一款新穎的低成本、結(jié)構(gòu)緊湊USB型充電器，最近迅速涌向市場(chǎng)。其優(yōu)點(diǎn)是具有高達(dá)100w的功率容量，這是USB型通訊協(xié)議支持的供電規(guī)格。這批新產(chǎn)品。對(duì)比早期裝在較小機(jī)殼內(nèi)的USB充電器，能實(shí)現(xiàn)更快的充電，尤其對(duì)移動(dòng)式計(jì)算裝置的用戶極為有利。

一款新穎的低成本、結(jié)構(gòu)緊湊USB型充電器，最近迅速涌向市場(chǎng)。其優(yōu)點(diǎn)是具有高達(dá)100w的功率容量，這是USB型通訊協(xié)議支持的供電規(guī)格。這批新產(chǎn)品。對(duì)比早期裝在較小機(jī)殼內(nèi)的USB充電器，能實(shí)現(xiàn)更快的充電，尤其對(duì)移動(dòng)式計(jì)算裝置的用戶極為有利。

該新產(chǎn)品的功率密度令人印象深刻:60W USB型充電器擁有20w/_吋³(1.22w/cm³ )的功率密度。而價(jià)格僅25歐元。以前，在這個(gè)價(jià)位的USB充電器，其功率密度最大才10w/in³(0.61w/cm³)

這些高功率密度的新充電器，其基礎(chǔ)的結(jié)構(gòu)元件為氮化鎵（GaN）三極晶體管。新充電器中，傳統(tǒng)的硅MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）功率開關(guān)，由GaN高電子遷移率（mobility）晶體管（HEMT）所取代，這是經(jīng)過試驗(yàn)合乎標(biāo)準(zhǔn)的，GaN功率開關(guān)技術(shù)無論在性能上和價(jià)格上均很優(yōu)越，在功率系統(tǒng)中取代了硅MOSFET。

的確，GaN HEMT的應(yīng)用，就像USB型充電器在用戶市場(chǎng)所起的作用一樣，對(duì)工業(yè)、電信、醫(yī)療或軍用設(shè)備創(chuàng)造了同樣的有利條件。由于減少了AC/DC功率級(jí)，因發(fā)熱的功耗較小，對(duì)散熱器的需求或?qū)CB（印刷電路板）銅底板散熱的要求均不高，故GaN HEMT可使功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)者達(dá)到更高的利用效率，節(jié)約了成本、節(jié)省了空間。此外，在GaN HEMT中的低功率損耗，對(duì)功率系統(tǒng)提高開關(guān)頻率，減小尺寸、重量以及降低磁元件的成本，均提供了可供首選的方案。

這并不奇怪，目前這一技術(shù)上的重大突破，已激發(fā)起電源工程師們的極大興趣。

 

 

詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)查看附件