MOV電阻主要由鋅、鉍、銻、鈷、錳、鎳等氧化物材料及銀玻璃等微量摻雜料組成。
通俗的講，MOV是由多個(gè)六邊形多晶體組成，每個(gè)晶體又由晶界層包裹著尖晶石，晶界層由鉍、銻等富鉍相高阻材料組成，而尖晶石是由氧化鋅為主的低阻材料制成，在電場(chǎng)作用下，高阻層(晶界層)被打通，晶體形成導(dǎo)通狀態(tài)。MOV芯片晶界層的厚薄決定了單個(gè)晶體導(dǎo)通電壓的高低，同理晶界層相互疊加也可以提高導(dǎo)通電壓。所以增加厚度就是增加晶體的疊加數(shù)，提高導(dǎo)通電壓。
受材料均勻性和工藝影響，MOV芯片制造中多晶體的發(fā)育不可能完全一樣，有大有小，不排除有缺陷的晶體存在。
MOV多晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體與單晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體在荷電狀態(tài)下其擊穿損壞機(jī)理完全不同。
MOV單晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體具有方向性，一旦擊穿，呈現(xiàn)直接短路，擊穿過(guò)程沒(méi)有延時(shí)現(xiàn)象，如各種晶體管，集成電路。
而多晶體半導(dǎo)體其擊穿過(guò)程是漸進(jìn)式，MOV電阻的高阻層包裹著低阻層的結(jié)構(gòu)決定了晶體無(wú)方向性，任意方向電場(chǎng)均可擊穿MOV電阻的高阻層，而首先被擊穿是單個(gè)承受功率比較小，或是發(fā)育不良的晶體，由于疊加晶體個(gè)數(shù)減少，剩余晶體需承受更大功率，周而復(fù)始，形成擊穿，所以多晶體結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體擊穿是有延時(shí)，晶體擊穿燒毀后會(huì)形成炭化物，形成殘阻存在，而炭化物繼續(xù)向周邊導(dǎo)電，MOV芯片周邊晶體被連續(xù)擊穿!
