開(kāi)始擔(dān)任長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行副董的高啟全日前對(duì)外表示長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)組建了500多人的研發(fā)隊(duì)伍，正在研發(fā)自己的DRAM制造技術(shù)，報(bào)道還稱國(guó)產(chǎn)DRAM很有可能直接進(jìn)入20/18nm先進(jìn)工藝時(shí)代。

JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)發(fā)布DDR4存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)

微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)發(fā)布廣為業(yè)界期待的DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。JEDEC DDR4 (JESD79-4) 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定旨在提高性能與可靠性的同時(shí)降低功耗。因此，相較于此前的DRAM內(nèi)存技術(shù)，DDR4代表著實(shí)質(zhì)性的進(jìn)步。新的DDR4 標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)可通過(guò)JEDEC官方網(wǎng)站免費(fèi)下載。

海力士半導(dǎo)體30納米制程遭遇瓶頸

南韓相關(guān)業(yè)者引用DRAMeXange報(bào)告指出，三星電子(SamsungElectronics)、海力士、爾必達(dá)等主要DRAM內(nèi)存芯片業(yè)者展開(kāi)轉(zhuǎn)換至30納米等級(jí)以下微細(xì)制程的激烈競(jìng)爭(zhēng)，其中三星與其他競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者維持相當(dāng)大的差距。

"升"不逢時(shí) DRAM內(nèi)存減產(chǎn)沒(méi)商量

近來(lái)，日本高級(jí)別余震不斷，剛剛稍有恢復(fù)的硅晶圓產(chǎn)能再次陷入陰霾。受此影響，4月上旬DRAM內(nèi)存行情一路"升升"不息。然而在當(dāng)前硅晶圓供應(yīng)有限的情況下，眾生產(chǎn)商已無(wú)暇顧及低毛利的DRAM內(nèi)存生產(chǎn)，紛紛轉(zhuǎn)向高附加值的Flash內(nèi)存等產(chǎn)品，DRAM內(nèi)存減產(chǎn)已成定局。

DRAM芯片價(jià)格上漲 導(dǎo)致PC價(jià)格五年首次漲價(jià)

據(jù)了解，iSuppli警告稱，DRAM內(nèi)存芯片供應(yīng)緊張將導(dǎo)致今年下半年這類芯片價(jià)格上漲。消費(fèi)者面臨的風(fēng)險(xiǎn)是PC價(jià)格可能上揚(yáng)。

DRAM內(nèi)存出現(xiàn)今年首次降價(jià) 或延續(xù)至年底

內(nèi)存芯片價(jià)格的下降是這個(gè)市場(chǎng)出現(xiàn)轉(zhuǎn)變的一個(gè)信號(hào)。今年年初出現(xiàn)的內(nèi)存芯片短缺導(dǎo)致芯片廠商提高產(chǎn)量，從而緩解了短缺情況。

全球存儲(chǔ)事業(yè)火熱 韓企占據(jù)全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)

受惠與全球5G市場(chǎng)的發(fā)展，再加上全球疫情趨緩，全球存儲(chǔ)器事業(yè)逐漸恢復(fù)合理化。存儲(chǔ)器需求以及價(jià)格都在增漲。全球DRAM市場(chǎng)格局三分天下，其中韓國(guó)企業(yè)在DRAM市場(chǎng)與NAND Flash市場(chǎng)中占據(jù)較大份額，可見(jiàn)韓國(guó)廠商在DRAM，NAND Flash兩類數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈影響力突出。

三星DRAM總銷量增長(zhǎng)28.6% 全球DRAM市占率超57%

市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)iSuppli的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)， 三星電子今年1-3季度銷售的流動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)以1Gb為基準(zhǔn)計(jì)算達(dá)21.025億個(gè)，在全球DRAM市場(chǎng)中的份額達(dá)57.05%。三星電子今年前三季度的銷量和去年全年總銷量相比增長(zhǎng)了28.6%，預(yù)計(jì)到年底可超過(guò)去年總銷量的50%。

供應(yīng)商第三季度DRAM虧損擴(kuò)大

據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場(chǎng)動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)報(bào)，第三季度DRAM市場(chǎng)再度受挫，PC市場(chǎng)疲軟帶來(lái)的價(jià)格下行壓力，拖累所有DRAM廠商的獲利能力。

2013年DRAM市場(chǎng)預(yù)測(cè)

DRAM年成長(zhǎng)率續(xù)降、DRAM三強(qiáng)有助市場(chǎng)供需平衡、服務(wù)器內(nèi)存與行動(dòng)式內(nèi)存成顯學(xué)

DRAM增長(zhǎng)難以持久 第三季度市場(chǎng)再度下降

據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場(chǎng)簡(jiǎn)報(bào)，DRAM市場(chǎng)連續(xù)七個(gè)季度下滑，在第二季度短暫反彈。但因出貨量下降導(dǎo)致?tīng)I(yíng)業(yè)收入減少，第三季度DRAM市場(chǎng)再度下降。

受PC市場(chǎng)萎縮影響 三季度DRAM市場(chǎng)規(guī)模縮減8.5%

對(duì)于DRAM產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，適時(shí)采取正確的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整將有助于提高核心競(jìng)爭(zhēng)力，使企業(yè)在低迷的市場(chǎng)條件下保持盈利。