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2020 年美光三星等企業(yè)會(huì)發(fā)布新一代的DDR5內(nèi)存，最高速度達(dá)到 6400 Mbps，將逐漸替代DDR4 內(nèi)存。

如今的DRAM內(nèi)存技術(shù)還要更新，可是技術(shù)性短板也逐步顯著，科學(xué)研究工作人員已經(jīng)在找尋新的內(nèi)存取代技術(shù)，英國(guó)就找到新方位——全新升級(jí)內(nèi)存延遲可低至10 ns ，功耗僅為現(xiàn)在的1%。

很多年來大家一直在尋找極致的內(nèi)存芯片，它既需要低延遲、高帶寬 ，還要功耗低(不用經(jīng)常更新)，另外還得容量大，低成本，更關(guān)鍵的是具有關(guān)閉電源不損害數(shù)據(jù)的功能，能夠說成是NAND閃存及DRAM內(nèi)存的完美體。

那么多需求，做起來可真的不容易，Intel的傲騰內(nèi)存是根據(jù)PCM相變內(nèi)存技術(shù)的，在可信度、延遲等難題上早已大幅度領(lǐng)跑如今的閃存，更貼近DRAM內(nèi)存芯片了，但是跨越內(nèi)存還達(dá)不上。

此前外國(guó)媒體報(bào)道稱，英國(guó)的科學(xué)研究工作人員找到一種新式的“內(nèi)存”，它應(yīng)用的是III -V族原材料，主要是InAs砷化銦和AlSb銻化鋁 ，用這種原材料做成的NVDRAM非易失性內(nèi)存具有出色的功能，在一樣的性能下電源開關(guān)能量足足低了100 倍，換句話說功耗只有目前DRAM內(nèi)存的1%，另外延遲還可低至10 ns 。

總而言之，這類新材料做成的內(nèi)存芯片具有三大特性——超低能耗、寫入不毀壞數(shù)據(jù)、非易失性，其性能對(duì)比 如今的DRAM內(nèi)存反而沒多少提高，10 ns 級(jí)別的延遲跟DDR4內(nèi)存類似，可是上邊三條特性，特別是非易失性就足夠讓“內(nèi)存”改革了。

但是也無法開心過早，英國(guó)產(chǎn)品研發(fā)工作人員如今僅僅找到新一代III -V原材料內(nèi)存的基礎(chǔ)理論方位，真正大規(guī)模性生產(chǎn)制造這類內(nèi)存還是很困難的事，就好像傳了好長(zhǎng)時(shí)間的MRAM、PCM、RRAM芯片一樣 。