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汽車(chē)電子系統(tǒng)降壓型BUCK變換器的設(shè)計(jì)技巧
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汽車(chē)電子系統(tǒng)降壓型BUCK變換器的設(shè)計(jì)技巧

2012-07-17 11:27:08 來(lái)源:電子工程世界 點(diǎn)擊:1427

摘要:  目前高頻高效的DCDC 變換器在汽車(chē)電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來(lái)越多。

關(guān)鍵字:  系統(tǒng)降壓,BUCK變換器汽車(chē)電子

  目前高頻高效的DCDC 變換器在汽車(chē)電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來(lái)越多。

  高的開(kāi)關(guān)頻率可以使用較小的功率電感和輸出濾除電容,從而在整體上減小的系統(tǒng)的尺寸,提高系統(tǒng)的緊湊性,并降低系統(tǒng)的成本;高的工作效率可以提高汽車(chē)電池的使用時(shí)間,降低系統(tǒng)的功率損耗,從而減小系統(tǒng)的發(fā)熱量,優(yōu)化系統(tǒng)的熱設(shè)計(jì),并進(jìn)一步提高系統(tǒng)的可靠性。

  但高的開(kāi)關(guān)頻率會(huì)降低系統(tǒng)的工作效率,因此在設(shè)計(jì)時(shí)必須在開(kāi)關(guān)頻率和工作效率之間作一些折衷處理。本文主要針對(duì)DCDC 降壓型BUCK 變換器應(yīng)用于汽車(chē)電子系統(tǒng)時(shí),探討包括上述問(wèn)題在內(nèi)的一些設(shè)計(jì)技藝和注意事項(xiàng),而且這些問(wèn)題往往是工程現(xiàn)在設(shè)計(jì)時(shí)容易忽略的細(xì)節(jié)。

  1 實(shí)際的最小及最大輸入工作電壓

  1.1 開(kāi)關(guān)頻率

  開(kāi)關(guān)頻率必須在效率,元件的尺寸,最小的輸入與輸出電壓差,最大輸入電壓之間進(jìn)行折衷處理。高的開(kāi)關(guān)頻率可以減小電感和電容的值,因此可以使用較小體積和尺寸的電感和電容,并降低成本。但高的開(kāi)關(guān)頻率會(huì)降低效率,并降低實(shí)際的最大的工作輸入電壓,以及要求更高的輸入輸出電壓差。

  最高的開(kāi)關(guān)頻率可以由下式計(jì)算:

  

  其中: f S(MAX )為最大的開(kāi)關(guān)頻率,tON(MIN) 為開(kāi)關(guān)管要求的最小的導(dǎo)通時(shí)間, VD 為續(xù)流二極管的正向壓降, VOUT 為輸出電壓, VIN 為正常工作的輸入電壓, VDS (ON ) 為開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通壓降。

  上式表明: t ON(MIN) 一定時(shí),低的占空比要求更低的開(kāi)關(guān)頻率才能保證系統(tǒng)安全的操作。同樣的,低的開(kāi)關(guān)頻率允許更低的輸入輸出電壓差。

  輸入電壓依賴(lài)于開(kāi)關(guān)頻率的主要原因在于PWM控制器的具有最小的開(kāi)通t ON(MIN) 和最小關(guān)斷時(shí)間 t OFF(MIN) 。如果其取值為150ns,也就是說(shuō)開(kāi)關(guān)管開(kāi)通時(shí)導(dǎo)通時(shí)間至少要持續(xù)150ns , 低于150ns 可能導(dǎo)致MOSFET無(wú)法正常的開(kāi)啟;同樣的,開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)關(guān)斷的時(shí)間至少要持續(xù)150ns,低于150ns可能導(dǎo)致MOSFET無(wú)法正常的關(guān)斷。這意味著最小的占空比和最大的占空比為:

  

  上式表明:開(kāi)關(guān)頻率降低時(shí)占空比的范圍增加,優(yōu)化的開(kāi)關(guān)頻率必須保證系統(tǒng)具有足夠的輸入工作電壓范圍,同時(shí)使電感和電容盡量的小。

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  1.2 實(shí)際的最大輸入工作電壓

  通常芯片的輸入電壓有一定額定的工作電壓范圍,除了額定的工作電壓的限制,實(shí)際的輸入工作電壓還要受到其它一些條件的限制。最小的實(shí)際輸入工作電壓通常由最大的占空比來(lái)決定。BUCK 變換器的占空比為:

  

  在輸入電壓最高時(shí),占空比最小。最大的實(shí)際輸入工作電壓由PWM控制器最小的占空比決定:

  

  如果輸出在起動(dòng)或短路的工作條件下,輸入的電壓必須低于以下的計(jì)算結(jié)果:

  

  由此可知:低的開(kāi)關(guān)頻率可以在更高的輸入電壓時(shí)安全的操作。最短導(dǎo)通時(shí)間 t ON(MIN) 是每個(gè)控制器能夠接通高端MOSFET的最短持續(xù)時(shí)間。它由內(nèi)部定時(shí)延遲以及接通高端MOSFET所需要的柵極電荷量決定。低占空比的應(yīng)用可以接近該最短導(dǎo)通時(shí)間限制,并應(yīng)注意確保:

  

  如果輸出的電壓處于調(diào)節(jié)的狀態(tài),系統(tǒng)也不是起動(dòng)和短路狀況,輸入電壓大于允許的實(shí)際最大輸入工作電壓,系統(tǒng)仍然可以工作,而與工作頻率無(wú)關(guān)。在這種狀況下,占空比降到最短接通時(shí)間能調(diào)節(jié)的水平以下,控制器將開(kāi)始進(jìn)入跳脈沖工作方式,即一些脈沖將被跳掉以維持輸出電壓的調(diào)節(jié),此時(shí)輸出的電壓和電流紋波比正常工作狀態(tài)時(shí)輸出的電壓和電流紋波大。

  通常,當(dāng)峰值檢測(cè)電壓下降時(shí), 每個(gè)控制器的最短接通時(shí)間將逐步增加,如在輕負(fù)載條件下,最短接通時(shí)間將逐步增加,在具有低紋波電流的強(qiáng)制連續(xù)操作應(yīng)用中這一點(diǎn)特別重要,在這種情況下占空比降至最短接通時(shí)間限制以下,就會(huì)發(fā)生明顯的跳脈沖現(xiàn)象,電流和電壓的紋波會(huì)明顯的的增加。另外,電感的飽和電流通常取輸出電流的1.3倍以上,對(duì)于一些惡劣的工作條件如起動(dòng)和輸出短路以及高的輸入電壓,電感的飽和電流必須取更大的值,以保證系統(tǒng)安全的工作。

  通常開(kāi)關(guān)頻率是固定,但是一些使用外部電阻設(shè)置開(kāi)關(guān)頻率的同步BUCK 控制器可以加一個(gè)穩(wěn)壓管Z1 和限流電流R1 實(shí)現(xiàn)在輸入電壓增加時(shí),降低開(kāi)關(guān)頻率,從而擴(kuò)大輸入電壓的范圍,如圖1 所示。

  

  圖1:高輸入電壓時(shí)降頻工作電路

  這個(gè)電路帶來(lái)的問(wèn)題時(shí),在高輸入電壓時(shí),由于頻率降低,而電感值又一定,所以輸出的電流和電壓紋波增加。頻率在較寬的范圍內(nèi)變化,電感無(wú)法優(yōu)化的工作,環(huán)路的補(bǔ)償無(wú)法優(yōu)化。通過(guò)增加穩(wěn)壓管Z2 和限流電流R2 來(lái)設(shè)定系統(tǒng)的最低工作頻率,從而限制頻率變化的范圍。

  1.3 實(shí)際的最小的輸入工作電壓

  在輸入電壓最低時(shí),占空比最大。使用同步BUCK 控制器,最小的實(shí)際輸入工作電壓由PWM 控制器最大的占空比決定:

  

汽車(chē)電子系統(tǒng)降壓型BUCK變換器的設(shè)計(jì)技巧

  最小工作電壓與最小關(guān)斷時(shí)間 t OFF(MIN) 的關(guān)系為:

  

汽車(chē)電子系統(tǒng)降壓型BUCK變換器的設(shè)計(jì)技巧

  由上式可知: t OFF(MIN)一定時(shí),高的開(kāi)關(guān)頻率將增加實(shí)際的最小的輸入工作電壓。若要更低的輸入工作的電壓,可以使用低的開(kāi)關(guān)頻率。在一些同步BUCK 控制器中,當(dāng)輸入和輸出的壓差降低到一定的值時(shí),系統(tǒng)將進(jìn)入占空比為100%的全導(dǎo)通或LDO 控制方式。

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  2 瞬態(tài)最大峰值輸入電壓

  隨著電池供電設(shè)備越來(lái)越多進(jìn)入移動(dòng)應(yīng)用領(lǐng)域,人們使用汽車(chē)的點(diǎn)煙器接通電源以使電池組在汽車(chē)行駛期間儲(chǔ)存電能甚至再充電。但接通前,注意:在接通到極惡劣的電源上,汽車(chē)內(nèi)的主電源電纜產(chǎn)生一些潛在的瞬變,包括負(fù)載突降及電壓電壓倍增。負(fù)載突降是電池電纜松動(dòng)的結(jié)果。當(dāng)電纜連接中斷時(shí),交流發(fā)電機(jī)中的磁場(chǎng)會(huì)會(huì)產(chǎn)生一個(gè)高達(dá)60V 的正尖峰電壓,它能在幾百毫秒中衰變。電池電壓倍增是24V跳躍式起動(dòng)時(shí)性能比12V 更快讓冷車(chē)發(fā)動(dòng)的結(jié)果。

  圖2 是保護(hù)DCDC 轉(zhuǎn)換器不受汽車(chē)電源線(xiàn)損壞的最簡(jiǎn)單直接的方法。

  瞬態(tài)抑制器在負(fù)載突降期間對(duì)輸入電壓進(jìn)行箝位。注意:瞬態(tài)抑制器不應(yīng)在雙倍電池電壓操作時(shí)導(dǎo)通,但仍必須將輸入電壓箝位在轉(zhuǎn)換器的擊穿電壓之下。

  

  圖2:輸入TVS 保護(hù)電路

  陶瓷電容的尺寸小,阻抗低,工作的溫度范圍寬,很適合應(yīng)用汽車(chē)電子中BUCK 變換器的輸入端旁路電容。但是在BUCK 變換器的輸入端插入工作的電源時(shí),即熱插入,如汽車(chē)的點(diǎn)煙器,這些陶瓷電容會(huì)產(chǎn)生應(yīng)用的問(wèn)題:低損耗的陶瓷電容與連接線(xiàn)的雜散電感由低阻抗的電源形成欠阻尼諧振環(huán),產(chǎn)生振蕩,在BUCK 變換器的輸入端產(chǎn)生二倍的輸入電源電壓的尖峰,從而超過(guò)BUCK 變換器的輸入端允許的額定電壓,損壞器件。在這種工作條件下,必須設(shè)計(jì)輸入的吸收網(wǎng)絡(luò)阻止輸入電壓的過(guò)沖尖峰。下面的的波形展示了BUCK 變換器由一根6 英尺的雙絞線(xiàn)連接到24V 電源時(shí)的波形。圖3 是輸入僅加4.7uF 陶瓷電容的響應(yīng)。輸入電壓的振鈴的峰值為50V,輸入電流的峰值為26A。

  

  圖3:輸入僅加4.7uF陶瓷電容的響應(yīng)

  使用阻尼振蕩可以降低峰值的電壓,形成阻尼振蕩有二個(gè)方法:①輸入的陶瓷電容增加一個(gè)串聯(lián)電阻;②使用電解電容。鋁電解電容有高的ESR,可以形成阻尼,減小振蕩的過(guò)沖;其電容可以濾除低頻的紋波,此外,對(duì)系統(tǒng)的效率稍有提高。只是其體積相對(duì)較大。圖4為一個(gè)22uF的電解電容和一個(gè)4.7uF的陶瓷電容并聯(lián)加在輸入端時(shí)的響應(yīng),陶瓷電容濾除高頻紋波。輸入電壓的峰值明顯降低。

  

  圖4:輸入為22uF電解電容并聯(lián)4.7uF陶瓷電容的響應(yīng)

  在輸入端加一個(gè)0.7歐姆的串聯(lián)電阻也可以減小電壓過(guò)沖,同時(shí)減小峰值的電流,0.1uF小的陶瓷電容濾除高頻紋波。如圖5(a)所示。

  與電解電容方法相比,這種方法體積小成本低,在高的輸入電壓時(shí)對(duì)系統(tǒng)的效率影響并不大。但輸入電壓相對(duì)較低時(shí),系統(tǒng)的效率略有降低。

  

  (a)

  

  (b)

  圖5:輸入加串聯(lián)電阻的響應(yīng)

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  3 散熱設(shè)計(jì)

  功率MOSFET 選擇標(biāo)準(zhǔn)中包含導(dǎo)通電阻 R DS (ON ) ,密勒電容C MILLER ,輸入電壓和最大電壓和最大輸出電流。CMILLER 可由MOSFET 的產(chǎn)品數(shù)據(jù)手則給出的柵極充電曲線(xiàn)近似求出。C MILLER 等于柵極電荷沿橫軸的增加,而曲線(xiàn)大約由VDS 的規(guī)定變化水平分割,然后由此結(jié)果與應(yīng)用中施加的VDS 和柵極的充電曲線(xiàn)規(guī)定VDS 比值相乘。工作CCM 時(shí)高端和低端的MOSFET 占空經(jīng)由下式給出:

  主開(kāi)關(guān)管占空比:D = VOUT /VIN。

  同步開(kāi)關(guān)管占空比:V IN -VOUT /VIN 。

  最大輸出電流條件下MOSFET 的功耗由下式給出:

  

  式中:δ是R DS (ON ) 的溫度系數(shù), R DR約為4 歐姆,是在MOSFET 密勒門(mén)限電壓條件下有效驅(qū)動(dòng)電阻, V THMIN是典型的MOSFET 的最小門(mén)限電壓。

  兩個(gè)MOSFET 均具有I2R 損耗,而高端N 溝道的公式中包含一個(gè)用于計(jì)算轉(zhuǎn)換損耗的附加項(xiàng),這在高輸入電壓條件最大。當(dāng)VIN<20V時(shí)采用較大的MOSFET 通??商岣叽箅娏鞯男剩?dāng)VIN>20V 時(shí)轉(zhuǎn)換損耗迅速增加。這時(shí)采用具有較高 R DS (ON )器件和較低 C MILLER實(shí)際上可提供更高的效率。同步MOSFET 在高輸入電壓下,當(dāng)高端工作于低占空比時(shí)或短路期間,同步管接近100%時(shí)間里處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),此時(shí)損耗最大。1+δ 項(xiàng)通常以一個(gè)歸一化的 R DS (ON ) 與溫度的關(guān)系曲線(xiàn)形式提供給MOSFET,但對(duì)于低壓MOSFET,δ =0.005/℃可被用作一個(gè)近似值。

  肖特基二極管在兩個(gè)功率MOSFET 導(dǎo)通期間的死區(qū)導(dǎo)通,可以防止低端MOSFET 的體內(nèi)二極管導(dǎo)通,在死區(qū)時(shí)間儲(chǔ)存電荷,形成反向恢復(fù)。在高VIN 條件下會(huì)導(dǎo)致效率減小至少3%。由于流過(guò)的平均電流相對(duì)較小,因此采用1 或3A 的肖特基二極管是一個(gè)較好的方案。

  較大的二極管因其具有的結(jié)電容較大故會(huì)產(chǎn)生額外的轉(zhuǎn)換損耗。

  效率與芯片的最高工作溫度相關(guān)。汽車(chē)電子所用的芯片通常為I或H級(jí),對(duì)于I級(jí),芯片的結(jié)溫必須小于125°C,對(duì)于H級(jí),芯片的結(jié)溫必須小于150°C。對(duì)于許多單芯片的BUCK控制器,在低的環(huán)境溫度下,結(jié)溫一般不是問(wèn)題。但對(duì)于I級(jí),環(huán)境溫度高于85°C時(shí),必須小心仔細(xì)的進(jìn)行電路的設(shè)計(jì)以保證芯片能夠充分的散熱。對(duì)于H級(jí),環(huán)境溫度高于125°C時(shí),必須對(duì)最大的允許工作電流進(jìn)行降額設(shè)計(jì)。

  結(jié)溫通過(guò)芯片的功率損耗乘以結(jié)到環(huán)境的熱阻Rja進(jìn)行計(jì)算。滿(mǎn)載時(shí)芯片的溫升幾乎完全不依賴(lài)于輸入電壓,不加散熱器時(shí),熱阻取決于PCB的設(shè)計(jì)。在單芯片底部通常有一個(gè)裸露的襯墊,因此設(shè)計(jì)PCB時(shí)必須在對(duì)應(yīng)的位置也相應(yīng)的制作這樣的一個(gè)大銅皮焊盤(pán),同時(shí)這個(gè)大焊盤(pán)通過(guò)一些過(guò)孔連接到其它的地層平面,以利于散熱。

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  4 輸入短路和反接保護(hù)

  如果電感的飽和電流足夠大,BUCK控制器短路時(shí)由于具有短路保護(hù)功能,因此不會(huì)產(chǎn)生損壞。在一些電池充電系統(tǒng)中以及用電池作備份的系統(tǒng)中,電池以及其它的一些電源通過(guò)二極管以“與”的形式一起共同連接到BUCK控制器的輸出端時(shí),當(dāng)BUCK控制器輸入端斷開(kāi)時(shí),輸出端仍有高的電壓。注意到BUCK控制器通常有一個(gè)/SHDN管腳到控制系統(tǒng)的工作與關(guān)斷,低電平有效,通常以作SS軟起動(dòng)功能。一般此管腳通過(guò)一個(gè)電阻或直接連接到輸入端。當(dāng)輸入端浮空時(shí),輸出電壓通過(guò)電感,內(nèi)部高端的MOSFET反向并聯(lián)寄生二極管到輸入端,/SHDN管腳為高電平,這樣,BUCK控制器內(nèi)部的電路通過(guò)電感從輸出電壓吸取幾個(gè)毫安的靜態(tài)的工作電流,影響電池的使用時(shí)間。當(dāng)然如果/SHDN管腳為低電平,則此靜態(tài)的工作電流為0。如果輸入短路,輸出電壓通過(guò)電感,內(nèi)部高端的MOSFET反向并聯(lián)寄生二極管到輸入端,從而導(dǎo)致輸出電壓也短路,這樣電池將會(huì)快速的放電。下圖就是防止電池在輸入短路狀況下反向放電的保護(hù)電路,D4也防止輸入的反接,只有在有輸入電壓里系統(tǒng)才工作。

  

  圖6:防止輸入短路時(shí)輸出備份電池反向放電電路

  結(jié)論

  1 合適的開(kāi)關(guān)頻率可以保證系統(tǒng)具有足夠的輸入工作電壓范圍,同時(shí)使電感和電容的尺寸和體積最小。

  2 實(shí)際最大的輸入工作電壓由MOSFET所要求的最短導(dǎo)通時(shí)間決定,實(shí)際最小的輸入工作電壓由MOSFET所要求的最短關(guān)斷時(shí)間決定。

  3 必須抑制輸入瞬態(tài)電壓,檢查散熱設(shè)計(jì),增加輸入短路和反接保護(hù)電路才能保證系統(tǒng)的安全工作。

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