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2013年DRAM產(chǎn)業(yè)資本支出大減兩成制程轉(zhuǎn)進速度放緩趨勢確立

2012-12-20 15:51:52 來源：TrendForce

摘要：根據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查顯示，繼11月下旬DRAM合約價格小跌3.17%，受到現(xiàn)貨價格的激勵，12月上旬的模組價格亦同步呈現(xiàn)上揚走勢，4GB均價回到US$15.5水位，小漲1.64%;2GB模組均價同樣受惠，回到US$8.9水位，漲幅同樣有1.71%。

關(guān)鍵字： PC，DRAM，三星，半導(dǎo)體

根據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查顯示，繼11月下旬DRAM合約價格小跌3.17%，受到現(xiàn)貨價格的激勵，12月上旬的模組價格亦同步呈現(xiàn)上揚走勢，4GB均價回到US$15.5水位，小漲1.64%;2GB模組均價同樣受惠，回到US$8.9水位，漲幅同樣有1.71%。觀察此波上漲趨勢，雖然幅度仍小，但在需求端持續(xù)低迷的情況下還能夠止住跌勢，足以顯示PC OEM端在歷經(jīng)漫長的庫存調(diào)節(jié)之后總算回到相對健康的水位，買貨意愿亦逐步提高。

在供給端方面，目前正是各家DRAM廠執(zhí)行制程轉(zhuǎn)進的時間點，兩家韓系廠由原先供貨的3X奈米逐步轉(zhuǎn)往生產(chǎn)難度更高的2X奈米制程，美系廠美光亦逐步拉高3X奈米的生產(chǎn)數(shù)量，現(xiàn)在正處于新舊制程世代交替的銜接點，現(xiàn)貨市場還能看到某些品項顆粒供貨吃緊，帶動價格往上攀升。

今年以來受到DRAM持續(xù)供過于求的影響，現(xiàn)貨市場2Gb顆粒單價普遍呈現(xiàn)跌勢，甚至在10月下旬最低點來到US$0.817美元，直到12月開始起漲，至今與最低點相較已經(jīng)呈現(xiàn)超過15%的漲幅。對合約市場而言，現(xiàn)貨價格仍具領(lǐng)先指針，再加上9月份各廠的減產(chǎn)效應(yīng)陸續(xù)發(fā)酵，同時將生產(chǎn)的重心移向行動式內(nèi)存，TrendForce預(yù)估減產(chǎn)持續(xù)進行前提下，供需間的產(chǎn)量將逐步趨近平衡，標準型內(nèi)存持續(xù)了半年以上的跌勢可望暫時休止。

2013年DRAM產(chǎn)業(yè)資本支出大減兩成，制程轉(zhuǎn)進速度放緩趨勢確立

由于DRAM產(chǎn)業(yè)連年供過于求使得此產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為”燒錢事業(yè)”代名詞，近期廠商擴大產(chǎn)能與制程微縮，雖然可進一步降低成本，但由于競爭仍然激烈，廠商能夠獲利的機會有限，每年巨額的資本支出就像是雙面刃，一方面若是縮減投資金額恐造成成本競爭力的不足，但若是過度投資，除了現(xiàn)金流的壓力以外，亦極有可能導(dǎo)致市場的供給過剩，造成先前投資無法回收。2012年由于需求面受到個人計算機出貨持續(xù)萎縮的影響，大部分DRAM廠都面臨財務(wù)虧損窘境，除了調(diào)整產(chǎn)品組合以外，競爭力較低的廠商為了保存手頭上僅有的營運現(xiàn)金，多以逐步減產(chǎn)來做為因應(yīng)之道。

對于2013年的資本支出計劃，再度縮減投資金額已獲得業(yè)界共識。以產(chǎn)業(yè)龍頭三星半導(dǎo)體為例，由于垂直整合策略產(chǎn)生良好綜效，成為今年度唯一獲利的DRAM廠商，為了要對市況做出最好的反應(yīng)，過去三星總是在其他廠商縮手投資金額時逆向大增資本支出，今年卻一反常態(tài)，除了進一步將PC DRAM生產(chǎn)轉(zhuǎn)向Mobile DRAM之外，同時也宣布將大幅縮減明年的資本支出，預(yù)估與今年相較減幅達48%，總金額僅有1.1億美元為歷年來最低。

其他DRAM廠亦在明年紛紛下修資本支出，根據(jù)TrendForce的調(diào)查，2013年整體DRAM產(chǎn)業(yè)的資本支出與2012年相較再度呈現(xiàn)21%的減幅，此舉將影響制程轉(zhuǎn)進的進度，3X奈米制程仍是2013年的主流，相較于過往一年可見2個世代制程的交替已不復(fù)見，制程轉(zhuǎn)進速度趨緩已是產(chǎn)業(yè)心照不宣的共識。由于DRAM產(chǎn)業(yè)的獲利模式受到需求端劇烈變化而產(chǎn)生結(jié)構(gòu)性的改變，唯有供給端提出更有彈性的調(diào)整策略來因應(yīng)，否則將很快面臨淘汰的命運。

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