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日前，SiC領(lǐng)導(dǎo)廠商之一安森美召開了2022安森美CEO在線新聞發(fā)布會，分享了其在SiC領(lǐng)域的最新進展，并預(yù)測未來3年SiC業(yè)務(wù)營收可達40億美元。

根據(jù)安森美公布的資料看，傳統(tǒng)內(nèi)燃機車，和沒有先進駕駛輔助系統(tǒng)(以下簡稱“ADAS”)的或者是初級的L1駕駛輔助系統(tǒng)，半導(dǎo)體價值量僅約50美金；微型混動，加上48 V的系統(tǒng)和變成L2或者是L2+ADAS，半導(dǎo)體價值量約280美金；而電動/混動汽車且搭配L4、L5自動駕駛，半導(dǎo)體價值量約1600美金。

隨著新能源汽車電壓平臺逐漸向800V平臺靠攏，這部分半導(dǎo)體價值也越來越多的體現(xiàn)在SiC芯片企業(yè)的業(yè)績當(dāng)中。

仍以安森美為例，2022年其汽車業(yè)務(wù)營收占比以達38%，SiC芯片的增長速度已超過其他部門，未來3年SiC芯片營收可達40億美元。

產(chǎn)能方面，安森美表示未來幾年內(nèi)75%—80%的資本支出將用于SiC產(chǎn)能擴張，整合去年收購的SiC廠商GTAT后，2022年已實現(xiàn)產(chǎn)能的2倍增長，預(yù)計年底將實現(xiàn)5倍的增長。2022年一季度已實現(xiàn)8英寸晶圓樣品試產(chǎn)，預(yù)計在2024年實現(xiàn)尺寸樣品的認(rèn)證，2025年能夠出出貨。

從安森美的一系列動作及對未來的預(yù)測看，其在SiC領(lǐng)域的野心之大可見一斑，國內(nèi)廠商是否能夠跟上？目前國內(nèi)廠商又有哪些新的動作？我們匯總部分廠商2022年三季度業(yè)績情況及其SiC產(chǎn)品和產(chǎn)能最新情況。

2022三季度國內(nèi)部分SiC廠商業(yè)績情況

SiC廠商產(chǎn)品與產(chǎn)能進展情況

SiC產(chǎn)品最新進展

時代電氣SiC產(chǎn)品方面布局了6寸SiC產(chǎn)線，規(guī)劃2.5萬片年SiC產(chǎn)能，SiC SBD及SiC Mosfet均實現(xiàn)650V-3300V覆蓋，產(chǎn)品矩陣豐富成熟度高，SiC模塊目前已進入新能源車車廠驗證環(huán)節(jié)，未來有望實現(xiàn)SiC業(yè)務(wù)放量。

三安光電對標(biāo)Wolfspeed，已形成長晶、襯底、外延、芯片制備、封裝的SiC全產(chǎn)業(yè)鏈布局。

SiC產(chǎn)品方面，9月2日，湖南三安發(fā)布了1200V SiC MOSFET系列新品，新品包含1200V80mΩ/20mΩ/16mΩ，均來自湖南三安自主可靠的6英寸全鏈整合平臺。

砷化鎵射頻產(chǎn)能已擴充到12,000片/月、光技術(shù)產(chǎn)能2,000片/月、湖南三安電力電子SiC產(chǎn)能6,000片/月、電力電子硅基GaN產(chǎn)能1,000片/月，由湖南三安半導(dǎo)體與理想汽車共同出資打造的理想汽車功率半導(dǎo)體研發(fā)及生產(chǎn)基地，在今年8月24日正式啟動建設(shè)，預(yù)計2022年內(nèi)竣工后進入設(shè)備安裝和調(diào)試階段，2023年上半年啟動樣品試制，2024年正式投產(chǎn)后預(yù)計產(chǎn)能將逐步提升并最終達到240萬只車用SiC半橋功率模塊的年產(chǎn)能。

湖南三安與一家主要從事新能源汽車業(yè)務(wù)公司的需方簽署戰(zhàn)略采購意向協(xié)議，承諾自2024-27年確保向湖南三安每年采購SiC芯片，協(xié)議金額基于2022年市場價格感知（包含2023年產(chǎn)生的研發(fā)業(yè)務(wù)需求）到2027年預(yù)估該金額總數(shù)為人民幣38億元（含稅）。

士蘭微SiC產(chǎn)品方面，SiC-MOSFET技術(shù)開發(fā)已完成，技術(shù)性能指標(biāo)已經(jīng)達到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進水平，主要可以用于驅(qū)動和控制電機的逆變器、車載DC/DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器(OBC)等。SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅(qū)功率模塊上，近期將向客戶送樣。

士蘭微還通過募集資金15億元向子公司士蘭明鎵增資進行SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)，目標(biāo)在今年年底達到月產(chǎn)2000片6英寸SiC芯片生產(chǎn)能力，項目達產(chǎn)后將實現(xiàn)年產(chǎn)12萬片SiC-MOSFET和年產(chǎn)2.4萬片SiC-SBD6寸晶圓產(chǎn)能。

斯達半導(dǎo)是全球前十IGBT模塊領(lǐng)軍廠商，專注IGBT/SiC模塊，是國內(nèi)最早做車規(guī)級SiC產(chǎn)品的企業(yè)之一，在2021年開展SiC芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目，2024年達產(chǎn)后預(yù)計將形成年產(chǎn)6萬片6英寸SiC芯片生產(chǎn)能力。2022年上半年，斯達半導(dǎo)應(yīng)用于乘用車主控制器的車規(guī)級SiC MOSFET模塊開始大批量裝車應(yīng)用，同時新增多個使用車規(guī)級SiC MOSFET模塊的800V系統(tǒng)的主電機控制器項目定點。

新潔能SiC產(chǎn)品已推出多個1200VSiCMOSFET樣品，目標(biāo)瞄準(zhǔn)汽車、光伏廣闊市場，產(chǎn)品已通過相關(guān)電性能測試評估及可靠性考核，綜合特性達到國際先進水平。

11月7日，新潔能公告對外投資，以自有資金人民幣2500萬元認(rèn)購常州臻晶22.96萬股，增資后持有常州臻晶11.11%股權(quán)。常州臻晶專業(yè)從事SiC液相法晶體研發(fā)及生產(chǎn)銷售，產(chǎn)品布局6-8英寸n型SiC襯底，應(yīng)用于新能源汽車、光伏、儲能等；6-8英寸p型SiC襯底，應(yīng)用于軌道交通、特高壓輸電等高壓場景；6-8英寸半絕緣SiC襯底，主要應(yīng)用領(lǐng)域為5G通訊等。臻晶6英寸產(chǎn)品預(yù)計于2023年下半年（6-9月）向客戶送樣，已與目標(biāo)客戶達成相關(guān)意向，8英寸產(chǎn)品預(yù)計2025年推出。同時，臻晶當(dāng)前已掌握高效n/p參雜、熱場實時監(jiān)控、多元活性助溶劑、固液界面穩(wěn)定技術(shù)等液相法核心技術(shù)，技術(shù)優(yōu)勢顯著。

天岳先進主要產(chǎn)品包括半絕緣型和導(dǎo)電型SiC襯底，6英寸導(dǎo)電型產(chǎn)品正在全球知名的電力電子領(lǐng)域客戶中進行驗證，并開始批量供貨。

目前，天岳先進已將濟南工廠的部分設(shè)備從生產(chǎn)半絕緣型產(chǎn)品向生產(chǎn)導(dǎo)電型產(chǎn)品轉(zhuǎn)換，正在建設(shè)的臨港工廠更是以導(dǎo)電型產(chǎn)品為主，濟南工廠將部分半絕緣產(chǎn)能調(diào)整為6寸導(dǎo)電襯底生產(chǎn)，目前已經(jīng)對部分客戶形成小批量供貨，上海臨港建設(shè)6寸導(dǎo)電型襯底產(chǎn)能，預(yù)計2026年100%達產(chǎn)，將新增產(chǎn)能約30萬片/年，并持續(xù)加大8寸導(dǎo)電型襯底產(chǎn)業(yè)化突破，在前期自主擴徑實現(xiàn)8寸產(chǎn)品研發(fā)成功的基礎(chǔ)上，加大技術(shù)和工藝突破，積極布局產(chǎn)業(yè)化。

2022年上半年，天岳先進通過了車規(guī)級IATF16949體系的認(rèn)證，7月21日，天岳先進簽訂了一份2023-2025年6英寸導(dǎo)電型SiC襯底產(chǎn)品供應(yīng)訂單，預(yù)計含稅銷售三年合計金額為人民幣13.93億元。

結(jié)語

2021年全球SiC芯片的市場規(guī)模為10.9億美元，預(yù)計到2027年將達到63億美元，年復(fù)合增長率超過34%，相比于硅基半導(dǎo)體，國內(nèi)廠商在SiC產(chǎn)品領(lǐng)域的技術(shù)差距其實要小得多，誰能最終成為國內(nèi)SiC領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者并實現(xiàn)SiC產(chǎn)品國產(chǎn)替代呢？