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Renesas R8C/20和R8C/21系列采用了高性能硅柵CMOS工藝

2013-04-17 11:15:29 來源：網絡點擊：1084

摘要：這個R8C / 20和R8C / 21組的制作使用了高性能的硅柵CMOS工藝使用R8C CPU核心和arepackaged在48銷塑料模制LQFP。操作使用復雜的指令的MCUs以高水平的教學效率。與1兆字節(jié)的地址空間，它能夠執(zhí)行指令以很高的速度。這此外，數(shù)據(jù)閃(1 KB x 2塊)是嵌入在R8C / 21組。

關鍵字： CMOS工藝，MCU

這個R8C / 20和R8C / 21組的制作使用了高性能的硅柵CMOS工藝使用R8C CPU核心和arepackaged在48銷塑料模制LQFP。操作使用復雜的指令的MCUs以高水平的教學效率。與1兆字節(jié)的地址空間，它能夠執(zhí)行指令以很高的速度。這此外，數(shù)據(jù)閃(1 KB x 2塊)是嵌入在R8C / 21組。

The R8C/20 and R8C/21 Groups are built using the high-performance silicon gate CMOS process using the R8C CPU core and arepackaged in a 48-pin plastic molded LQFP. The MCUs operate using sophisticated instructions featuring a high level of instruction efficiency. With 1 Mbyte of address space， it is capable of executing instructions at high speed. This Furthermore， the data flash (1 KB x 2 blocks) is embedded in the R8C/21 Group.

The difference between R8C/20 and R8C/21 Groups is only the existence of the data flash. Their peripheral functions are the same.

Renesas R8C/20和R8C/21系列采用了高性能硅柵CMOS工藝

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CMOS工藝 MCU

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