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    全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布推出具有基準(zhǔn)低通態(tài)電阻 (RDS (on)) 的溝道型HEXFET功率MOSFET系列。這些采用TO-247封裝的MOSFET適用于同步整流、動態(tài)ORing及包括高功率DC馬達、DC-AC轉(zhuǎn)換器及電動工具等工業(yè)應(yīng)用。  

    新MOSFET的通態(tài)電阻 (RDS (on)) 能效比同類產(chǎn)品高出達50%，無需工業(yè)應(yīng)用中通常使用的大型及昂貴封裝，有助于節(jié)省總系統(tǒng)成本。此外，低RDS (on) 可降低導(dǎo)通損耗，并提升系統(tǒng)效率。 

    IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“這個系列的卓越RDS (on) 額定值，可讓設(shè)計人員避免使用大電流工業(yè)應(yīng)用中，往往因散熱需要的大而昂貴的ISOTOP或小型BLOC封裝，使系統(tǒng)成本降低50%?！?nbsp;

    全新N溝道MOSFET系列可提供40V至200V電壓，也符合工業(yè)級及MSL1要求。新MOSFET均不含鉛并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制 (RoHS) 指令。  

    產(chǎn)品基本規(guī)格如下：
    *封裝限制

    各款全新MOSFET已經(jīng)開始供貨。