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我國存儲器可以突破外國的壟斷嗎?
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我國存儲器可以突破外國的壟斷嗎?

2019-12-09 10:03:36 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 點擊:1617

據(jù)報道,近日,中國半導(dǎo)體業(yè)要發(fā)展自身的存儲器,包含DRAM(存儲器)及3D NAND閃存。但是,針對我國存儲器業(yè)技術(shù)的來源難題,國外一直存有著質(zhì)疑。在國外的邏輯當(dāng)中,“技術(shù)務(wù)必向別人購買”。

我們都知道,外國并不希望我國可以獲得存儲器技術(shù),就好像之前紫光嘗試花230億美金收購美光等,但是沒有成功,迫不得已我國只有靠自己才能改變現(xiàn)在的情況。

存儲器芯片是電子技術(shù)的糧庫,數(shù)據(jù)信息的載體,事關(guān)數(shù)據(jù)信息的安全性,其市場容量充足,約占半導(dǎo)體材料整體銷售市場的三分之一。據(jù)調(diào)查,中國銷售市場消耗了全世界DRAM年產(chǎn)值的48%,耗費(fèi)了全世界NAND Flash產(chǎn)值的35%,年進(jìn)口總金額達(dá)到880億美金,依靠外國技術(shù)超出90%。

對我國生產(chǎn)商而言,中小型容量存儲芯片是在一個市場機(jī)遇。據(jù)業(yè)界預(yù)估,中小型容量存儲芯片市場容量將維持在120億-200億美金,其中低容量NAND有60億-100億美金,NOR約30億美金,低容量DRAM約70億美金,隨之物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)和移動智能終端的迅速發(fā)展,將不斷發(fā)展對中小型容量存儲芯片的要求,因而中國存儲器業(yè)能夠從這開始,站穩(wěn)腳了再向高容量存儲芯片邁入。

其中DRAM和3D NAND閃存是我國銷售市場需求量較大的芯片,因而該類關(guān)鍵技術(shù)沒辦法購買到。西方國家采用多種手段來欺負(fù)我國,例如美國將福建省晉華、華為手機(jī)等納入實體清單之中,阻攔中國發(fā)展和得到半導(dǎo)體技術(shù)。

存儲器業(yè)的特性是,它的設(shè)計方案并不會太難,如NAND閃存大部分有二種結(jié)構(gòu)特征,一種是Floating Gate浮柵式構(gòu)造,美光,intel選用,另一種是Charge Trap正電荷捕捉型構(gòu)造,在3D NAND閃存中變成主流的選擇,例如東芝、三星、SK Hynix以內(nèi)的閃存生產(chǎn)廠商通常挑選了Charge Trap構(gòu)造。

DRAM量產(chǎn)重點在于生產(chǎn)流水線的質(zhì)量管理及其不斷的項目投資,擴(kuò)張生產(chǎn)能力,最后以總數(shù)與價錢制勝。中國有巨大的銷售市場及其政府部門的集成電路基金的扶持,艱難取決于生產(chǎn)能力上坡速度,以及在存儲器的降低周期時間中可否繼續(xù)下去。

在二季度,DRAM層面,三星占45%市場份額,Hynix(海力士)占29%市場份額,以及在NAND閃存中,三星的市場占35%及Hynix的18%,從數(shù)據(jù)可以看出韓國壟斷全世界各類存儲器。這類局勢長期下來并不利產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。

結(jié)語:

雖然中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展道路不可能一帆風(fēng)順,將來還可能會經(jīng)歷一些坎坷,但是我們只要重視“學(xué)習(xí)曲線”的規(guī)律,我堅信中國半導(dǎo)體業(yè)最后一定可以獲得成功。

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