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當前，電動汽車作為新能源汽車的最重要載體和代表，逐漸成為消費者選擇的主流。

電動汽車的銷量提升對于終端消費市場的不斷滲透，也帶動了功率器件和模塊需求的快速增長，特別是對于 MOSFET和IGBT(包括單管及模組)部分。

據(jù)貝殼投研數(shù)據(jù)，2021年中國車規(guī)級IGBT市場規(guī)模為47.8億元，預計到2025年，其將達到151.6億元。另據(jù)芯謀研究數(shù)據(jù)，2021年和2025年中國車規(guī)MOSFET的市場規(guī)模分別約為73.5億元和122.5億元。

電動汽車一般包括純電動、插電混動、混動(中混和強混)等。在此類汽車上，電機驅(qū)動、照明、熱管理、電動汽車主驅(qū)逆變器、DC/DC、升壓器和OBC(車載充電器)等產(chǎn)品將依據(jù)各自的工作功率大小，選擇不同的功率半導體器件。

目前，高、中、低壓硅基MOSFET、IGBT和SiC MOSFET均在電動汽車內(nèi)有廣泛使用。

圖：功率半導體在電動汽車上的應用

據(jù)半導體行業(yè)縱橫數(shù)據(jù)，混動和純電動汽車上功率半導體價值量分別占單車半導體總價值的40%和55%。另外據(jù)英飛凌統(tǒng)計數(shù)據(jù)，純電動汽車半導體價值量預估在1000美元左右，而車載功率半導體則達到550-600美元左右。

隨著汽車對于電動化、高壓化等需求的逐步滲透，整車動力電池電壓平臺逐漸從現(xiàn)有的400V升級到800V系統(tǒng)，以滿足消費者對電動汽車的長續(xù)航、快速充電等需求。這也對功率半導體的性能參數(shù)提出了更高的要求，因此中高壓功率器件如SJ MOSFET、IGBT和碳化硅MOSFET將會在車端得到大量應用，且其單車價值量有望繼續(xù)提升。

我們可以預測，隨著電動汽車銷量穩(wěn)健增長，最先獲益的功率半導體有望是當前具代表性的器件——硅基MOSFET、IGBT以及碳化硅。

另外，根據(jù)汽車不同的系統(tǒng)應用，通常會選用不同規(guī)格的功率半導體分立器件和模塊。而在眾多種類中選型時，車載功率半導體成本和效率是最關鍵的兩大要素。一般需要考慮用合適的功率去匹配相對應的電壓和電流，再結(jié)合系統(tǒng)效率和成本最終設計出一套最優(yōu)方案。

由此可見，成本和效率將成為車載功率半導體廠商進行市場競爭的核心點。