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摘要：  2013年4月11日-12日，2013中國LED產業(yè)健康發(fā)展高峰論壇將在深圳會展中心隆重舉辦。中國LED產業(yè)健康發(fā)展高峰論壇是由中國半導體照明/LED產業(yè)與應用聯(lián)盟主辦，是繼2012年兩次半導體照明/LED標準宣貫會的高規(guī)格與高水準活動之后，又一次LED產業(yè)范圍內的行業(yè)盛會。

關鍵字：  LED行業(yè)，中鎵半導體，圖形化襯底技術

此次論壇，許多資深的LED行業(yè)專家將做出精彩紛呈的專家報告。2013年4月11日上午，中鎵半導體科技有限公司總經理張國義先生，將在論壇上作《氮化物半導體襯底材料的發(fā)展趨勢》的報告。

張國義，理學博士，現(xiàn)任北京大學物理學院教授，半導體光電子學專業(yè)博士生導師，北京大學寬禁帶半導體聯(lián)合研究中心主任，北京大學東莞光電研究院常務副院長。兼任中國物理學會發(fā)光分科學會理事;中國電子學會信息光電子分會理事，中國物理學會半導體專業(yè)委員會委員，中國光學協(xié)會LED行業(yè)協(xié)會咨詢委員會委員;是國家半導體照明研發(fā)與產業(yè)聯(lián)盟的專家組成員;是《半導體學報》，《發(fā)光學報》，《液晶和顯示》的編委。

襯底材料決定著外延、芯片、封裝應用的技術發(fā)展方向，不同的襯底要求不同的工藝，并得到不同的結果，因此，襯底技術的發(fā)展不僅影響著整個行業(yè)技術的發(fā)展，還是第三代半導體的核心技術，更是國際競爭的焦點。此次報告主要介紹了氮化物半導體襯底技術的發(fā)展趨勢，其中重點的介紹了GaN單晶襯底，圖形襯底和Si襯底的發(fā)展趨勢。

GaN是直接帶隙的材料，其光躍遷幾率比間接帶隙的高一個數(shù)量級。因此，寬帶隙的GaN在半導體在短波長發(fā)光二極管、激光器和紫外探測器，以及高溫微電子器件方面顯示出廣闊的應用前景，是很適合于環(huán)保的材料體系。

圖形化襯底技術(Pattemed Sapphire Substrate)，簡稱“PSS”。通過在藍寶石LED襯底表面制作具有細微結構的圖形，然后再在圖形化襯底表面進行LED材料外延。藍寶石LED襯底經過PPS加工后，會改善藍寶石LED襯底的缺陷，由外延芯片封裝出來的LED最終能有效提高光提取效率。

硅具有Fd3m空間群的金剛石結構，屬立方體系。由沿體對角線方向位移1/4體對角線距離的兩套面心立方子晶格嵌套而成。硅襯底是目前市場價格最便宜，可獲得尺寸最大，器件工藝較成熟的半導體材料。

究竟氮化物半導體襯底技術的發(fā)展趨勢如何，市場對于襯底技術又有著怎樣的時代要求，在此次的報告中，都將有著更為詳細的闡述。此次論壇涵蓋了LED全產業(yè)鏈的技術熱點、創(chuàng)新應用、相關標準與政策，包括：封裝、材料、OLED發(fā)展、LED照明、大型國產設備、半導體照明標準培訓、節(jié)能惠民工程招標介紹等。同時還增添了新品發(fā)布環(huán)節(jié)，在頭腦風暴的同時能夠及時了解行業(yè)動態(tài)。同期舉辦的中國LED展，是中國電子信息博覽會旗下的專業(yè)展覽，由中國半導體照明/LED產業(yè)與應用聯(lián)盟、中國電子器材總公司聯(lián)合主辦。以健康發(fā)展，協(xié)同共贏為主題，10萬平方米超大平臺，預計2000家參展企業(yè)、90000成熟業(yè)內買家!該展會將集中展示全國LED產業(yè)優(yōu)秀企業(yè)的陣容、實力和水平，充分利用國(境)內外多種資源，努力打造LED和半導體照明產業(yè)的領航展會。