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    新型器件采用 SO-8 封裝，具有 3.3 m（在 10 V 時(shí)）及 5.5 m（在 4.5 V 時(shí)）的優(yōu)異性能
    日前，Vishay Intertechnology， Inc. 日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。 

    現(xiàn)有的同類 SO-8 封裝器件額定電壓下導(dǎo)通電阻僅低至 24 m ，而Vishay的 Si7633DP 具有 3.3 m （在 10 V 時(shí)）及 5.5 m （在4.5 V 時(shí)）的超低導(dǎo)通電阻。這些值比最接近的同類 30-V 器件低 27%（在 10 V 時(shí)）和 28% （在4.5 V 時(shí)），比最接近的同類 25-V SO-8 器件分別低  28% 和 15%。30-V Si7135DP 的導(dǎo)通電阻為 3.9 m（在 10 V 時(shí)） 和  6.2 m（在4.5 V 時(shí)），比最接近的同類器件分別低 13% （在 10 V 時(shí)）和 19.5% （在4.5 V 時(shí)）。 

    這次推出的兩款 MOSFET均采用 PowerPAK® SO-8 封裝，可容許比其它 SO-8 封裝器件高 60% 的最大漏電流和高 75 % 的最大功率損耗。 

    這兩款新型器件可用作適配器切換開關(guān)，用于筆記本電腦及工業(yè)/通用系統(tǒng)中的負(fù)載切換應(yīng)用。適配器切換開關(guān)（在適配器/墻壁電源和電池電源間切換）一直處于導(dǎo)通狀態(tài)，消耗電流。Si7633DP 和Si7135DP的低導(dǎo)通電阻能耗低，節(jié)省電力并延長(zhǎng)兩次充電間的電池可用時(shí)間。
Vishay 還推出了采用 SO-8 封裝的 Si4459ADY 30-V p-通道 TrenchFET 功率 MOSFET。該器件具有 5 m（在 10 V 時(shí)）和 7.75 m（在4.5 V 時(shí)）的導(dǎo)通電阻。此次推出的所有器件 100% 通過 Rg 和 UIS 認(rèn)證，且不含鹵素。 

    目前，該新型Si7633DP和Si7135DP TrenchFET 功率 MOSFET可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。