海力士半導體30納米制程遭遇瓶頸
2011-06-03 09:56:36 來源:大比特半導體器件網(wǎng) 點擊:1176
摘要: 南韓相關業(yè)者引用DRAMeXange報告指出,三星電子(SamsungElectronics)、海力士、爾必達等主要DRAM內存芯片業(yè)者展開轉換至30納米等級以下微細制程的激烈競爭,其中三星與其他競爭業(yè)者維持相當大的差距。
據(jù)南韓電子新聞報導,全球主要DRAM內存芯片業(yè)者陸續(xù)投入微細制程轉換作業(yè),然而海力士半導體(Hynix)在轉換到30納米制程上正遭遇瓶頸。在微細制程轉換競爭中,一直緊追在海力士之后的爾必達(Elpida),可能會更快完成制程轉換作業(yè),并動搖海力士數(shù)年來維持的競爭力。對此說法,海力士反駁道,目前皆依照計劃日程順利進行轉換中。
南韓相關業(yè)者引用DRAMeXange報告指出,三星電子(SamsungElectronics)、海力士、爾必達等主要DRAM內存芯片業(yè)者展開轉換至30納米等級以下微細制程的激烈競爭,其中三星與其他競爭業(yè)者維持相當大的差距。
三星30納米制程比重持續(xù)擴大,至2011年底預估將可擴大至50%。爾必達計劃從6月開始投入30納米制程量產(chǎn),以年底達到整體產(chǎn)量50%為目標積極作業(yè)中。
而海力士從2011年第1季開始在30納米制程中首度采用6F2Layout進行生產(chǎn),但至2011年下半在擴大30納米制程比重仍受限制,主要原因在海力士是首度在30納米制程中采用6F2技術,而30納米制程轉換作業(yè)又有技術上的困難。南韓證券專家對海力士是否能順利擴大30納米制程比重也抱持尚待觀察的態(tài)度。
9個多月前三星便已開始轉換到30納米制程,目前仍未能大幅擴大比重,而海力士轉換制程至今約4個月,仍難說會有怎樣的成果。南韓MiraeAssetSecurities分析師表示,40納米以下的制程比起現(xiàn)有制程,在技術方面的難易度較高,因此較難預測未來是否能順利轉換成功。三星從以前就已經(jīng)使用6F2技術,而海力士則是從30納米制程才開始采用6F2技術,在擴大比重方面較難抱持樂觀態(tài)度。如果海力士在轉換到30納米制程上仍無法擺脫瓶頸,恐怕會被爾必達趕過。
對于外界的評價,海力士表示,進行尖端技術開發(fā)已有一段時日,且擴大資本支出,在擴大比重方面不會有問題。海力士相關人員表示,從第1季開始投入30納米DRAM量產(chǎn),計劃至年底將比重擴大至40%。且海力士為了使用6F2技術,從過去就已持續(xù)進行相關研究,目前正順利進行制程轉換當中,在擴大比重方面也將會依照日程順利進行。
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