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摘要：  近日聯(lián)發(fā)科參與4GInternationalSummit表示：全球LTE市場發(fā)展很快，可望是手機(jī)晶片下一個(gè)發(fā)展重心，預(yù)計(jì)明年下半年推出中國規(guī)格TD-LTE、FDD-LTE的4G智慧型手機(jī)晶片。

關(guān)鍵字：  手機(jī)，  晶片，  4G，  解決方案

近日聯(lián)發(fā)科參與4GInternationalSummit表示：全球LTE市場發(fā)展很快，可望是手機(jī)晶片下一個(gè)發(fā)展重心，預(yù)計(jì)明年下半年推出中國規(guī)格TD-LTE、FDD-LTE的4G智慧型手機(jī)晶片。

聯(lián)發(fā)科：明年下半年推出4G智慧型手機(jī)晶片

聯(lián)發(fā)科積極布局中國大陸TD-LTE已久，長期以來一直配合中國移動(dòng)與工信部進(jìn)行TD-LTE終端測試。面對全球發(fā)展4G的趨勢，聯(lián)發(fā)科如今正專注于研發(fā)雙通模式與可攜式HotSpot裝置。

聯(lián)發(fā)科認(rèn)為：LTE真的越來越重要了!從明年開始，LTE在通訊產(chǎn)業(yè)的發(fā)展上，是很重要的調(diào)配。目前全球主要LTE頻段已經(jīng)有超過10個(gè)以上，以LTE發(fā)展來說，美國跑得最快，尤其是Verizon為領(lǐng)頭羊，其次是AT&T;而亞洲部分，則以日本NTTDOCOMO、韓國為先。

因此，從各國發(fā)展4G經(jīng)驗(yàn)案例來看，聯(lián)發(fā)科將會(huì)藉由2G、3G的經(jīng)驗(yàn)，去延伸發(fā)展4G，并且讓4G的手機(jī)晶片能夠向下相容，因此，2G、3G將會(huì)是聯(lián)發(fā)科往4G發(fā)展的重要基礎(chǔ)。不過，聯(lián)發(fā)科在積極發(fā)展4G市場之際，并不會(huì)放棄經(jīng)營2G智慧手機(jī)。

據(jù)了解，聯(lián)發(fā)科正在想盡辦法通過雙通手機(jī)以及可攜式HotSpot裝置的測試，針對4G智慧手機(jī)的研發(fā)，聯(lián)發(fā)科HanTan表示：「此時(shí)此刻，聯(lián)發(fā)科將會(huì)專注于研發(fā)『在雙通模式下，能夠減少功耗』的晶片解決方案?！顾忉專酝p通手機(jī)，功耗一直是很大的問題，因此如何將功耗降低，是發(fā)展4G智慧手機(jī)晶片的關(guān)鍵。

然而，不只是功耗問題，其實(shí)發(fā)展4GLTE手機(jī)所遇到的挑戰(zhàn)與課題，有以下五項(xiàng)：一，為了發(fā)展4G，又必須往下相容2G、3G的情況下，晶片必須支持眾多連接埠，導(dǎo)致整個(gè)Layout難以設(shè)計(jì)。二、頻譜干擾、多頻相容的問題。三、天線設(shè)計(jì)以及電路板布局困難。四、終端功耗過大。五、測試認(rèn)證成本花費(fèi)相當(dāng)高。

HanTan表示，只要能夠盡快克服這些挑戰(zhàn)，聯(lián)發(fā)科面對4G產(chǎn)業(yè)競爭，將會(huì)有很好的優(yōu)勢。