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存儲器是半導(dǎo)體的第一大細(xì)分領(lǐng)域;存儲器市場空間超過1200億美金。

集成電路占半導(dǎo)體的比例超過80 %，是最重要的，集成電路又可以分成邏輯電路、模擬電路、存儲器和微處理器四大類。根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)，主要?dú)w功于手機(jī)和云服務(wù)的強(qiáng)大需求及存儲器供應(yīng)商集中度的提高，2017年全世界存儲器價錢不斷飆升,存儲器市場規(guī)模高達(dá)1240億美金，正式變成半導(dǎo)體最大細(xì)分領(lǐng)域，占比高達(dá)30.1%。

現(xiàn)階段存儲器市場上流行的存儲器為DRAM存儲器和Fash閃存芯片，實(shí)際來講，2017年DRAM銷售總額為728 億美金，同比增長了74 %;NANDFash 銷售總額為492 億美金，同比增長了44 %;NORFash 約16 億美金，SRAM約3.6億美金。

半導(dǎo)體下游需求不斷，助推存儲器行業(yè)高提張;存儲器行業(yè)具有很強(qiáng)的周期性和高成長性，半導(dǎo)體下游新興應(yīng)用市場層出不窮，存儲器需求不斷。

2016年到現(xiàn)在，受到半導(dǎo)體下游服務(wù)器、手機(jī)、汽車電子產(chǎn)品等領(lǐng)域強(qiáng)大的需求驅(qū)動，三種存儲器都迎來了非常不錯的市場行情，銷售量不斷提高，我們預(yù)計(jì)2018 -2020年 DRAM/NAND/NOR下游需求復(fù)合增速各自達(dá)到20 %/40 %/20 %。其中，IDC爆發(fā)與消費(fèi)電子產(chǎn)品內(nèi)存升級，將會是DRAM發(fā)展最大的動能;SSD 和移動終端為NANDFash的主要需求來源，企業(yè)級SSD 有希望變成最大的驅(qū)動力;NOR傳統(tǒng)市場已經(jīng)觸底 ，AMOLED和TDDI 占有率的提高為NOR需求的主要驅(qū)動力。

存儲器行業(yè)已經(jīng)被巨頭壟斷，我國存儲器廠家急需在技術(shù)上有新的突破：存儲器行業(yè)DRAM/NAND/NOR的投入資金和技術(shù)門檻高，在經(jīng)歷產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，公司合并以后,現(xiàn)階段已經(jīng)呈現(xiàn)壟斷競爭格局。DRAM領(lǐng)域的三星、SK海力士和鎂光三足鼎立,CR3占比超過95%;NAND領(lǐng)域除開DRAM三巨頭外還有東芝和西部數(shù)據(jù)，CR5高達(dá)97 %;NOR領(lǐng)域則由鎂光、Cypress、旺宏、華邦電和兆易創(chuàng)新壟斷，CR5超過90%?，F(xiàn)階段來看，除開NORFash 有中國存儲器廠家的影子，別的領(lǐng)域大陸存儲器廠家均缺席，與海外的技術(shù)，經(jīng)營規(guī)模等差別很大，自主存儲器產(chǎn)品急需突破。

在多重利好因素疊加面前，我國存儲器行業(yè)終于迎來最好的發(fā)展時機(jī)：當(dāng)今我國IC 產(chǎn)品對外依賴程度高，國產(chǎn)替代空間極大，政府在現(xiàn)行政策、資金、稅收等方面給予全力支持，疊加半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國遷移大趨勢，我國存儲器行業(yè)迎來發(fā)展機(jī)遇?，F(xiàn)階段，在存儲器領(lǐng)域的中國公司已在全力追逐，形成長江存儲、合肥長鑫、福建晉華三大勢力，各自致力于NANDFash、DRAM和利基型DRAM。我們覺得隨著我國存儲器產(chǎn)品逐漸完善，我國存儲芯片將與國際領(lǐng)先的存儲器廠家的差距越來越小。多重利好因素疊加，我國存儲芯產(chǎn)業(yè)將進(jìn)到高速發(fā)展環(huán)節(jié)，國產(chǎn)替代非常有希望。