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存儲(chǔ)芯片整體漲勢(shì)或?qū)⒀又?024年第一季度
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存儲(chǔ)芯片整體漲勢(shì)或?qū)⒀又?024年第一季度

2023-10-31 11:41:55 來(lái)源:半導(dǎo)體器件應(yīng)用網(wǎng) 作者:厲丹 點(diǎn)擊:3374

存儲(chǔ)芯片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的第二細(xì)分市場(chǎng),市場(chǎng)規(guī)模僅次于邏輯芯片。其行業(yè)景氣度主要受下游消費(fèi)電子和服務(wù)器驅(qū)動(dòng)等供需關(guān)系的影響較大,呈現(xiàn)出較強(qiáng)的周期性。

通常來(lái)說(shuō),存儲(chǔ)芯片可分為易失性和非易失性?xún)深?lèi)。易失性存儲(chǔ)又可分為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)(DRAM)和靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)(SRAM),其中DRAM具備集成度高、低功耗、低成本、體積小等顯著優(yōu)勢(shì),較多應(yīng)用于智能手機(jī)及服務(wù)器內(nèi)存。非易失性存儲(chǔ)主要包括NAND FLASH和NOR FLASH,其中NAND FLASH被廣泛用于SSD、eMMC/EMCP、U盤(pán)等高端大容量產(chǎn)品,NOR FLASH則主要用于智能穿戴、汽車(chē)電子、AMOLED等領(lǐng)域。

存儲(chǔ)芯片整體漲勢(shì)或?qū)⒀又?024年第一季度

存儲(chǔ)芯片,圖源包圖網(wǎng)

近期,以三星、美光等為巨頭的存儲(chǔ)芯片大廠受多家客戶調(diào)整庫(kù)存、出貨量減少、存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)不景氣導(dǎo)致的價(jià)格下滑等因素影響,存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)的營(yíng)收和營(yíng)業(yè)利潤(rùn)均大幅下滑。有研究機(jī)構(gòu)的報(bào)告顯示,三星在今年上半年全球DRAM市場(chǎng)的份額為41.9%,較去年同期的43.5%減少1.6個(gè)百分點(diǎn),創(chuàng)下了近9年的歷史新低。

不過(guò)根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)的最新研究,第四季Mobile DRAM合約價(jià)季漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至13~18%。NAND Flash方面,eMMC、UFS第四季合約價(jià)漲幅約10~15%;由于Mobile DRAM一直以來(lái)獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低,因此成為本次的領(lǐng)漲項(xiàng)目。

至于為什么會(huì)導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片季漲幅擴(kuò)大,TrendForce集邦咨詢(xún)也給出了相應(yīng)的原因。供應(yīng)方面,三星擴(kuò)大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等,持續(xù)奠定了同業(yè)漲價(jià)信心的基礎(chǔ)。需求方面,2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC、UFS)除了受傳統(tǒng)旺季帶動(dòng),華為Mate 60系列等也刺激其他中國(guó)智能手機(jī)品牌擴(kuò)大生產(chǎn)目標(biāo),短時(shí)間內(nèi)涌入的需求也成為推動(dòng)存儲(chǔ)芯片第四季的合約價(jià)漲勢(shì)的原因之一。

展望2024年第一季,預(yù)估整體存儲(chǔ)芯片的漲勢(shì)還將延續(xù)。TrendForce集邦咨詢(xún)還表示,由于傳統(tǒng)淡季及春節(jié)工作日較少,存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)追價(jià)氛圍或有一些降溫,但目前預(yù)估明年第一季Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC、UFS)合約價(jià)仍會(huì)續(xù)漲。至于漲幅多少,則視后續(xù)原廠是否維持保守的投產(chǎn)策略,以及終端是否有實(shí)質(zhì)買(mǎi)氣支撐而定。

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