本文實驗考察了一臺反激變換器在DCM模式下近場磁耦合現(xiàn)象，細(xì)致分析了變壓器、主電路PCB走線與電源輸入線間的近場磁耦合效應(yīng)，用實際測量的方式測量得到耦合參數(shù)。在此基礎(chǔ)上建立包含磁場耦合的傳導(dǎo)干擾電路模型，并用Saber搭建樣機的系統(tǒng)級EMI仿真電路驗證近場磁耦合效應(yīng)的影響。

隨著開關(guān)電源的快速發(fā)展，反激變換器由于結(jié)構(gòu)簡單、體積小、具有多路輸出、輸入輸出隔離等優(yōu)點而被廣泛應(yīng)用。在反激變換器中，功率半導(dǎo)體器件在開關(guān)動作時會產(chǎn)生高頻噪聲，這種電磁噪聲不僅會干擾反激變換器的正常工作，還有可能對負(fù)載造成影響?！?-3】

隨著開關(guān)電源的小型化發(fā)展，PCB的布局愈發(fā)緊湊，PCB上的器件靠得更近。然而在傳導(dǎo)EMI的研究中，近場干擾經(jīng)常被忽略。文獻(xiàn)【4】主要以濾波器為研究對象，分析了濾波器在抑制共模和差模噪聲時的等效電路，提出了分析濾波器元件之間近場耦合的散射參數(shù)法，并通過計算得到了濾波器各元件之間的近場耦合參數(shù)。在此基礎(chǔ)上進(jìn)行了基于近場耦合的濾波器設(shè)計。文獻(xiàn)【5】分析了PCB 表面近場干擾的分布情況, 改進(jìn)印刷電路板布線, 可以降低干擾水平。

這些研究通常針對電路中的磁性元件之間的近場耦合做出改善，在現(xiàn)代的電力電子技術(shù)中已經(jīng)針對這些元件做出了優(yōu)化設(shè)計使得這些元件的近場耦合噪聲降低。然而在高頻下電源輸入線的寄生參數(shù)使得電源輸入線也可能成為干擾敏感體，受到近場耦合的影響可能增大樣機的噪聲。

本文以一個40W的反激開關(guān)電源為研究對象，研究該反激電源的近場耦合效應(yīng)，結(jié)合電路具體的工作方式來確定近場耦合的干擾來源，分析電源輸入線形狀對近場耦合的影響。

 

 

詳細(xì)內(nèi)容請查看附件