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Vishay Siliconix 推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新型 20V P 通道 TrenchFET® 第三代功率 MOSFET

2009-03-13 10:07:44 來源：大比特資訊

    該器件采用 SO-8 封裝，在 10V 及 4.5V 時分別提供 1.9 m 和 2.5 m 的業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻
    日前，Vishay Intertechnology， Inc.發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET® 第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。

    新型 Si7137DP具有 1.9 m（在 10 V 時）、2.5 m（在 4.5 V 時）和 3.9 m（在 2.5 V 時）的超低導(dǎo)通電阻。TrenchFET 第三代 MOSFET 的低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，從而確保器件可以比之前市面上 p 通道功率 MOSFET 更低的功耗執(zhí)行切換任務(wù)。

    Si7137DP 將用作適配器開關(guān)，用于筆記本電腦及工業(yè)/通用系統(tǒng)中的負載切換應(yīng)用。適配器開關(guān)（在適配器/墻壁電源和電池電源間切換）一直處于導(dǎo)通狀態(tài)，消耗電流。Si7137DP 的低導(dǎo)通電阻能耗低，節(jié)省電力并延長兩次充電間的電池可用時間。

    對于使用 20V 器件足夠的應(yīng)用，Si7137DP 令設(shè)計人員無須依賴 30V 功率 MOSFET，直到最近 30V 功率 MOSFET 才成為具有如此低導(dǎo)通電阻范圍的唯一 p 通道器件。最接近的同類 20V p 通道器件具有 12-V 以上的柵極至源極額定值，在 4.5V 柵極驅(qū)動時導(dǎo)通電阻為 14 mΩ，且沒有 10V 柵極至源極電壓的特點。在同類 30V 器件中，采用 SO-8 封裝尺寸的最低 p 通道導(dǎo)通電阻在 10V 及 4.5V 時分別為 3.5 m 和 6.3 m，約為 Si7137DP 的一倍。

    Vishay 將在 2009 年發(fā)布具有各種額定電壓及封裝選擇的其他 p 通道 TrenchFET 第三代功率 MOSFET。今天發(fā)布的該器件 100% 通過Rg 和 UIS 認證，且不含鹵素。

    目前，新型 Si7137DP TrenchFET 功率 MOSFET 可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。

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Vishay Siliconix 業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻新型 20V P 通道 TrenchFET®

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新品周遞|Vishay推出符合RoHS無豁免標(biāo)準(zhǔn)的先進器件

2021年3月8日-3月12日，本周精選新品速遞來襲，詳情請查看下文。

Vishay Siliconix 擴展ThunderFET®的電壓范圍

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Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET®功率MOSFET

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Vishay Siliconix 推出業(yè)內(nèi)率先采用PowerPAK® SC-75和SC-70封裝的功率MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 1 月9 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET®應(yīng)用到更小的封裝尺寸上
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賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 11 月29 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封裝的CSP規(guī)格尺寸，具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET®功率MOSFET。

一種柔性電流互感器的應(yīng)用前景

隨著智能電網(wǎng)和配電自動化技術(shù)的飛速發(fā)展，適用于電網(wǎng)改造的傳統(tǒng)電流傳感器在測量準(zhǔn)確度、安裝靈活性及環(huán)境適應(yīng)性方面的局限性逐漸顯現(xiàn)。為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，本文提出了一種新型柔性電流互感器的設(shè)計方案。
多種創(chuàng)新型舉措在物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用中拓展出了廣闊的發(fā)展前景

本文將對破解并消除物聯(lián)網(wǎng)障礙而脫穎出的沉浸式的供電、系統(tǒng)部署與用現(xiàn)成模塊快速實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)乘上快車道及單對以太網(wǎng)的應(yīng)用等三大創(chuàng)新型舉措為拓展物聯(lián)網(wǎng)廣闊的發(fā)展前景作研討。
擴束光纖連接器淺析

本文將對新型擴束光纖連接器進行介紹，并對傳統(tǒng)接觸式光纖連接器與新型擴束光纖連接器進行對比分析。
綠智共融，創(chuàng)新驅(qū)動！橋梁新型防腐工藝技術(shù)研討會5月南通啟幕

為推進橋梁防腐產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)發(fā)展，緊密結(jié)合防腐產(chǎn)業(yè)鏈上下游資源，針對新材料、新技術(shù)、新工藝進行交流探討，滿足橋梁防腐市場供求的需要，2025（第六屆）橋梁新型防腐工藝技術(shù)研討暨新材料涂料設(shè)備展洽會順勢啟航，于2025年5月14日- 16日在中國南通隆重召開。
新型高性能ZnO-Cr2O3系壓敏變阻器

ZnO壓敏變阻器具有良好的非線性伏安特性，可用來抑制瞬態(tài)過電壓和吸收浪涌電壓，被廣泛應(yīng)用于電子線路和電力系統(tǒng)。然而，傳統(tǒng)ZnO-Bi2O3，ZnO-V2O5，ZnO-Pr6O11系壓敏變阻器存在元素易揮發(fā)、與Ag-Pd電極反應(yīng)、非線性系數(shù)低、有毒等不利因素，因此研發(fā)新型高性能ZnO壓敏變阻器顯得十分必要。
Microchip、英飛凌、辰達半導(dǎo)體推出高性能產(chǎn)品

Microchip推出集成SiP/SoC的SAMA7D65系列微處理器;英飛凌帶來采用新型硅封裝的CoolGaN? G3晶體管;辰達半導(dǎo)體發(fā)布40V N 溝道增強型MOSFET：MDD210N40P。

英特爾的“雷電4”讓Type-C向“快充標(biāo)準(zhǔn)”更進一步

7月8日，英特爾正式揭示了下一代通用電纜連接解決方案Thunderbolt?4(又稱“雷電4”)，雷電協(xié)議與USB協(xié)議間的爭奪統(tǒng)一于Type-C接口。Type-C最大的輸出功率為100W、最大的承受電壓和電流分別為20V和5A的Type-C是目前最佳的快充標(biāo)準(zhǔn)接口，但是目前Type-C生產(chǎn)技術(shù)難度大，成本投入高，優(yōu)勢企業(yè)少。
TYPE-C PD移動電源解決方案

大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出整合了立锜(Richtek)、英特矽爾(Intersil)、意法半導(dǎo)體(ST)等多家國際大廠產(chǎn)品的TYPE-C PD移動電源的方案。該方案包含一個雙向的PD電源協(xié)議(5/9/15/20V)、一個Micro B輸入接口(5V)及兩個TYPE-A QC輸出接口(5/9/12V)，囊括目前移動電源所需的各種接口。
大聯(lián)推出基于國際大廠的TYPE-C PD移動電源解決方案

2017年6月20日，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先電子元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出整合了立锜(Richtek)、英特矽爾(Intersil)、意法半導(dǎo)體(ST)等多家國際大廠產(chǎn)品的TYPE-C PD移動電源的方案。該方案包含一個雙向的PD電源協(xié)議(5/9/15/20V)、一個Micro B輸入接口(5V)及兩個TYPE-A QC輸出接口(5/9/12V).
最便捷的DC/DC二次電源的測試方案

本方案旨在為研發(fā)和使用小功率DC/DC轉(zhuǎn)換器的工程師提供最為快捷的測試和驗證手段。適用于功率小于20W，最高輸出電壓不超過20V，電流不超過3A的DC/DC轉(zhuǎn)換器的快速而便捷的測試。
類比 DC/DC 控制器支援溫度補償電感器電流感測技術(shù)

德州儀器(TI)宣佈推出首款支援遠端雙載子結(jié)電晶體 (BJT) 溫度補償電感器電流感測的類比 DC/DC 降壓控制器，可在高功率負載點(POL)轉(zhuǎn)換中將總體解決方案尺寸最小化。這款 20V DC/DC 同步降壓轉(zhuǎn)換控制器能以最小電感器尺寸實現(xiàn)超過 95% 的效率。
TI類比 DC/DC 控制器支援溫度補償電感器電流感測技術(shù)

德州儀器(TI)宣佈推出首款支援遠端雙載子結(jié)電晶體 (BJT) 溫度補償電感器電流感測的類比 DC/DC 降壓控制器，可在高功率負載點(POL)轉(zhuǎn)換中將總體解決方案尺寸最小化。這款 20V DC/DC 同步降壓轉(zhuǎn)換控制器能以最小電感器尺寸實現(xiàn)超過 95% 的效率。

新品速遞 | PI、英飛凌、瑞能半導(dǎo)體推出新功率模塊

Power Integrations發(fā)布新款HiperLCS?-2芯片組，實現(xiàn)輸出功率翻倍；英飛凌帶來首款P溝道器件，擴展耐輻射功率 MOSFET 產(chǎn)品組合；瑞能半導(dǎo)體上新WeenPACK-B系列，覆蓋100kW場景。
一種連接器接觸件錫鍍層的開發(fā)

文章介紹一種新近開發(fā)的連接器接觸件回熔鍍錫銅合金接觸簧片。這種接觸件在高溫下具有較低的插合力和高性能。從回熔Ni-P/Sn鍍層測試來看，在經(jīng)過16小時、155℃老化試驗后，其可焊性未受任何影響，而其它鍍層在老化試驗后其濕潤時間則大幅上升……
絕緣材料/系統(tǒng)行業(yè)盛宴 P. LEO專家來獻計

為促進我國電子變壓器領(lǐng)域和新能源汽車/充電樁領(lǐng)域用絕緣材料與絕緣系統(tǒng)的技術(shù)發(fā)展，2023開關(guān)電源變壓器設(shè)計軟件暨新能源汽車絕緣材料研討會將于5月15日在香港白石角科學(xué)園地標(biāo) — 金蛋高錕會議中心舉辦。屆時，P.LEO、UL Solutions 、MICROMETALS 、ELANTAS 、PowerEsim等絕緣材料/絕緣系統(tǒng)行業(yè)專家將帶來精彩演講。
P.LEO產(chǎn)FIW系列納入全球首個Class F絕緣系統(tǒng)

彼利奧（P.LEO）的FIW完全絕緣線在近日順利通過UL認證，正式納入到全球首個Class F的絕緣系統(tǒng)內(nèi)。
貿(mào)澤備貨ams OSRAM SYNIOS P3030 KW DSLP31.CE LED 用于汽車車身照明

2022年10月20日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨ams OSRAM SYNIOS? P3030 KW DSLP31.CE LED。這是ams OSRAM SYNIOS P系列的一款產(chǎn)品，為迅速興起的汽車外部照明應(yīng)用提供了出色的解決方案，以滿足能效、重量和空間的需求。
P.LEO絕緣系統(tǒng)為磁元件企業(yè)助力導(dǎo)航

通過UL絕緣系統(tǒng)認證的產(chǎn)品，安全性能更具保證，許多消費者和購買單位在選擇電子變壓器、電機等制成品時，都會將其是否通過絕緣系統(tǒng)認證作為重要參考標(biāo)準(zhǔn)。

英飛凌、川土微電子、安世半導(dǎo)體帶來新款驅(qū)動器

英飛凌帶來緊湊型單通道隔離柵極驅(qū)動器；川土微電子發(fā)布集成DMOS的三相無刷電機驅(qū)動器；安世半導(dǎo)體推出符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的12通道、40 V高邊LED驅(qū)動器。
PV2700：解鎖IT2700的百通道測試潛能，打造高效智能測試體驗
第一個？國產(chǎn)224G高速產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)！

國產(chǎn)單通道224G高速通信線實現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)，標(biāo)志國內(nèi)高端通信領(lǐng)域的突破！448G技術(shù)路線逐步清晰，研發(fā)加速！
瑞薩電子、圣邦微等半導(dǎo)體廠商新品盤點

近期，半導(dǎo)體頭部大廠發(fā)布多款新品，其中瑞薩電子、圣邦微電子和思瑞浦推出的新品包括低功耗MCU、高精度電源監(jiān)控芯片和48V、8通道智能低邊驅(qū)動器陣列，產(chǎn)品應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、工業(yè)驅(qū)動控制等領(lǐng)域。
如何監(jiān)測自動化測試儀和編碼器

在設(shè)計用于準(zhǔn)確監(jiān)測和控制重要電氣參數(shù)（包括電流、電壓和功率）的系統(tǒng)中，模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)使用同步采樣來監(jiān)測和控制電壓和電流。速度和精度是其中一些重要的參數(shù)，它們有助于更大限度提升信號鏈的性能。此外，通道密度更高的ADC有助于縮小電路板尺寸，并增加通過給定電路板傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量。
艾德克斯發(fā)布IT-N6300系列三通道直流電源，開啟測試新時代

艾德克斯榮幸推出全新IT-N6300系列三通道可編程直流電源，專為滿足多通道測試需求而設(shè)計。該系列包括經(jīng)濟型和高性能版，該系列提供經(jīng)濟型與高性能版，無論是科研、教育還是生產(chǎn)領(lǐng)域，IT-N6300都能在基礎(chǔ)測試與高精度測量之間提供高效、精準(zhǔn)的解決方案，助力提升工作效率與測試精準(zhǔn)度。

Vishay擴充其TrenchFETGen III P溝道功率MOSFET

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Vishay新款功率MOSFET將ThunderFET®技術(shù)的電壓擴至150V

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