free性欧美人与牛,国产又粗又硬又大爽黄老大爷视 ,国产成人人妻精品一区二区三区 ,√天堂8资源中文,国产亚洲精品一区二区三区

這么多年來，存儲器廠家一直都在嘗試在單個封裝中集成動態(tài)隨機存儲器(RAM)和閃存存儲器(NAND)的共同優(yōu)點，但是一直以來在存儲器技術(shù)上并沒什么大的進(jìn)展。新型非易失性存儲器，是近年來最有希望成為存儲器技術(shù)性突破的一個重要存儲器。新型非易失性存儲器具有類似與隨機存儲器的運性速率、及閃存存儲器的斷電非易失特性?？梢运查g開啟、并且可以從上次斷開的位置恢復(fù)，為即時(Instand-On)PC的來臨而鋪平道路。

常常關(guān)注存儲器技術(shù)的小伙伴，肯定多多少少都有聽說過幾種可以使隨機存儲器和固態(tài)硬盤運行速度更快、更密集、更節(jié)能的新技術(shù)。

另外有一些研究嘗試促進(jìn)“運行內(nèi)存中計算”的方式，可以從源頭上清除了數(shù)據(jù)在處理器、內(nèi)存等構(gòu)件之間來回所造成的性能滯后。

上面所說的想法都要根據(jù)以下的事實，就是要將數(shù)據(jù)載入動態(tài)隨機存取存儲器，是一種速度很快且環(huán)保節(jié)能的方案。但是一旦關(guān)閉電源或者斷電，數(shù)據(jù)的完整性就無法保存。除此之外系統(tǒng)還必須持續(xù)更新數(shù)據(jù)，這樣的話就會造成效率并不是很高。

另一方面，NAND是一種相對不錯的數(shù)據(jù)儲存方法，僅僅只是數(shù)據(jù)載入和擦除的速度太慢，造成數(shù)據(jù)存儲器性能降低，根本就沒有辦法替代目前的動態(tài)隨機存取存儲器。

最近有個好消息是，英國的蘭開斯特大學(xué)的科學(xué)研究人員稱，他們已經(jīng)制造出了一種新型的非易失性存儲器——速率可與動態(tài)隨機存取存儲器相比，載入能耗卻僅為百分之一。

這一項新技術(shù)性被稱之為UK III-V存儲器，其根據(jù)20nm 光刻工藝生產(chǎn)制造，載入所需要的時間僅為5ns(與動態(tài)隨機存取存儲器差不多)，且提供了類似閃存存儲器的簡單載入特性。

最重要的是，它是一種非易失性存儲器，可以在關(guān)閉電源或斷開電源時維持?jǐn)?shù)據(jù)的一致性。

目前為止，原型設(shè)備已經(jīng)可以通過2.1V的電壓來擦除和程序編寫數(shù)據(jù)。比較之下，典型NAND單元必須要施加3V的擦除電壓。

根據(jù)使用更替的GaSb (銻化鎵)和InAs(砷化銦)層，科學(xué)研究精英團隊打造出了“雙阱共振隧道結(jié)”，而且還達(dá)成了這個目標(biāo)。

新型數(shù)據(jù)存儲器的工作方式跟閃存存儲器很類似，都是使用“浮柵”來儲存“0”或“1”，但這里的InAs浮柵被不連續(xù)的GaSb和AlSb大導(dǎo)帶所隔離。

簡單而言，UK III-V存儲器中應(yīng)用的晶體管，具備更強的電源開關(guān)狀態(tài)。它們被設(shè)計為利用兩種材料來保證將信息儲存非常長的時間。

雖然沒有公布載入操作所需要的功能損耗等細(xì)節(jié)，但首席研究員Manus Hayne表示：在反復(fù)載入“1”的情況下，新型存儲器不用重建或持續(xù)更新來保證數(shù)據(jù)的一致性。

當(dāng)然，最讓大家感興趣的，莫過即便在關(guān)閉電源或斷開電源的狀況下，UK III -V內(nèi)存照樣可以保存數(shù)據(jù)、并在接通電源后瞬間回到之前工作中斷的位置。

Manus Hayne稱，精英團隊已經(jīng)在為新技術(shù)申請專利了，將來有希望帶動1000億美金 的動態(tài)隨機存取存儲器和閃存存儲器市場。