東方電氣退出多晶硅領(lǐng)域 轉(zhuǎn)入太陽(yáng)能光熱發(fā)電
2013-08-21 11:17:10 來(lái)源:energytrend 點(diǎn)擊:1714
摘要: 東方電氣集團(tuán)董事長(zhǎng)王計(jì)近日向媒體表示,決定退出多晶硅領(lǐng)域,但不會(huì)退出光伏產(chǎn)業(yè)的中端和末端,電磁片、控制系統(tǒng)、分配系統(tǒng)等很多業(yè)務(wù)目前還在做。
東方電氣集團(tuán)董事長(zhǎng)王計(jì)近日向媒體表示,決定退出多晶硅領(lǐng)域,但不會(huì)退出光伏產(chǎn)業(yè)的中端和末端,電磁片、控制系統(tǒng)、分配系統(tǒng)等很多業(yè)務(wù)目前還在做。而東方電氣的產(chǎn)品市場(chǎng)主要在歐洲,中國(guó)與歐盟關(guān)于光伏產(chǎn)品的談判結(jié)果讓王計(jì)看到了希望。
早在去年,審計(jì)署的報(bào)告顯示,東方電氣集團(tuán)峨嵋半導(dǎo)體材料有限公司投資18.33億元(人民幣)建設(shè)的多晶硅項(xiàng)目,未達(dá)到行業(yè)準(zhǔn)入標(biāo)準(zhǔn),也未全面通過(guò)環(huán)保驗(yàn)收,且存在產(chǎn)能利用率較低、產(chǎn)品合格率不高等問(wèn)題,經(jīng)營(yíng)虧損嚴(yán)重,工廠已在1年半前停產(chǎn)。
王計(jì)表示,生產(chǎn)多晶硅環(huán)保和電價(jià)成本高,在競(jìng)爭(zhēng)中處于劣勢(shì),所以必須要退出。“現(xiàn)在看來(lái)我們的決定是正確的,多晶硅價(jià)格從幾百美元一公斤跌至20美元一公斤,我這輩子還是第一次見(jiàn)到一個(gè)產(chǎn)品如此大的價(jià)格波動(dòng)。”王計(jì)認(rèn)為,目前國(guó)內(nèi)光伏行業(yè)最重要的是處理產(chǎn)能過(guò)剩問(wèn)題,可以通過(guò)結(jié)構(gòu)調(diào)整、延伸產(chǎn)業(yè)鏈、拓展國(guó)內(nèi)市場(chǎng)等多管道進(jìn)行。
在退出多晶硅領(lǐng)域后,東方電氣將眼光放在了光熱發(fā)電上面。2011年底,東方電氣和天威(成都)太陽(yáng)能熱發(fā)電開(kāi)發(fā)有限公司在成都簽訂大唐天威(甘肅礦區(qū))1.5MW太陽(yáng)能熱發(fā)電試驗(yàn)示范專(zhuān)案HTF系統(tǒng)設(shè)備采購(gòu)合同。該項(xiàng)目是東方電氣第一個(gè)槽式光熱發(fā)電項(xiàng)目,也成為國(guó)內(nèi)第一個(gè)槽式光熱發(fā)電項(xiàng)目。
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日前,隆基股份官網(wǎng)公布了單晶硅片的最新報(bào)價(jià),156.75、166尺寸的單晶硅片價(jià)格不變,與之相對(duì)的則是多晶硅片的不斷下調(diào),以及通威太陽(yáng)能多晶電池片價(jià)格的大幅下降,降幅達(dá)0.07元/W。
近日,一則來(lái)自美國(guó)光伏巨頭FirstSolar的消息再次引發(fā)業(yè)界對(duì)薄膜太陽(yáng)能前 景的關(guān)注,據(jù)該公司宣布,其碲化鎘(CdTe)薄膜光伏組件的轉(zhuǎn)換效率首次超越多晶硅組件,達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的18.6%。
它是在單一芯片上集成兩個(gè)相互獨(dú)立、測(cè)量方向相互垂直的敏感元的測(cè)量模塊,是由多晶硅微加工表面工藝制成的電容式加速度傳感器;由硅片表面的彈性結(jié)構(gòu)支撐起的質(zhì)量塊下面貼附電容的一個(gè)極板,電容的另一極扳固定。
荷蘭代爾夫特科技大學(xué)的研究人員開(kāi)發(fā)出一種方法,用單脈沖鐳射直接在襯底上將液態(tài)硅墨水打印成能用在電路中的多晶硅,且用鐳射打印的薄膜電晶體比傳統(tǒng)多晶硅導(dǎo)體更具有靈活機(jī)動(dòng)性。
目前太陽(yáng)能電池按照所使用的原料、構(gòu)造及制造方法分為數(shù)種。其中,結(jié)晶硅類(lèi)太陽(yáng)能電池多指以硅半導(dǎo)體基板為原料的單晶硅太陽(yáng)能電池及多晶硅太陽(yáng)能電池;此外還有非晶硅類(lèi)太陽(yáng)能電池,此類(lèi)電池以與液晶面板相同的薄膜制法為基礎(chǔ),都是在玻璃基板而非硅基板上蒸鍍非晶硅制造的。
晶體硅太陽(yáng)能電池的表面積與體積的比率大,表面復(fù)合嚴(yán)重。此外,與半導(dǎo)體級(jí)硅片相比,太陽(yáng)能級(jí)單晶硅和多晶硅體內(nèi)存在大量的雜質(zhì)和缺陷,而這些雜質(zhì)和缺陷會(huì)充當(dāng)復(fù)合中心,增加復(fù)合速率。表面復(fù)合和雜質(zhì)缺陷復(fù)合會(huì)顯著降低少子壽命和太陽(yáng)電池性能......
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