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三星發(fā)布首款14nm FinFET測試芯片
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三星發(fā)布首款14nm FinFET測試芯片

2012-12-25 11:39:09 來源:搜狐數(shù)碼 點擊:1984

摘要:  在確認將會在明年擴展芯片制造設備規(guī)模之后,三星公司又發(fā)布了該公司第一款14nmFinFET(鰭式場效晶體管)測試芯片。

關鍵字:  芯片,  晶體管,  硬件設備

12月25日消息,在確認將會在明年擴展芯片制造設備規(guī)模之后,三星公司又發(fā)布了該公司第一款14nmFinFET(鰭式場效晶體管)測試芯片。

這款芯片采用了全新的設計(同英特爾IvyBridge硬件設備上的Tri-Gate設計也不同)。同原有的設計相比,新的設計方案不但能更節(jié)能,而且可帶來較大的性能提升。電流泄露情況也將有顯著改善。

三星完成首款14nm FinFET芯片測試

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芯片 晶體管 硬件設備
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