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中科院博士為芯片內(nèi)大面積陣列化LED集成制造提供新方法
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中科院博士為芯片內(nèi)大面積陣列化LED集成制造提供新方法

2014-10-15 10:10:32 來源:互聯(lián)網(wǎng)

中國科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所醫(yī)用微納技術(shù)研究室郭振博士提出了一種新方法,通過梳理技術(shù)獲得了在p-gan層大面積水平排列、周期性分布的znomicrorod陣列(單個(gè)zno微米棒的直徑為2μm)。其研究為實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)大面積陣列化LED或者其他光電器件的集成制造提出了一種新的方法。相關(guān)成果已發(fā)表在德國wiley國際期刊small上。

近年來,微納米科學(xué)技術(shù)發(fā)展迅速,在產(chǎn)業(yè)化方面已經(jīng)取得了不少進(jìn)展。然而,實(shí)現(xiàn)高密度、規(guī)?;⒓{米結(jié)構(gòu)的批量操縱是實(shí)現(xiàn)芯片器件極具挑戰(zhàn)性的關(guān)鍵因素之一。眾所周知,利用光鑷技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)單個(gè)的微納米結(jié)構(gòu)操縱,然而大面積陣列的操縱是耗時(shí)的。實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)高密度、規(guī)?;痪S微納米陣列特定對(duì)準(zhǔn)取向制造是器件集成至關(guān)重要的挑戰(zhàn)。

氧化鋅(zno)作為一維微納米結(jié)構(gòu)家族中最出色的一員,是一種直接寬帶隙(3.3ev)半導(dǎo)體,其激子束縛能為60mev。它可應(yīng)用于激光發(fā)射單元,場發(fā)射晶體管,光子探測器和發(fā)電機(jī)。氧化鋅微納米結(jié)構(gòu)在室溫下可以用作高效穩(wěn)定的激子紫外(uv)輻射材料。直到現(xiàn)在,有少量的研究報(bào)道:通過限域生長、輸送氣體的流動(dòng)等可實(shí)現(xiàn)水平排列的微米納米結(jié)構(gòu)陣列的制備。然而,目前還沒有研究報(bào)告可實(shí)現(xiàn)p型氮化鎵(gan)上大面積zno微陣列在水平面內(nèi)設(shè)定方向、周期性分布的操縱,并利用微米結(jié)構(gòu)開發(fā)芯片內(nèi)LED器件的潛在的功能。

中國科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所醫(yī)用微納技術(shù)研究室郭振博士提出了一種新的方法:通過梳理技術(shù)獲得了在p-gan層大面積水平排列、周期性分布的znomicrorod陣列(單個(gè)zno微米棒的直徑為2μm),實(shí)現(xiàn)了bottomup方法制備的zno微米棒陣列從垂直到水平取向的轉(zhuǎn)變,在水平面內(nèi)實(shí)現(xiàn)了水平排列的zno微米陣列取向調(diào)制(θu03B8=90º或者45º),獲得了低密度水平排列的zno微米棒:其取向偏差角在0.3º到2.3º之間。利用氧化鋅的壓電和寬能帶隙半導(dǎo)體特性,制造了垂直和水平排列znomicrorod/p-gan異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管,獲得了點(diǎn)和線狀LED發(fā)光圖像。通過研究材料的壓電特性實(shí)現(xiàn)了LED發(fā)射顏色從紫外-藍(lán)色到黃綠色的調(diào)制(如圖)。其研究為實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)大面積陣列化LED或者其他光電器件的集成制造提出了一種新的方法。相關(guān)成果已發(fā)表在德國wiley國際期刊small上。

 

圖題:利用梳理技術(shù)實(shí)現(xiàn)了ZnO microrod從垂直到水平排列的轉(zhuǎn)變,基于垂直和水平排列的ZnO microrod / p -GaN異質(zhì)結(jié)LED獲得了不同的發(fā)射圖樣。

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