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摘要：  萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體(AOS)發(fā)布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS (MOS)中壓系列旗艦產(chǎn)品，為眾多設(shè)備追求極致效率提供了解決方案。

關(guān)鍵字：  萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體，MOSFET器件，工業(yè)電源，太陽(yáng)能微逆變器

日前，集設(shè)計(jì)研發(fā)一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體(AOS)發(fā)布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS (MOS)中壓系列旗艦產(chǎn)品，為眾多設(shè)備追求極致效率提供了解決方案。AON6250適用于通信及工業(yè)電源DC/DC轉(zhuǎn)換器原邊開(kāi)關(guān)、AC/DC及DC/DC轉(zhuǎn)換器副邊同步整流，太陽(yáng)能微逆變器，以及通信系統(tǒng)中的負(fù)載點(diǎn)模塊(POL)。

采用先進(jìn)的AlphaMOS技術(shù)，AON6250實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通內(nèi)阻和高速開(kāi)關(guān)性能。該產(chǎn)品與上一代產(chǎn)品相比，內(nèi)阻降低了57%;與市場(chǎng)上現(xiàn)有最先進(jìn)的同類型150V器件相比，內(nèi)阻降低了8% ，除此之外， AON6250的優(yōu)值(RDS(ON)* COSS)也是市場(chǎng)上最好的，從而可以有效降低開(kāi)關(guān)損耗。因此無(wú)論是輕載條件還是重載條件，效率都有所提高。AON6290采用DFN5x6封裝，符合綠色環(huán)保產(chǎn)品相關(guān)規(guī)定，且電氣性能方面100%經(jīng)過(guò)柵極電阻測(cè)試以及UIS雪崩能力測(cè)試。繼AON6250之后，萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體(AOS)將發(fā)布一系列150V MOSFET產(chǎn)品。

AOS新推150V MOSFET器件AON6250

“終端客戶總是要求電源系統(tǒng)輸出更高功率并且占用更小的空間，這讓電源設(shè)計(jì)工程們面臨嚴(yán)峻考驗(yàn)”，AOS高級(jí)產(chǎn)品經(jīng)理Stephen表示， “實(shí)現(xiàn)其功率密度，需要器件具有極低的導(dǎo)通內(nèi)阻以及良好的開(kāi)關(guān)性能，AON6250正好可以滿足工程師的需求。”

AON6250技術(shù)優(yōu)勢(shì):

●150V N-channel MOSFETin a DFN5x6 package

●RDS(ON)< 16.5 mOhms max at VGS= 10V (業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻)

●COSS= 213 pF typ

●Qg(10V) = 30.5 nC typ

●業(yè)內(nèi)最低RDS(ON)* COSS(優(yōu)值， 可以有效降低開(kāi)關(guān)損耗)

●100%經(jīng)過(guò)柵極電阻測(cè)試以及UIS雪崩能力測(cè)試