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郭建軍認(rèn)為，目前MOS模塊是市面上比較熱門的氮化鎵碳化硅新材料的關(guān)鍵產(chǎn)品，為了做到更小的電阻，就要避免更多的單體，因此在規(guī)范化期間做到更高耐壓1200伏，1700伏則是它的優(yōu)勢(shì)。

SJ-MOSFET主要工藝

據(jù)郭建軍介紹，SJ-MOSFET 主要工藝 Multi-EPI 多次外延首先從為N- epi 生長(zhǎng)、然后分散至Boron粒子注入、最后形成循環(huán)多次迭代形成結(jié)構(gòu)、制作MOS表面結(jié)構(gòu)。

而SJ-MOSFET 主要工藝-Deep Trench 深溝槽首先是N- epi生長(zhǎng)、然后刻蝕深溝槽、再者生長(zhǎng)P型外延、最后才是制作MOS表面結(jié)構(gòu)。

MOSFET封測(cè)順序則是晶粒切割、晶粒黏貼、焊線、塑封、切割成型以及最終測(cè)試。

MOSFET IDM：

1) 在一定的脈沖寬度下，基于功率MOSFET的轉(zhuǎn)移工作特性或輸出特性的真正的單脈沖最大電流測(cè)量值。

2) 在一定的脈沖寬度下，基于瞬態(tài)的熱阻和最大結(jié)溫的計(jì)算值。

(3) IDM 最大漏極電流也由器件源極鍵合引線的熔斷電流決定。

防止LLC啟動(dòng)/短路，MOSFET直通的電路

郭建軍表示，推薦使用MOSFET 內(nèi)部快速恢復(fù)二極管，而例如 INF CFD2，則有成本高，未從源頭消除問(wèn)題的不足之處。

浪涌抑制電路

郭建軍對(duì)于浪涌抑制電路較為理想，他認(rèn)為它的優(yōu)勢(shì)在于GDT 小的技術(shù)電容不影響信號(hào)和系統(tǒng)連接;MOV 漏電流更小(MOV 理解為待機(jī)狀態(tài)，不是時(shí)刻都接入到母線中);開(kāi)關(guān)電源和白色家電產(chǎn)品延長(zhǎng)MOV 的壽命，提高系統(tǒng)可靠性。

車載充電機(jī)

結(jié)合今次新能源汽車主題，長(zhǎng)園維安第三代深溝槽工藝應(yīng)用于車載充電機(jī)上防浪涌防雷電路、有源PFC整流器、主功率、輔助電源+5V和+12V。

最后，SJ-MOS創(chuàng)新封裝優(yōu)勢(shì)在于無(wú)引腳封裝，低寄生電感還有助于最大限度地減少電磁干擾，尺寸更小，適合更高的功率密度產(chǎn)品，(3200VAC,100%測(cè)試)熱阻與普通TO-22—樣省去絕緣墊片和絕緣粒節(jié)省或者減小散熱片，半橋拓?fù)錈o(wú)需使用絕緣墊。