三菱電機(jī)最新SiC功率模塊亮相PCIM亞洲展
2013-06-20 13:55:04 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 點(diǎn)擊:1670
摘要: 自去年7月以來(lái),三菱電機(jī)發(fā)布了一系列碳化硅(SiC)功率模塊,這些產(chǎn)品將于今年6月18日至20日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展 2013(展位號(hào):402)中隆重亮相。
關(guān)鍵字: IGBT芯片,三菱電機(jī),SiC功率器件
眾所周知,目前市場(chǎng)上采用的功率模塊的IGBT芯片大多采用硅材料制造,但是業(yè)界對(duì)硅(Si)材料的性能利用已接近極限。與Si相比,SiC的禁帶寬度是Si的3倍,臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是Si的10倍,電子飽和速率是Si的2倍。
與傳統(tǒng)的Si功率器件相比,SiC功率器件具有關(guān)斷拖尾電流極小、開(kāi)關(guān)速度快、損耗低、耐高溫的特性。采用SiC功率器件開(kāi)發(fā)電力電子變流器,能提高功率密度,縮小裝置體積;提升變流器效率;提高開(kāi)關(guān)頻率,縮小濾波器體積;確保高溫環(huán)境下運(yùn)行的可靠性;還易于實(shí)現(xiàn)高電壓大功率的設(shè)計(jì)。SiC功率器件可廣泛用于節(jié)能、高頻和高溫三大電力電子系統(tǒng)。
三菱電機(jī)迄今為止發(fā)布的SiC功率模塊,包括用于變頻空調(diào)的600V/15A混合SiC DIPIPMTM、600V/20A混合SiC DIPPFCTM、600V/20A全SiC DIPPFCTM,用于工業(yè)設(shè)備的1200V/75A混合SiC-IPM、1200V/800A全SiC模塊、600V/200A混合SiC-IPM,以及用于鐵路牽引的1700V/1200A混合SiC-HVIGBT。
* 混合SiC模塊:主開(kāi)關(guān)采用Si-IGBT,續(xù)流二極管采用SiC-SBD
* 全SiC模塊: 主開(kāi)關(guān)采用SiC-MOSFET,續(xù)流二極管采用SiC-SBD
* DIPIPMTM: 三菱電機(jī)注冊(cè)商標(biāo),雙列直插式智能功率模塊
* DIPPFCTM: 三菱電機(jī)注冊(cè)商標(biāo),雙列直插式功率因數(shù)校正模塊
本次展會(huì),除了展示以上SiC功率模塊,三菱電機(jī)還將同步展出多個(gè)系列的新型功率模塊,包括最新的工業(yè)用DIPIPMTM、家電用第6代DIPIPM TM、變頻冰箱用MOS-DIPIPM TM、新一代IPM、第6.1代IGBT模塊、第6代T型三電平IGBT模塊、第6代新型MPD模塊、R系列HVIGBT, J系列汽車用EV T-PM模塊和EV-IPM。
為了方便客戶采用新型功率模塊開(kāi)發(fā)變流器產(chǎn)品,三菱電機(jī)還將展示多種變流器整體解決方案,包括基于第5代DIPIPM TM的變頻空調(diào)驅(qū)動(dòng)器、基于MOS-DIPIPM TM的變頻冰箱驅(qū)動(dòng)器、基于工業(yè)DIPIPMTM的伺服驅(qū)動(dòng)器、風(fēng)電變流器功率組件MPDStacK和100kW T型三電平并網(wǎng)逆變器等。
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英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
作為有利于節(jié)能的逆變器所用的功率器件,富士電機(jī)公司已開(kāi)發(fā)出高耐壓低損耗的SiC混合模塊。該混合模塊采用了SiC-SBD芯片和最新第6代「V系列」IGBT芯片,并確認(rèn)在300A的產(chǎn)品中,與原來(lái)Si模塊比較,產(chǎn)生的損耗約下降25%,由于高耐壓SiC混合模塊器件本身?yè)p耗的大幅度降低,這對(duì)逆變器的高效率化極為有利。
目前,國(guó)內(nèi)光伏電站以及大多數(shù)的分布式光伏項(xiàng)目主要采用500kW光伏逆變器,其核心技術(shù)是功率變換的效率。而目前業(yè)界公認(rèn)最好的解決方案是采用英飛凌的第四代IGBT4的PrimePACK?3 封裝的模塊。PrimePACK?3擁有低寄生電感,低熱阻等特點(diǎn),充分發(fā)揮了第四代構(gòu)槽柵場(chǎng)終止技術(shù) FieldStop IGBT芯片的低損耗的優(yōu)勢(shì)。
IGBT芯片,即“絕緣柵雙極型晶體管芯片”,是新一代功率半導(dǎo)體器件。工作中,通過(guò)調(diào)整柵極電壓的大小和極性,可改變相關(guān)控制器的開(kāi)通與關(guān)閉。該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、風(fēng)力發(fā)電、太陽(yáng)能發(fā)電、船舶驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車、工業(yè)變流、航空航天以及化工冶金等眾多重要行業(yè)和領(lǐng)域。
12月19日,大比特將于蘇州書(shū)香世家平江府酒店舉辦第三節(jié)光伏逆變器關(guān)鍵元器件技術(shù)與應(yīng)用研討會(huì)。屆時(shí),Infineon工業(yè)功率器件產(chǎn)品經(jīng)理陳子穎將為參會(huì)工程師帶來(lái)主題為《IGBT芯片技術(shù)與能源效率》的演講。
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