采用金屬氧化物法制備的MgCuZn軟磁鐵氧體材料具有高初始磁導率、高阻抗、高居里溫度、成本低等特點，在滿足應(yīng)用前提下，可廣泛替代成本昂貴的NiZn/NiCuZn軟磁鐵氧體，制造EMI磁芯。隨著信息技術(shù)在軍事和民用領(lǐng)域的高速發(fā)展，EMI（電磁干擾）對軍事秘密、人身安全和公共環(huán)境的影響與危害越來越嚴重。在電子設(shè)備中使用NiZn/NiCuZn軟磁鐵氧體制成的各種EMI磁芯，對于抗EMI有良好的效果。
由于鐵氧體原材料的價格近年不斷攀升，氧化亞鎳的價格也成倍上漲，以氧化亞鎳為主要原材料的NiZn/ NiCuZn軟磁鐵氧體的成本亦隨之大幅增加。面對日益增加的成本壓力，各EMI磁芯的軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家積極尋求降低成本的方法，其中MgZn/MgCuZn軟磁鐵氧體以其低廉的成本優(yōu)勢備受關(guān)注。本文使用MgZn/MgCuZn配方，通過金屬氧化物法制備的JM1K（深寧公司材料型號）軟磁鐵氧體材料，具有高初始磁導率、高阻抗、高居里溫度等特點，可廣泛地替代相近磁導率的NiZn/NiCuZn軟磁鐵氧體，制造EMI磁芯。





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