基于氮化鎵(GaN)的系統(tǒng)能夠提供更高的效率、顯著地減少尺寸和重量以及改善熱性能，這在傳統(tǒng)硅市場上創(chuàng)造了一個位移循環(huán)，并使激光雷達和射頻包絡跟蹤等新領域獲得廣泛應用。據(jù)此本文將從氮化鎵為什么重要特性理念述起,對其設計eGaN FET 具有最佳布局的功率級與驅動逆變器及無人機收縮電機驅動器等多領域的應用作分析研討。
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基于氮化鎵(GaN)的系統(tǒng)能夠提供更高的效率、顯著地減少尺寸和重量以及改善熱性能，這在傳統(tǒng)硅市場上創(chuàng)造了一個位移循環(huán)，并使激光雷達和射頻包絡跟蹤等新領域獲得廣泛應用。據(jù)此本文將從氮化鎵為什么重要特性理念述起,對其設計eGaN FET 具有最佳布局的功率級與驅動逆變器及無人機收縮電機驅動器等多領域的應用作分析研討。
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