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碳化硅SiC第三代半導(dǎo)體材料

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  • 更新日期:2024-07-26 15:58
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詳細(xì)介紹
碳化硅(SiC)是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料,具有寬禁帶的特性,從而導(dǎo)致其有高擊穿電場強(qiáng)度等材料特性。SiC功率器件具有耐高壓、體積小、功耗低、耐高溫等優(yōu)勢。SiC器件適用于高壓、高頻應(yīng)用場景。

半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模較大,產(chǎn)業(yè)鏈較長,技術(shù)門檻較高且應(yīng)用廣泛,是現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。 半導(dǎo)體行業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈主要包括上游半導(dǎo)體材料、中游半導(dǎo)體元件以及下游應(yīng)用領(lǐng)域。

上游材料半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間)、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。

中游半導(dǎo)體元件主要包括集成電路、傳感器、分立器件以及光電子器件,(1)集成電路(IC)是一種微型電子器件或部件,通過特殊工藝把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起;(2)傳感器是實現(xiàn)自動檢測和自動控制的首要環(huán)節(jié);(3)分立器件是具有單一功能的電路基本元件,如晶體管、二極管、電阻、電容、電感等;(4)光電子器件是光纖網(wǎng)絡(luò)的構(gòu)成要件,多應(yīng)用于5G通信等領(lǐng)域。

半導(dǎo)體元件可應(yīng)用于下游消費電子、網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)控制、新能源、軌道交通及光電顯示等主要領(lǐng)域。

全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模呈現(xiàn)不斷上升趨勢,半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的主要組成部分。近年來全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模呈現(xiàn)不斷上升趨勢,2014至2020年全球半導(dǎo)體銷售額年復(fù)合增長率為4.6%。中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同樣呈現(xiàn)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大,在政策大力支持與下游應(yīng)用快速繁榮等因素的推動下,2014至2020年中國半導(dǎo)體銷售額年復(fù)合增長率達(dá)8.7%,占全球半導(dǎo)體銷售額比例由2014年的27%上升至2020年的34%,是當(dāng)前全球最大的半導(dǎo)體消費市場。

半導(dǎo)體材料在集成電路和分立器件等半導(dǎo)產(chǎn)品生產(chǎn)制造過程中起關(guān)鍵作用。常見的半導(dǎo)體制造材料包括硅(Si)、鍺(Ge)等元素半導(dǎo)體及砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等化合物半導(dǎo)體材料,其中以碳化硅、氮化鎵等化合物為材料的半導(dǎo)屬于第三代化合物半導(dǎo)體材料。

SiC單位晶體結(jié)構(gòu)圖

 

 

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