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為了應對存儲器競爭,我國選擇這樣做!
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為了應對存儲器競爭,我國選擇這樣做!

2020-11-17 09:35:28 來源:cool愛旅游 點擊:1025

關于存儲器我相信各位小伙伴們對它應該不生疏,畢竟從大家剛開始觸碰智能手機至今大家就一直在用它,如今大家的手機上儲存空間越來越大,性能也越變越好這必須得益于我國在芯片領域的發(fā)展及在存儲器上的科學研究。說到存儲器,最值得一提的是我國的國家存儲器基地這一大工程項目的建設。

據(jù)統(tǒng)計,我國國家存儲器基地這一新項目一共有兩期工程項目,一期工程項目已經(jīng)建設結束了,接著便是二期工程的建設,二期工程在今年的6月中旬也開始建設了,其中二期工程一期工程項目都有一個特性那便是建設地址都位于湖北省武漢市,只不過二期工程的詳細地址是武漢市東湖高新區(qū)。

這是一個總投資約1700億人民幣的國家存儲器基地二期,總算開始建設了,這一個中國研發(fā)生產(chǎn)制造3D NAND閃存芯片的重點項目二期工程建設完成之后總體目標是完成每個月30萬片芯片的生產(chǎn)量。

我國在處理芯片領域的發(fā)展趨勢原本就并不是特別好,芯片的相關領域毫無疑問也會受到影響如同存儲器,如今韓國三星、海力士和美國美光、西部數(shù)據(jù)四家企業(yè)基本掌握了存儲器市場的主導權,我國假如要在處理芯片及存儲器上獲得提升,那么我國就需要做出相關的行為。

因此我國決定建立國家存儲器基地,我國在這一領域能夠說是從無到有,不斷的摸索,僅僅兩年多一點的時間就可以完成128層的堆棧閃存芯片,這真的是中國速度,從無到有的中國速度。

這還要從2017年11月開始說起,那時候我國科學家們在攻克32層三D NAND閃存芯片,今年4月長江存儲又直接從96層宣布攻克128層堆棧閃存芯片,我國獲得存儲器的這些突破僅僅只用了4年的時間,從什么都沒有到一流水準。

盡管說國家存儲器基地二期工程要投入超過1700億人民幣的建設,可是將來對于大家甚至是整個國家的作用都是非常大的,誰也說不準將來別的國家是否可以保持住第一的位置,因此我國只要繼續(xù)在存儲器領域進行科學研究,那么將來就一定可以獲得提升。

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存儲器 存儲器市場 芯片
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