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根據(jù)影響MOV電容的主要因素以及晶界肖特基勢壘變化、離子遷移理論等氧化鋅壓敏電阻的老化機(jī)理，提出了氧化鋅壓敏電阻老化過程中必然伴隨電容量的變化。在8/20μs不同的沖擊實(shí)驗(yàn)下，對電涌保護(hù)器(SPD)用氧化鋅壓敏電阻(MOV)進(jìn)行老化實(shí)驗(yàn)表明：MOV的電容量均隨老化程度增加而呈現(xiàn)上升趨勢；在In標(biāo)稱值沖擊下，MOV電容量隨沖擊次數(shù)近似線性上升。通過實(shí)驗(yàn)提出了電容量增幅具有考量MOV老化程度的重要意義；同時(shí)證明：結(jié)合U1mA、IL和電容量3個(gè)參數(shù)能夠更好地分析MOV內(nèi)部老化原因。本文作了綜述介紹。
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