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中芯采用Mentor Calibre PERC產(chǎn)品
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中芯采用Mentor Calibre PERC產(chǎn)品

2012-05-28 10:17:42 來源:半導(dǎo)體器件應(yīng)用網(wǎng) 點(diǎn)擊:1377

摘要:  威爾遜維爾,俄勒岡州和上海,中國(guó), 2012年5月22日—Mentor Graphics公司(納斯達(dá)克:MENT)與中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(“中芯國(guó)際”,紐約證券交易所:SMI,香港聯(lián)合交易所:0981.HK)今天共同宣布中芯國(guó)際已采用Mentor Graphics Calibre® PERC電路可靠性驗(yàn)證解決方案為其最新的防靜電(ESD)保護(hù)設(shè)計(jì)法之一。

關(guān)鍵字:  PERC電路,  系統(tǒng)級(jí)芯片,  嵌入式存儲(chǔ)器

威爾遜維爾,俄勒岡州和上海,中國(guó), 2012年5月22日—Mentor Graphics公司(納斯達(dá)克:MENT)與中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(“中芯國(guó)際”,紐約證券交易所:SMI,香港聯(lián)合交易所:0981.HK)今天共同宣布中芯國(guó)際已采用Mentor Graphics Calibre® PERC電路可靠性驗(yàn)證解決方案為其最新的防靜電(ESD)保護(hù)設(shè)計(jì)法之一。這么做有助于幫助客戶大型、復(fù)雜的系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)的整個(gè)芯片,包括I/O、中芯國(guó)際或第三方的嵌入式IP 模塊、以及eFuse嵌入式存儲(chǔ)器,皆能達(dá)到ESD保護(hù)的要求。中芯國(guó)際采用Calibre PERC的解決方案,是因?yàn)樗茏詣?dòng)結(jié)合網(wǎng)表(netlist)以及物理布局的標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)量來進(jìn)行先進(jìn)的可靠性驗(yàn)證。此前,這個(gè)步驟一直主要是以手工完成的。

中芯國(guó)際設(shè)計(jì)服務(wù)中心副總裁湯天申表示:“隨著器件擊穿電壓的變化,以及低功耗設(shè)計(jì)中不同電壓域界面所帶來的大量電路ESD防護(hù)脆弱點(diǎn),新的應(yīng)用和模型正給ESD設(shè)計(jì)者帶來更大的挑戰(zhàn)。我們提供了一個(gè)多管齊下的辦法:在我們的IP庫里包含強(qiáng)大的ESD保護(hù),以Calibre PERC以及中芯國(guó)際的設(shè)計(jì)規(guī)則進(jìn)行電路檢測(cè),并且根據(jù)我們客戶具體的ESD性能及可靠性需求提供個(gè)別的咨詢服務(wù)。我們也將在今年年中發(fā)行Calibre PERC設(shè)計(jì)工具包,讓客戶能夠自己定義并且完成規(guī)則檢測(cè)?!?/P>

中芯國(guó)際采用的Calibre PERC平臺(tái)具備邏輯驅(qū)動(dòng)布局分析能力,以確保所有的設(shè)計(jì)(包括中芯國(guó)際IP庫和客戶本身的設(shè)計(jì))符合中芯國(guó)際的ESD設(shè)計(jì)規(guī)則。

部分ESD保護(hù)的關(guān)鍵技術(shù)包括:

· 在整個(gè)I / O環(huán)中為ESD保護(hù)設(shè)計(jì)提供一個(gè)共同的ESD接地通路,以確保安全放電

· 跨電壓域(cross-voltage domain)和數(shù)字模擬界面保護(hù)

· 快速觸發(fā)保護(hù)裝置,以提高設(shè)計(jì)空間

· 低漏電保護(hù)電路和高抗閂鎖能力(high latch-up immunity)

· 特別給IP內(nèi)核和eFuse記憶體的本地ESD保護(hù)

Calibre PERC產(chǎn)品不僅能檢測(cè)設(shè)計(jì)漏洞,并且為設(shè)計(jì)師提供了一個(gè)包含電路連接、布局結(jié)構(gòu)、物理布局和設(shè)計(jì)規(guī)則的全面用以調(diào)試電路可靠性的環(huán)境。這在目前不是其他任何工具所能提供的。

Mentor Graphics的設(shè)計(jì)解決方案市場(chǎng)營(yíng)銷高級(jí)總監(jiān)Michael Buehler-Garcia 表示:“設(shè)計(jì)師們意識(shí)到,無論他們的目標(biāo)工藝節(jié)點(diǎn)是什么,電路的可靠性檢測(cè)是一個(gè)日漸增長(zhǎng)的問題,對(duì)自動(dòng)操作的要求比過去更為復(fù)雜。這對(duì)于每一個(gè)連續(xù)節(jié)點(diǎn)上的良率和工藝長(zhǎng)期可靠性的影響不斷加大,因此設(shè)計(jì)者應(yīng)規(guī)劃把先進(jìn)的可靠性檢查,完整并永久地包含到設(shè)計(jì)流程內(nèi)。”

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    隨著SoC設(shè)計(jì)向存儲(chǔ)器比例大于邏輯部分比例的方向發(fā)展,高質(zhì)量的存儲(chǔ)器測(cè)試策略顯得尤為重要。存儲(chǔ)器內(nèi)置自測(cè)試(BIST)技術(shù)以合理的面積開銷來對(duì)單個(gè)嵌入式存儲(chǔ)器進(jìn)行徹底的測(cè)試,可提高DPM、產(chǎn)品質(zhì)量及良品率,因而正成為測(cè)試嵌入式存儲(chǔ)器的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。

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    2012年3月28日)世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一,上海華虹NEC電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱“華虹NEC”)今天宣布,國(guó)內(nèi)主要的智能卡設(shè)計(jì)公司之一,北京同方微電子設(shè)計(jì)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“同方微電子”)基于公司成熟的0.13微米嵌入式存儲(chǔ)器工藝平臺(tái),成功地開發(fā)出通過銀聯(lián)認(rèn)證的國(guó)產(chǎn)移動(dòng)支付芯片(THC80F09)。

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