中國(guó)擬對(duì)低于成本價(jià)傾銷的進(jìn)口多晶硅征反傾銷關(guān)稅
2013-05-17 10:14:09 來(lái)源:大比特商務(wù)網(wǎng) 點(diǎn)擊:2561
摘要: 鑒于歐美韓三地多晶硅產(chǎn)品對(duì)中國(guó)的傾銷,中國(guó)商務(wù)部對(duì)上述三地的多晶硅雙反已箭在弦上,中國(guó)正準(zhǔn)備對(duì)低于成本價(jià)傾銷的進(jìn)口多晶硅征收反傾銷關(guān)稅。
關(guān)鍵字: 多晶硅,雙反,懲罰性關(guān)稅
鑒于歐美韓三地多晶硅產(chǎn)品對(duì)中國(guó)的傾銷,中國(guó)商務(wù)部對(duì)上述三地的多晶硅雙反已箭在弦上,中國(guó)正準(zhǔn)備對(duì)低于成本價(jià)傾銷的進(jìn)口多晶硅征收反傾銷關(guān)稅。
“目前國(guó)家商務(wù)部的各項(xiàng)工作已準(zhǔn)備就緒,材料都已備齊。”一位中部多晶硅企業(yè)高管預(yù)計(jì),雙反在五月得以成行。
數(shù)位企業(yè)界人士向記者證實(shí),在初步的方案中,來(lái)自美國(guó)的進(jìn)口多晶硅給予的懲罰性關(guān)稅稅率最高,而韓國(guó)最低,但并未知最終方案是否會(huì)有所修改。
2012年國(guó)內(nèi)多晶硅市場(chǎng)需求總量約14.5萬(wàn)噸。此中,進(jìn)口多晶硅為8.28萬(wàn)噸,較2011年的6.46萬(wàn)噸增長(zhǎng)28%,總價(jià)值超過(guò)21億美元。受歐美韓三地多晶硅巨頭低價(jià)進(jìn)口傾銷影響,2012年國(guó)內(nèi)多晶硅產(chǎn)量為6.3萬(wàn)噸,較2011年的8.4萬(wàn)噸下滑23.8%。
目前歐洲方面出口國(guó)為德國(guó),而2012年德美韓三國(guó)占據(jù)中國(guó)多晶硅進(jìn)口的87.6%,這也意味著高額的關(guān)稅將把德美韓擋在中國(guó)市場(chǎng)之外,其間真空將由國(guó)內(nèi)企業(yè)填補(bǔ)。
作為世界和中國(guó)第一的多晶硅巨頭,保利協(xié)鑫(03800.HK)一位高管對(duì)記者表示,德美韓三國(guó)2012年的進(jìn)口量為6.7萬(wàn)噸,“這部分的缺口量國(guó)內(nèi)前四強(qiáng)企業(yè)均可滿足”,而隨著冷氫化等一系列的技術(shù)改造,供應(yīng)給國(guó)內(nèi)光伏電池廠商的多晶硅價(jià)格可以維持目前的市場(chǎng)價(jià)水平。
5月初,兩名歐盟官員表示,歐盟執(zhí)行委員會(huì)已同意對(duì)進(jìn)口自中國(guó)的太陽(yáng)能面板征收懲罰性關(guān)稅,一旦執(zhí)委會(huì)在官方日志上披露此項(xiàng)決議,則此關(guān)稅將在6月6日生效,不同企業(yè)適用的稅率不同,平均稅率約為47%。
盡管2012年全年,我國(guó)太陽(yáng)能光伏產(chǎn)品對(duì)歐洲出口額同比下降45.1%至111.9億美元,但這仍占我國(guó)光伏產(chǎn)品總出口額233億美元的近一半。今年1到2月,我國(guó)對(duì)歐洲的光伏出口額達(dá)12.7億美元。歐盟此次針對(duì)中國(guó)的反傾銷重稅,對(duì)所有產(chǎn)品出口歐洲的光伏企業(yè)都將造成打擊。
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日前,隆基股份官網(wǎng)公布了單晶硅片的最新報(bào)價(jià),156.75、166尺寸的單晶硅片價(jià)格不變,與之相對(duì)的則是多晶硅片的不斷下調(diào),以及通威太陽(yáng)能多晶電池片價(jià)格的大幅下降,降幅達(dá)0.07元/W。
近日,一則來(lái)自美國(guó)光伏巨頭FirstSolar的消息再次引發(fā)業(yè)界對(duì)薄膜太陽(yáng)能前 景的關(guān)注,據(jù)該公司宣布,其碲化鎘(CdTe)薄膜光伏組件的轉(zhuǎn)換效率首次超越多晶硅組件,達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的18.6%。
它是在單一芯片上集成兩個(gè)相互獨(dú)立、測(cè)量方向相互垂直的敏感元的測(cè)量模塊,是由多晶硅微加工表面工藝制成的電容式加速度傳感器;由硅片表面的彈性結(jié)構(gòu)支撐起的質(zhì)量塊下面貼附電容的一個(gè)極板,電容的另一極扳固定。
荷蘭代爾夫特科技大學(xué)的研究人員開發(fā)出一種方法,用單脈沖鐳射直接在襯底上將液態(tài)硅墨水打印成能用在電路中的多晶硅,且用鐳射打印的薄膜電晶體比傳統(tǒng)多晶硅導(dǎo)體更具有靈活機(jī)動(dòng)性。
目前太陽(yáng)能電池按照所使用的原料、構(gòu)造及制造方法分為數(shù)種。其中,結(jié)晶硅類太陽(yáng)能電池多指以硅半導(dǎo)體基板為原料的單晶硅太陽(yáng)能電池及多晶硅太陽(yáng)能電池;此外還有非晶硅類太陽(yáng)能電池,此類電池以與液晶面板相同的薄膜制法為基礎(chǔ),都是在玻璃基板而非硅基板上蒸鍍非晶硅制造的。
晶體硅太陽(yáng)能電池的表面積與體積的比率大,表面復(fù)合嚴(yán)重。此外,與半導(dǎo)體級(jí)硅片相比,太陽(yáng)能級(jí)單晶硅和多晶硅體內(nèi)存在大量的雜質(zhì)和缺陷,而這些雜質(zhì)和缺陷會(huì)充當(dāng)復(fù)合中心,增加復(fù)合速率。表面復(fù)合和雜質(zhì)缺陷復(fù)合會(huì)顯著降低少子壽命和太陽(yáng)電池性能......
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