Vishay Siliconix 推出業(yè)界首款帶有同體封裝
2009-01-09 11:47:41 來源：big-bit.com 點(diǎn)擊：1005
Vishay Siliconix 推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的 190V N 通道功率 MOSFET
2009年01月08日 02:24 來源: 大比特資訊 作者： ======
SiA850DJ 是在 1.8V VGS 時(shí)具有面向高壓應(yīng)用的導(dǎo)通電阻額定值的業(yè)界首款器件，其封裝厚度僅為 0.75mm，占位面積為2mm×2mm
日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-70 封裝的 SiA850DJ 還是在 1.8V VGS 時(shí)具有導(dǎo)通電阻額定值的業(yè)界首款此類器件。
SiA850DJ 的典型應(yīng)用將包括面向高壓壓電電動(dòng)機(jī)的升壓直流到直流轉(zhuǎn)化器以及手機(jī)、PDA、MP3 播放器及智能電話等便攜式設(shè)備中的有機(jī) LED（OLED）背光。
將 MOSFET 及功率二極管整合到同一封裝可幫助設(shè)計(jì)人員節(jié)約至少三分之一的 PCB 面積，同時(shí)由于無需使用外部二極管，因此可降低解決方案成本。較大器件在 2.5V 時(shí)達(dá)到導(dǎo)通電阻額定值，而 SiA850DJ 在 1.8V 時(shí)便可達(dá)到導(dǎo)通電阻額定值，由于無需使用電平位移電路，這進(jìn)一步節(jié)約了板面空間。該器件的導(dǎo)通電阻值范圍介于 1.8V VGS 時(shí) 17～4.5V VGS時(shí) 3.8，0.5A 時(shí)二極管正向電壓為 1.2 V。 
SiA850DJ 100% 無鉛（Pb），無鹵素，并且符合 RoHS規(guī)范，因此符合有關(guān)消除有害物質(zhì)的國際法規(guī)要求。
目前，新型 SiA850DJ 的樣品及量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。
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電機(jī)驅(qū)動(dòng)器是一種電子設(shè)備，用于控制電機(jī)的速度、轉(zhuǎn)向和位置。它由電源、控制電路和功率輸出部分組成。通常使用交流電源或直流電源作為電源輸入，并使用電子元件(如晶體管、場效應(yīng)管、IGBT、功率二極管等)控制電機(jī)輸出功率。
功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開關(guān)、SVC和電解氫等場合，但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動(dòng)態(tài)特性，控制特性，保護(hù)以及損耗與熱特性。
開關(guān)電源中主要的發(fā)熱元器件為半導(dǎo)體開關(guān)管、功率二極管、高頻變壓器、濾波電感等。不同器件有不同的控制發(fā)熱量的方法。功率管是高頻開關(guān)電源中發(fā)熱量較大的器件之一，減小它的發(fā)熱量，不僅可以提高功率管的可靠性，而且可以提高開關(guān)電源的可靠性，提高平均無故障時(shí)間(MTBF)。
日前，德州儀器(TI)宣布面向高清消費(fèi)類、汽車及工業(yè)觸摸屏應(yīng)用推出業(yè)界最高集成度壓電式觸覺驅(qū)動(dòng)器。該DRV2667具有數(shù)字接口、集成型15至105V升壓轉(zhuǎn)換器、功率二極管以及 40至200V峰至峰(Vpp) 全差動(dòng)放大器，可實(shí)現(xiàn)不足同類競爭解決方案尺寸一半的完整單芯片解決方案尺寸。此外，DRV2667還具有I2C控制的數(shù)字回放引擎，其可接替主機(jī)處理器的觸覺效果生成工作。
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向移動(dòng)消費(fèi)類及工業(yè)設(shè)計(jì)推出業(yè)界最高集成度的壓電式觸覺驅(qū)動(dòng)器。該 DRV8662 具有集成型 105 V 升壓轉(zhuǎn)換器、功率二極管以及 50 V 至 200 V 峰至峰 (Vpp) 全差動(dòng)放大器，可提供尺寸比同類領(lǐng)先競爭產(chǎn)品小 50% 的解決方案。
Vishay Siliconix，同體封裝的 190V 功率二極管的 190V N 通道功率 MOSFET Vishay Intertechnology， Inc.宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-70
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