Vishay大幅擴(kuò)充 E系列650V N溝道功率MOSFET家族
2013-06-05 11:52:09 來源:半導(dǎo)體器件應(yīng)用網(wǎng) 點(diǎn)擊:1306
摘要: 賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 6 月4 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,其E系列器件新增650V功率MOSFET。
關(guān)鍵字: MOSFET,Vishay,E系列器件
新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級(jí)結(jié)技術(shù),導(dǎo)通電阻低至30m、電流達(dá)6A~105A,在8種封裝中實(shí)現(xiàn)低FOM和高功率密度
這些22款新器件采用8種不同封裝,將10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到30mΩ~600mΩ,將最高電流等級(jí)擴(kuò)大為6A~105A。650V E系列MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超級(jí)結(jié)技術(shù),針對(duì)可再生能源、工業(yè)、照明、電信、消費(fèi)和計(jì)算市場(chǎng)中對(duì)輸入電壓安全裕量有額外要求的應(yīng)用,Vishay Siliconix拓展了器件的峰值性能指標(biāo)。
今天推出的器件使E系列的器件總數(shù)達(dá)到26個(gè)。所有E系列器件都具有超低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,可實(shí)現(xiàn)極低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗,可在功率因數(shù)校正、服務(wù)器和通信電源系統(tǒng)、焊接、不間斷電源(UPS)、電池充電器、LED照明、半導(dǎo)體制造設(shè)備、適配器和太陽(yáng)能逆變器等高功率、高性能開關(guān)電源中節(jié)省能源。
器件針對(duì)雪崩和通信模式中承受高能脈沖而設(shè)計(jì),通過100%的UIS測(cè)試確保極限性能。MOSFET符合RoHS。
器件規(guī)格表:
編號(hào)V(BR)DSS (V)ID @ 25C(A)RDS(ON) max.
@ Vgs = 10 V (m)Qg typ
@ Vgs = 10V (nC)封裝樣品
SiHP6N65E650660021TO220已發(fā)布
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SiHB6N65E650660021TO263 (D2PAK)已發(fā)布
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SiHP12N65E6501238033TO220可供貨
SiHB12N65E6501238033TO263 (D2PAK)可供貨
SiHF12N65E6501238033TO220F可供貨
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SiHB22N65E6502218065TO263 (D2PAK)已發(fā)布
SiHG22N65E6502218065TO247AC已發(fā)布
SiHP24N65E6502415083TO220已發(fā)布
SiHB24N65E6502415083TO263 (D2PAK)已發(fā)布
SiHG24N65E6502415083TO247AC已發(fā)布
SiHP28N65E6502812599TO220五月
SiHG28N65E6502812599TO247AC五月
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SiHG47N65E6504770178TO247AC可供貨
SiHW47N65E6504770178TO247AD可供貨
SiHG64N65E6506551244TO247AC五月
SiHW64N65E6506551244TO247AD五月
SiHS105N65E65010530405Super TO247五月
新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,量產(chǎn)供貨周期為十六周到十七周。
VISHAY簡(jiǎn)介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富1000 強(qiáng)企業(yè)”,是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無(wú)源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略,以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息,敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。
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