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針對存儲器來講，關(guān)鍵的技術(shù)指標只不過是速度、是不是為非易失性、功能損耗、成本費、體積、使用壽命等。已經(jīng)有很多存儲器類型的商品做出了各式各樣的努力，可是自始至終只能側(cè)重某一方面，而不能滿足全方位?；蛟S各位小伙伴們更為注重的是MRAM芯片的非易失性，這確實是很誘人的，畢竟它可以讓使用MRAM內(nèi)存的電腦上能夠像電視機或是收音機那般可以立刻運行。除開MRAM，現(xiàn)階段也有許多非易失性存儲器，其中包含各位小伙伴們更為了解的磁盤(電腦硬盤、軟盤)、Flash Memory(閃存)和EPROM。

作為內(nèi)存儲器而言，磁盤是肯定不好的，因為它的速率確實太慢了，雖然它的容量非常大。至于FLASH Memory中非常流行的Compact Flash.Secure Disk和Memory Stick則在使用壽命上徹底不符合內(nèi)存儲器的規(guī)定。一般Flash Memory在歷經(jīng)大概10000次讀寫周期之后便會損毀，而內(nèi)存儲器的讀寫能力是非常頻繁并且混亂的。如果強制將Flash Memory作為內(nèi)存儲器應(yīng)用，那么或許超負荷工作200個鐘頭就損毀了。當然閃存用以數(shù)碼照相機、MP3播放器等信息電器產(chǎn)品還是很適合的。最終便是EPROM，也就是各位小伙伴們電腦主板上的BIOS塊。它具備迅速的速率，可是體積和成本費都是讓人無法想象的，并且使用壽命也一般，也是不可以作為內(nèi)存儲器使用的。

MRAM工作的工作原理與硬盤驅(qū)動器相近，與在電腦硬盤上存儲數(shù)據(jù)一樣，數(shù)據(jù)以磁性的方章為根據(jù)，存儲為0或1。MRAM存儲的數(shù)據(jù)具備永久性，直至被外部的電磁場影響，才會更改這一磁性數(shù)據(jù)。因為運用磁性存儲數(shù)據(jù)，因此 MRAM在成本費上擁有非常大的減少。

MRAM芯片與閃存都歸屬于小規(guī)格芯片,所占的空間很小,存儲的密度也會伴隨著集成技術(shù)工藝的發(fā)展而增加。集成技術(shù)工藝已從亞微米工藝進入到納米工藝，所以MRAM存儲器的體積也會愈來愈小,存儲密度也會隨著提升。MRAM單元的功能損耗很低，存儲單元的工作電壓僅有閃存EEPROM的大概十分之一,并且關(guān)閉電源后儲存數(shù)據(jù)不需要耗費電量。

與現(xiàn)階段流行的DDR或者DDR2對比，MRAM存儲器的優(yōu)點仍然顯著。拋開讓人垂涎三尺的非易失性不談，僅在速率、功能損耗和體積上，MRAM存儲器也是有很大的優(yōu)點。