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導(dǎo)電膏塞孔是實(shí)現(xiàn)任意層互連的技術(shù)萬案之一，其雛形是松下的ALIVH (Any Lay 巳r Interstitial Via Hole)技術(shù)和東芝B2it (Buri巳d Bump Interconnection Technology)技術(shù)[1]。任意層互連技術(shù)發(fā)展的一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)是做孔化，即層與層之間通過 微孔進(jìn)行導(dǎo)通互連。微孔加工目前激光鉆孔技術(shù)可以實(shí)現(xiàn);而在做孔金屬化技術(shù)這塊，目前主要分三種：電鍍填孔、導(dǎo)電材料塞孔、銅凸塊[1]。其中，導(dǎo)電青互連技術(shù)由于其用導(dǎo)電青替代電鍍進(jìn)行填孔，不僅精細(xì)線路、高厚徑比等制作工藝難度降低，流程簡化;而且可以實(shí)現(xiàn)綠色生產(chǎn)，節(jié)省能源等特點(diǎn)，因此該技術(shù)具有廣闊的發(fā)展前景。

導(dǎo)電膏主要成分是銅、錫、環(huán)氧樹脂，因此導(dǎo)電率較電鍍銅差，其結(jié)合與導(dǎo)通機(jī)理區(qū)別于電鍍銅方式，主要是通過 高溫?zé)Y(jié)在焊盤表層形成銅錫合金互連[2]。文章通過實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)，評估了導(dǎo)電膏塞孔互連對于高速信號完整性的影響，同時(shí)評估了材料熱膨脹系數(shù)與多階盲孔設(shè)計(jì)可靠性問題，為該技術(shù)的推廣應(yīng)用提供技術(shù)參考。