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據(jù)前不久新聞媒體報道，為了應對存儲器和半導體產(chǎn)業(yè)市場不景氣，韓國三星電子，SK海力士，鎂光企圖經(jīng)過新老存儲器的產(chǎn)品更替，從而擺脫危機。并且也有新聞媒體報道，英特爾就當今以數(shù)據(jù)為中心進行轉型，對內存儲存器的發(fā)展開展合理布局 與整體規(guī)劃，且正在有節(jié)奏感地進行，慢慢適應。

各位小伙伴我們先看來一下韓廠方面是怎么應對存儲器和半導體產(chǎn)業(yè)的。

日本對韓國氟化氫等芯片制造重要化學物質發(fā)布了“限售令”，韓過存儲器廠家為了普及化國有氟化氫，以三星電子，LG，SK海力士帶領，降低對日產(chǎn)氟化氫的依賴，而且SK海力士在中國無錫的存儲器加工廠使用中國國產(chǎn)氟化氫，可以說徹底擺脫對日常氟化氫的依賴。

在這以后，傳出了SK海力士宣布開發(fā)設計適用第三代1Z納米的16Gb DDR4 DRAM，并有了新的進度，SK海力士表示，1z nm的生產(chǎn)效率要比上一代高出27 %，且應用了以往沒有添加的新原材料，成功最大化了DRAM的靜電容量，大家都很期待，將來1z nm 工藝將擴大應用在新一代移動DRAM‘LP DDR5’與高速 DRAM“HBM3”上。

三星電子于三月完成了1z DRAM的開發(fā)和設計，并從九月份開始批量生產(chǎn)，并表示在年末有希望引入紫外光微技術(EUV)。

鎂光也傳出喜訊。

鎂光也在八月宣布了正式批量生產(chǎn)1z工藝的16Gb DDR4 DRAM。鎂光覺得，提升電腦用DDDR4 DRAM、移動就用DRAM(LPDDR4 )，及圖形用DRAM(GDDR6)技術，對存儲器的性能的提升有一定的幫助。

存儲器專業(yè)人士分析：存儲器廠家提升技術是非常好的消息，無論是針對當今不景氣存儲器和半導體市場，還是將來的存儲器的發(fā)展趨勢，提升技術都是有機遇變成 扭轉存儲器和半導體市場的突破口。

英特爾也在緊急布局中。

作為全世界x86 CPU市場的領頭羊，英特爾在生態(tài)上有非常大的影響力，且動作非常迅速。截至去年九月份，英特爾在客戶端的SSD上已完成了布局。

從2017年第七代酷睿處理器開始，英特爾宣布根據(jù)3D Xpoint介質的內存商品正式商用，可搭配DRAM內存來為系統(tǒng)加速啟動。

從2018年底，英特爾率先將QLC 商業(yè)化，發(fā)布了根據(jù)QLC 的大容量SSD 存儲660 P，單位容量價錢正式突破了1GB 1塊錢的價格線。憑著在功能損耗及性能等方面的優(yōu)點吸引住了一些客戶，推動大容量SSD時代的來臨 。

除此之外，英特爾還推出了能一部分取代內存的傲騰數(shù)據(jù)中心級持久內存，在比如 Redis這樣的開源方案，SAP HANA及SQL Server這樣的商業(yè)軟件中都表現(xiàn)出特殊的使用價值。

現(xiàn)階段在大數(shù)據(jù)中心行業(yè)，上述兩者早已造就了很多成功應用案例，在性能，性價比放面都已經(jīng)吸引住很多來源于不一樣行業(yè)的客戶。

總的來說，存儲器市場雖然還是不景氣，價錢倒掛現(xiàn)象也很嚴重，庫存告急的狀況 也會減輕，但這種情況不可能持續(xù)長時間，技術創(chuàng)新，DRAM批量生產(chǎn)，都在表明存儲器市場已經(jīng)開始回暖，在保持觀望存儲器市場的同時，也要記得做好出手的準備。