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晶圓是生產(chǎn)制造IC的基本原材料。硅晶圓的生產(chǎn)過程通常是基于純凈度做到99.999%的純光伏材料，這種純硅需要被做成硅晶棒，歷經(jīng)照相制版、研磨、打磨拋光、切成片等程序流程，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒，隨后切成一片一片的、薄薄硅晶圓。

基于硅晶圓能夠生產(chǎn)加工制做成各種各樣電路元件，生產(chǎn)制造出有特殊電性功能的集成電路芯片產(chǎn)品。

晶圓劃片是整個芯片生產(chǎn)制造工藝流程中的一道不可或缺的工序。

晶圓劃片全過程中，因為強機械設(shè)備力的作用，晶圓邊緣非常容易發(fā)生微裂、崩邊和應(yīng)力集中點，晶圓表層也非常容易存有應(yīng)力遍布不均勻和損壞的狀況，這種缺陷是導(dǎo)致晶圓制造中造成很多滑移線、外延層錯、滑移位錯、微缺陷等二次缺陷及其晶圓、芯片易裂開的關(guān)鍵要素。

線切割加工工藝中，擺脫線鋸的搖晃、提升其穩(wěn)定性，對減少單晶硅片表層損傷(尤其是是表層較不光滑的缺陷)具有關(guān)鍵作用，挑選特性優(yōu)質(zhì)的線切割液是減少或防止這種問題的重要途徑。

切割液具備一些特性：

它會對制作工藝指標(biāo)影響較為大，主要是加工精度、高效率和表層的不光滑程度

它可降低硅晶圓切割設(shè)備發(fā)生生銹的問題。

它有優(yōu)良的低泡沫性能。

因為切割液能減少晶圓表層實際操作和機械設(shè)備地應(yīng)力，它有益于晶圓生產(chǎn)加工事后工藝流程的開展。

切割液有出色的潤濕性能和傳熱性能，能夠減少延性碎裂和刮傷，提升硅晶圓的良品率。

它能降低表層碎渣和表層金屬材料層殘余。

某公司開發(fā)設(shè)計的一款晶圓切割液，它的潤濕性和切割高效率，降低了脆性崩裂、刮痕、隱裂等問題，能提高硅晶圓的切割高效率和良品率。

工藝細節(jié)關(guān)鍵點要求：

使用軟水配置切割液;

水稀釋液15～25倍應(yīng)用;

長期使用的話，切割液的耗損量達到切割液總產(chǎn)量的1/3~1/2時，要立即加補原液或適度濃度值的新切削液;

參考配方：

70公斤去離子水+20公斤聚醚(表面活性劑)+5公斤聚乙二醇(表面活性劑)+3公斤炔醇(潤濕滲透劑)+0.2公斤封端聚醚(消泡劑)

75公斤去離子水+15公斤脂肪醇聚氧乙烯醚(表面活性劑)+5公斤聚丙二醇(表面活性劑)+5公斤炔醇聚氧乙烯醚(潤濕滲透劑)+0.2公斤封端聚醚(消泡劑)