十一月上旬主流NAND Flash MLC合約價(jià)微幅下滑1-5%
2012-11-19 17:26:44 來源:TrendForce 點(diǎn)擊:1892
摘要: 根據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查,雖然NAND Flash供貨商采取供貨緊縮的策略不變,但針對感恩節(jié)與圣誕節(jié)的消費(fèi)性電子系統(tǒng)產(chǎn)品的備貨需求高峰已過,以至于NAND Flash MLC合約價(jià)下滑約1-5%,為過去兩個(gè)月來首見;
關(guān)鍵字: NAND Flash, TLC, 記憶卡
根據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查,雖然NAND Flash供貨商采取供貨緊縮的策略不變,但針對感恩節(jié)與圣誕節(jié)的消費(fèi)性電子系統(tǒng)產(chǎn)品的備貨需求高峰已過,以至于NAND Flash MLC合約價(jià)下滑約1-5%,為過去兩個(gè)月來首見;
而隨身碟與記憶卡的市場依舊疲軟,TLC合約價(jià)則是下滑4-5%。DRAMeXchange認(rèn)為11月過后的需求將明顯轉(zhuǎn)趨清淡,因此價(jià)格動(dòng)能趨勢將明顯轉(zhuǎn)為向下,從供給面與需求面的因素分析,目前市況影響層面來自于:
1. NAND Flash供給面:考慮到自2012年第四季到2013年上半季市況將轉(zhuǎn)為清淡、2013年需求能見度偏低的情況下,多數(shù)NAND Flash廠將暫緩產(chǎn)能擴(kuò)增的計(jì)劃,加上東芝宣布將彈性減產(chǎn)30%的政策持續(xù)實(shí)施至2013年第二季,后續(xù)是否回復(fù)全產(chǎn)能生產(chǎn)則要視市場需求而定,因此2013年總產(chǎn)出將仰賴制程轉(zhuǎn)換。
目前多數(shù)廠商正積極從25奈米等級(jí)轉(zhuǎn)進(jìn)至20奈米等級(jí)的系統(tǒng)產(chǎn)品,但由于良率問題導(dǎo)致制程比重?zé)o法如預(yù)期般的效率提升,加上對于16奈米等級(jí)的量產(chǎn)時(shí)程與應(yīng)用,在系統(tǒng)產(chǎn)品時(shí)間點(diǎn)有因?yàn)殡y度提升的關(guān)系出現(xiàn)遞延的現(xiàn)象,DRAMeXchange將明年總產(chǎn)出增長率從原本的45%下調(diào)制41%,而2013年上半年產(chǎn)出的增長幅度也較預(yù)期的減少。
2. NAND Flash需求面:2012年第四季的系統(tǒng)產(chǎn)品在強(qiáng)勢品牌的帶動(dòng)下,自九月至十月底的備貨效應(yīng)帶動(dòng)合約價(jià)的上漲,同時(shí)多款低價(jià)智能型手機(jī)與平板計(jì)算機(jī)的新機(jī)上市需求也加助了漲勢。
然而針對年底傳統(tǒng)歐美銷售旺季的備貨需求在十一月上旬高峰過后,動(dòng)能已逐漸轉(zhuǎn)弱,加上多數(shù)系統(tǒng)廠商對于2013年第一季全球市場與中國農(nóng)歷新年帶動(dòng)消費(fèi)的展望轉(zhuǎn)趨保守,筆記本電腦、智能型手機(jī)與平板計(jì)算機(jī)明年第一季的狀況也預(yù)期較第四季衰退,因此綜合兩個(gè)需求的因素,我們認(rèn)為從十二月份開始至2013年第一季的需求將較第四季來得薄弱,因而壓抑了NAND Flash價(jià)格繼續(xù)上漲的動(dòng)能,并且轉(zhuǎn)而朝向下滑的格局。
綜合供給面與需求面的考慮來看,NAND Flash價(jià)格在備貨需求高峰過后開始逐漸轉(zhuǎn)弱之際,即便是供貨商持續(xù)采取產(chǎn)出緊縮的政策也將難以扭轉(zhuǎn)整體市場轉(zhuǎn)趨保守,因此我們認(rèn)為主流NAND Flash合約價(jià)將在十一月份下旬與十二月呈現(xiàn)逐步緩跌的格局,針對明年第一季的看法也采取保守以對。
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根據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù),預(yù)估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價(jià)均上漲。存儲(chǔ)芯片的整體漲勢或?qū)⒀永m(xù)至明年第一季度。
近期,存儲(chǔ)芯片市場出現(xiàn)了明顯的漲價(jià)趨勢。據(jù)供應(yīng)鏈透露,三星電子帶頭調(diào)整其NAND Flash價(jià)格策略,將512Gb顆粒最低價(jià)從1.4美元提升至1.85美元,現(xiàn)貨價(jià)格甚至高達(dá)2美元,漲幅近40%。其他存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商也紛紛跟進(jìn),包括長江存儲(chǔ)也將于近期再次通知客戶漲價(jià)。
受惠與全球5G市場的發(fā)展,再加上全球疫情趨緩,全球存儲(chǔ)器事業(yè)逐漸恢復(fù)合理化。存儲(chǔ)器需求以及價(jià)格都在增漲。全球DRAM市場格局三分天下,其中韓國企業(yè)在DRAM市場與NAND Flash市場中占據(jù)較大份額,可見韓國廠商在DRAM,NAND Flash兩類數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈影響力突出。
本文主要介紹了晶圓和控制器,受限于上游臺(tái)積電和聯(lián)電等晶圓代工廠產(chǎn)能滿載及下游封測產(chǎn)能急缺,預(yù)計(jì)明年第一季度的NAND Flash控制器價(jià)格或上漲15~20%左右。
本文主要介紹了存儲(chǔ)器廠家一直在嘗試在一個(gè)封裝中集成RAM和NAND的共同優(yōu)點(diǎn),但是一直沒什么進(jìn)展,最近英國的蘭開斯特大學(xué)的專家稱,他們成功制造出一種新型的非易失性存儲(chǔ)器。
2018年下半年開始,DRAM與NAND Flash的價(jià)格就持續(xù)走低,造成了存儲(chǔ)器供給過剩、庫存堆高等問題。
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