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聯(lián)電加盟IBM10奈米CMOS制程陣營(yíng)

2013-06-19 10:49:36 來(lái)源：大比特商務(wù)網(wǎng) 點(diǎn)擊：1980

摘要：晶圓代工大廠聯(lián)電(UMC)日前與IBM共同宣布，將再度聯(lián)手合作，共同開(kāi)發(fā)10奈米CMOS制程技術(shù)。聯(lián)電此次的加盟，延長(zhǎng)了雙方于2012年簽訂之14奈米FinFET合作協(xié)議。

關(guān)鍵字： CMOS，FinFET，聯(lián)華電子

晶圓代工大廠聯(lián)電(UMC)日前與IBM共同宣布，將再度聯(lián)手合作，共同開(kāi)發(fā)10奈米CMOS制程技術(shù)。聯(lián)電此次的加盟，延長(zhǎng)了雙方于2012年簽訂之14奈米FinFET合作協(xié)議。

聯(lián)華電子與IBM

聯(lián)電加入IBM技術(shù)開(kāi)發(fā)聯(lián)盟

擁有IBM的支援與know-how，聯(lián)電將可持續(xù)提升其內(nèi)部自行研發(fā)的14奈米FinFET技術(shù)，針對(duì)行動(dòng)運(yùn)算與通訊產(chǎn)品，提供富競(jìng)爭(zhēng)力的低耗電優(yōu)化技術(shù)。雙方計(jì)劃開(kāi)發(fā)10奈米CMOS制程基礎(chǔ)技術(shù)，以滿足聯(lián)電客戶的需求。聯(lián)電將指派工程團(tuán)隊(duì)加入位于美國(guó)紐約州阿爾巴尼(Albany，NewYork)的10奈米研發(fā)計(jì)劃，而聯(lián)電14奈米FinFET與10奈米未來(lái)的制造，則將于該公司位在臺(tái)灣南科的研發(fā)中心進(jìn)行。

IBM半導(dǎo)體研發(fā)副總GaryPatton表示：「IBM聯(lián)盟成立至今已逾十年，聯(lián)盟夥伴可整合運(yùn)用我們的專業(yè)知識(shí)，團(tuán)隊(duì)研究合作與創(chuàng)新的技術(shù)研發(fā)，藉此滿足對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)品與日俱增的需求。聯(lián)華電子的加入，將使聯(lián)盟的實(shí)力更加強(qiáng)大?！?/FONT>

聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)顏博文表示：「與IBM這樣的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者合作無(wú)疑可以吸取到豐富的經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)，而聯(lián)華電子也將貢獻(xiàn)我們多年來(lái)開(kāi)發(fā)高競(jìng)爭(zhēng)力制造技術(shù)所累積的經(jīng)驗(yàn)。聯(lián)華電子十分高興與IBM攜手開(kāi)拓先進(jìn)制程領(lǐng)域，以實(shí)現(xiàn)客戶次世代晶片設(shè)計(jì)的使命與承諾。我們期待與IBM密切合作，借重其深厚的技術(shù)專業(yè)，為聯(lián)華電子與我們的客戶締造雙贏?！?/FONT>

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CMOS FinFET 聯(lián)華電子

CMOS圖像傳感器為自動(dòng)駕駛汽車提供視覺(jué)感知

要實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)駕駛汽車，需要整合來(lái)自多種傳感器的信息，其中攝像頭的信息可能是最重要的。這些攝像頭必須能夠在各種條件下連續(xù)捕捉最微小的細(xì)節(jié)，以確保車輛乘客和其他道路使用者的安全。本文將探討在選擇圖像傳感器時(shí)需要注意的關(guān)鍵特性，以便為自動(dòng)駕駛汽車提供所需的出色功能組合。
納芯微推出高可靠、高精度和低功耗的溫濕度傳感器NSHT30

2023年5月10日，上海——納芯微今日宣布推出基于CMOS-MEMS的相對(duì)濕度(RH)和溫度傳感器NSHT30。
安森美的智能成像方案使道路更安全

隨著汽車中的高性能 CMOS 成像、激光雷達(dá)等智能感知配置的增加，汽車自動(dòng)駕駛水平在不斷提高，同時(shí)減少交通事故傷亡，提高道路安全性。領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi)提供全系列智能感知方案。
低壓全橋無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器

A1441是一種設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)低壓雙極無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)的全橋驅(qū)動(dòng)器，該器件采用高集成度雙極CMOS半導(dǎo)體工藝把霍爾元件和電動(dòng)機(jī)控制電路集成在一個(gè)單片上。
芯片發(fā)展逐漸逆襲如一哥格科微芯片

隨著全球芯片的局勢(shì)，國(guó)內(nèi)消費(fèi)者對(duì)芯片關(guān)注度越來(lái)越高，國(guó)產(chǎn)芯片企業(yè)也不例外，據(jù)2021年一季度數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)表示，我國(guó)的CMOS芯片一哥格科微已在全球CMOS芯片市場(chǎng)獲得第一名。
什么是JESD204標(biāo)準(zhǔn)，為什么我們要重視它?

JESD204接口可提供這種高效率，較之其前代互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)和低壓差分信號(hào)(LVDS)產(chǎn)品在速度、尺寸和成本方面更有優(yōu)勢(shì)。

Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術(shù)的硅片成功流片

高性能模擬、混合信號(hào)、處理知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)以及ASIC設(shè)計(jì)的行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商Dolphin Design，成功流片了首款包含最先進(jìn)音頻IP的12納米FinFet測(cè)試芯片，達(dá)到一個(gè)重要里程碑。
自我實(shí)現(xiàn)預(yù)言半導(dǎo)體行業(yè)革命還在繼續(xù)

在半導(dǎo)體性能創(chuàng)新方面，專家們正專注于三個(gè)方面：高級(jí)的新材料，比如石墨烯和取代硅的碳納米管;基于3D堆疊的半導(dǎo)體工藝技術(shù);結(jié)合存儲(chǔ)器和非存儲(chǔ)器芯片的單芯片方案。通過(guò)成功制造3D NAND閃存和14 nm的FINFET，三星電子已經(jīng)開(kāi)始新的探索。存儲(chǔ)器和非存儲(chǔ)器芯片之間的集成還在持續(xù)。
聯(lián)電完成14nm制程FinFET結(jié)構(gòu)晶體管芯片流片

在Synopsys 的協(xié)助下，臺(tái)灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測(cè)試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm 制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這次這款測(cè)試芯片完成流片設(shè)計(jì)則顯然向?qū)崿F(xiàn)這一目標(biāo)又邁進(jìn)了一步，當(dāng)然流片完成之后還需要對(duì)過(guò)程工藝等等項(xiàng)目進(jìn)行完善和改進(jìn)，還有大量工作要做。
Altera14奈米三閘極電晶體制程有望明年啟動(dòng)量產(chǎn)

Altera的14奈米(nm)三閘極電晶體(Tri-gate Transistor)制程可望于明年啟動(dòng)量產(chǎn)。面對(duì)賽靈思(Xilinx)即將于2014年采用臺(tái)積電16奈米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程，生產(chǎn)首批現(xiàn)場(chǎng)系統(tǒng)單晶片可編程閘陣列(SoC FPGA)，Altera亦不干示弱，于日前宣布將于2013年底前提供14奈米的SoC FPGA測(cè)試晶片，預(yù)計(jì)于2014年正式投產(chǎn)14奈米SoC FPGA
Xilinx與臺(tái)積公司合作采用16FinFET工藝聯(lián)手打造擁有最快上市最高性能優(yōu)勢(shì)的FPGA器件

近日，中國(guó)北京訊 — 賽靈思公司 (Xilinx， Inc. (NASDAQ:XLNX) )和臺(tái)積公司公司(TWSE: 2330， NYSE: TSM)今天共同宣布聯(lián)手推動(dòng)一項(xiàng)賽靈思稱之為“FinFast”的專項(xiàng)計(jì)劃，采用臺(tái)積公司先進(jìn)的16納米FinFET (16FinFET)工藝打造擁有最快上市、最高性能優(yōu)勢(shì)的FPGA器件。雙方分別投入所需的資源組成一支專屬團(tuán)隊(duì)，針對(duì)FinFET工藝和賽靈思Ul
臺(tái)積電安謀將擴(kuò)大納入Cortex A50系列

矽智財(cái)大廠英商安謀(ARM)及臺(tái)積電擴(kuò)大合作，安謀針對(duì)臺(tái)積電28納米HPM制程，推出以ARMv8指令集為架構(gòu)的Cortex-A57與Cortex-A53處理器優(yōu)化套件矽智財(cái)(POPIP)解決方案，并同時(shí)發(fā)布針對(duì)臺(tái)積電16納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)制程技術(shù)的POPIP產(chǎn)品藍(lán)圖。

五家晶圓代工廠商三季度報(bào)匯總

臺(tái)積電、聯(lián)華電子、中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體和世界先進(jìn)等晶圓代工廠商均已公布2022年第三季度業(yè)績(jī)報(bào)告。
智原和聯(lián)電發(fā)表28HPC(U) 12.5G SerDes PHY IP解決方案

聯(lián)華電子(UMC，TWSE: 2303)與 ASIC 設(shè)計(jì)服務(wù)暨 IP 研發(fā)銷售廠商智原科技(Faraday Technology Corporation，TWSE：3035)今日共同發(fā)表智原科技于聯(lián)電28奈米 HPC U 工藝的可編程12.5Gbps SerDes PHY IP 方案。此次智原成功推出的 SerDes PHY，為聯(lián)電28奈米 High-K / Metal Gate 后閘極技術(shù) 工藝平臺(tái)中一系列高速 I/O 解決方案的第一步。
UMC與AltoBeam攜手展示解調(diào)器ATBM7812

聯(lián)華電子(UMC)與高拓訊達(dá)(AltoBeam)共同宣布，高拓訊達(dá)推出了DVB-T2/DVB-T/DVB-C/DVB-S2/DVB-S解調(diào)器ATBM7812 ，以因應(yīng)采用這些標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)字電視市場(chǎng)需求。 ATBM7812采用聯(lián)華電子專利的12吋URAM嵌入式內(nèi)存技術(shù)，具備了更高的效能與更小的芯片尺寸。
AltoBeam聯(lián)合聯(lián)華電子發(fā)布多模式復(fù)合數(shù)字電視解調(diào)芯片

針對(duì)歐洲以及其它歐標(biāo)應(yīng)用地區(qū)的數(shù)字電視接收機(jī)市場(chǎng)，芯片制造商高拓訊達(dá)(AltoBeam)與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體晶圓廠聯(lián)華電子(UMC)聯(lián)合發(fā)布了高拓訊達(dá)的首款DVB多模式復(fù)合數(shù)字電視解調(diào)芯片ATBM7812。
中國(guó)高拓訊達(dá)聯(lián)合聯(lián)華電子達(dá)推出DVB-T2/T/C/S2/S解調(diào)器

聯(lián)華電子與數(shù)字電視解調(diào)器芯片設(shè)計(jì)公司高拓訊達(dá)(AltoBeam)日前共同宣布，高拓訊達(dá)推出了DVB-T2/T/C/S2/S解調(diào)器，以因應(yīng)采用這些標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)字電視市場(chǎng)需求。ATBM7812采用聯(lián)華電子12吋URAM嵌入式內(nèi)存技術(shù)專利，具備了更高的效能與更小的芯片尺寸。
聯(lián)華電子 (UMC) 28納米節(jié)點(diǎn)采用Cadence物理和電學(xué)制造性設(shè)計(jì)簽收解決方案

Cadence加速聯(lián)華電子客戶在可制造性設(shè)計(jì)流程中的光刻、CMP和LDE分析。

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