20納米工藝技術(shù) 三星4Gb移動內(nèi)存開始量產(chǎn)
2013-05-03 11:56:07 來源：大比特電子變壓器網(wǎng) 點擊：1571
摘要： 幾個月前三星開始推出30納米工藝的LPDDR3移動內(nèi)存，現(xiàn)在該制造商似乎要將手機行業(yè)帶往更高的水平--開始量產(chǎn)超快速的20納米工藝技術(shù)的4Gb LPDDR3 DRAM。
幾個月前三星開始推出30納米工藝的LPDDR3移動內(nèi)存，現(xiàn)在該制造商似乎要將手機行業(yè)帶往更高的水平--開始量產(chǎn)超快速的20納米工藝技術(shù)的4Gb LPDDR3 DRAM。
三星20納米工藝技術(shù)的4Gb LPDDR3 DRAM開始量產(chǎn)
據(jù)三星稱，4Gb LPDDR3 DRAM數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá)2133Mbp/每引腳，傳輸性能是之前移動內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)LPDDR2 800Mbps的2倍以上。它能在一秒內(nèi)將三部全高清總?cè)萘扛哌_(dá)17GB的影片存入設(shè)備中。與30納米工藝的LPDDR3 DRAM相比，新設(shè)備效能將提升30%以上，電量節(jié)省20%。
盡管手機設(shè)備一直在減重，但是電池體積卻一直在增長。如果采用三星4Gb LPDDR3 DRAM，原始設(shè)備制造商能將2GB的封包，達(dá)成1個高度僅為0.8毫米的封包，其中包括四個三星4Gb LPDDR3移動芯片，為電池騰出更多的空間。
三星還表示，為了加強內(nèi)存記憶體的業(yè)內(nèi)領(lǐng)先優(yōu)勢，三星還將于今年晚些時候增加20納米工藝的4Gb LPDDR3 DRAM的產(chǎn)量。
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一臺看起來有點小眾的割草機，憑什么能夠和三星S24 Ultra、ChatGPT、佳能EOS R100大眾ID7等知名軟硬件產(chǎn)品共享金電腦獎的殊榮？2024年，這種智能化新產(chǎn)品會成為出海新潮流嗎？
不確定性正籠罩著存儲芯片市場，價格走向撲朔迷離，廠商們必須做好充分準(zhǔn)備。
近期,存儲芯片市場出現(xiàn)了明顯的漲價趨勢。據(jù)供應(yīng)鏈透露,三星電子帶頭調(diào)整其NAND Flash價格策略,將512Gb顆粒最低價從1.4美元提升至1.85美元,現(xiàn)貨價格甚至高達(dá)2美元,漲幅近40%。其他存儲芯片供應(yīng)商也紛紛跟進(jìn),包括長江存儲也將于近期再次通知客戶漲價。
近日三星官方，對于有關(guān)存儲半導(dǎo)體和系統(tǒng)半導(dǎo)體之間的區(qū)別進(jìn)行了科普。這兩種半導(dǎo)體從主要用途來區(qū)分，若將其比作人的話。前者類似記憶較好的人，主要用于信息存儲。而后者類似算數(shù)較好的人，主要用于信息演算或處理。
三星電子不僅是手機生產(chǎn)商，作為全韓最大的電子工業(yè)企業(yè)，同時還涉及到IT、移動通信以及半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，今年初三星帶來了一款高帶寬存儲器產(chǎn)品，值得一提的是，這可是業(yè)界第一款懂AI的存儲器產(chǎn)品。
在現(xiàn)階段全球“缺芯”的狀態(tài)下，全球芯片制造持續(xù)加倉，芯片競爭愈發(fā)激烈。tsmc和三星電子兩大巨頭占有一定主導(dǎo)型，先后宣布了3納米芯片工藝研發(fā)試產(chǎn)。而美國科技巨頭IBM突然推出了全球第一個2納米制程半導(dǎo)體芯片技術(shù)。
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