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3月17日，比亞迪召開超級e平臺技術發(fā)布會。此次發(fā)布的核心亮點包括全新一代1500V碳化硅(SiC)功率模塊的量產(chǎn)應用、兆瓦閃充及3萬轉(zhuǎn)電機的推出等，推動電車邁入千伏時代。

新時代：

兆瓦級閃充與3萬轉(zhuǎn)電驅(qū)系統(tǒng)

此次發(fā)布會，比亞迪開創(chuàng)了全球新能源汽車高壓架構的新紀元：

兆瓦閃充系統(tǒng)的推出，重新定義電車的充電體驗：最大輸出電壓1000V、最大電流1000A、最大功率1000kW，充電效率突破行業(yè)極限。

兆瓦閃充 圖/比亞迪汽車

全球首款量產(chǎn)3萬轉(zhuǎn)電機發(fā)布，展現(xiàn)了其在電機技術領域的絕對領先：單模塊最大功率580kW，峰值扭矩5500Nm，最高轉(zhuǎn)速30511rpm，功率密度達16.4kW/kg。

3萬轉(zhuǎn)電機 圖/比亞迪汽車

另外，為支撐兆瓦級閃充系統(tǒng)與3萬轉(zhuǎn)電驅(qū)系統(tǒng)的高效運行，比亞迪自研1500V SiC 芯片，實現(xiàn)全球首次量產(chǎn)最高耐壓SiC芯片應用。

以上超級e平臺創(chuàng)新技術的發(fā)布，標志著比亞迪在核心三電系統(tǒng)實現(xiàn)了全面升級，成為全球首個量產(chǎn)乘用車“全域千伏高壓架構”的品牌。

SiC功率模塊：

千伏平臺的基石

1000V高壓平臺對車規(guī)級功率半導體行業(yè)帶來了深遠影響。

SiC(碳化硅)作為第三代寬禁帶半導體材料，在功率密度、熱管理、載流能力和耐用性能等方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢，并且已經(jīng)在市場應用中積累了相當?shù)慕?jīng)驗。

這些優(yōu)勢正是比亞迪選擇開發(fā)SiC功率模塊用于1000V高壓平臺的主要原因。

1500V SiC 功率芯片 圖/比亞迪汽車

比亞迪此次推出的1500V SiC 功率芯片，采用雙面銀燒結工藝、高溫封裝技術、對稱晶圓布局及激光焊接工藝，結溫耐受能力達200°C，雜散電感降至5nH，峰值電流可達1000A，成為行業(yè)首次量產(chǎn)應用的、最高電壓等級的車規(guī)級碳化硅功率芯片。

布局SiC模塊：

士蘭微、斯達半導等加速行動

隨著技術迭代和成本下降，SiC功率模塊正實現(xiàn)廣闊的應用。據(jù)TrendForce集邦咨詢最新顯示，預估2028年全球SiC功率器件市場規(guī)模有望達到91.7億美元(約648億人民幣)。

面對這一龐大市場，國內(nèi)功率模塊廠商正快速卡位 ：

士蘭微：其8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目(一期)工程已封頂，年產(chǎn)能將達42萬片。目前，士蘭微的1200V 車規(guī)級SiC功率模塊已實現(xiàn)交付使用。

圖/士蘭微

斯達半導：重慶車規(guī)級模塊生產(chǎn)基地項目正在推進。項目建成后年產(chǎn)能將達180萬片，其中包含車規(guī)級SiC模塊。此外，其1200V高壓平臺技術已進入批量應用階段。

三安光電：8英寸SiC功率器件合資廠已投產(chǎn)，規(guī)劃年產(chǎn)能48萬片。目前產(chǎn)能500片/周。

其他廠商：如華潤微、南瑞半導體等也已推出車規(guī)級1200V SiC功率模塊。

目前，新能源汽車領域在SiC功率模塊市場中占據(jù)重要地位，1200V SiC功率模塊已得到眾多廠商的廣泛布局。

未來，隨著千伏電車平臺的普及，盡管1200V SiC功率模塊仍能適用，但在某些極端條件和高效率需求的場景下，可能需要更高耐壓等級的器件。

比亞迪認為，在輸出電壓達到1000V的平臺下，功率模塊半橋的耐壓需達到1500V。

因此，車規(guī)級SiC功率模塊的耐壓要求可能進一步提升至1500V甚至2000V以上。相關廠商提前做好技術規(guī)劃和產(chǎn)品儲備顯得尤為重要。

小結

比亞迪超級e平臺的發(fā)布不僅是一次技術突破，更是中國在高壓電氣時代搶占先機的標志。技術迭代與應用創(chuàng)新成為推動產(chǎn)業(yè)升級的核心動力。

未來，隨著技術迭代和成本下降，SiC功率模塊有望在新能源汽車、光伏逆變器、儲能等領域?qū)崿F(xiàn)更廣泛的應用，而中國企業(yè)在全球功率半導體市場的競爭力也將進一步提升，從“跟跑”實現(xiàn)“領跑”。