NM Visual面向?qū)I(yè)的19英寸液晶顯示器
2004-07-15 15:05:11 來(lái)源:日經(jīng)BP網(wǎng)
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全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號(hào)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)日前通過(guò)其子公司Silicon Storage Technology(SST)宣布推出已通過(guò)認(rèn)證、基于GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite?技術(shù)平臺(tái)的、SST低掩膜次數(shù)的嵌入式SuperFlash?非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)。
歐司朗光電半導(dǎo)體正使用搭載薄膜技術(shù)的高效芯片裝備其徑向紅外LED (IRED)。這一改變將影響采用 T1 (3 mm) 和 T1 (5 mm) 封裝及表面貼裝徑向 (SMR) 封裝、波長(zhǎng)為 850 nm 和 950 nm的發(fā)射器的整個(gè)產(chǎn)品組合。
在半導(dǎo)體性能創(chuàng)新方面,專家們正專注于三個(gè)方面:高級(jí)的新材料,比如石墨烯和取代硅的碳納米管;基于3D堆疊的半導(dǎo)體工藝技術(shù);結(jié)合存儲(chǔ)器和非存儲(chǔ)器芯片的單芯片方案。通過(guò)成功制造3D NAND閃存和14 nm的FINFET,三星電子已經(jīng)開(kāi)始新的探索。存儲(chǔ)器和非存儲(chǔ)器芯片之間的集成還在持續(xù)。
根據(jù)國(guó)際研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu)Gartner預(yù)測(cè),2013年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備支出總額預(yù)計(jì)為346億美元,較2012年的378億美元衰退8.5%。由于行動(dòng)電話市場(chǎng)趨軟導(dǎo)致28奈米(nm)投資縮減,2013年資本支出將減少6.8%。
SanDisk于日前表示,正與東芝(Toshiba)合力擴(kuò)建位于日本三重縣四日市的五號(hào)半導(dǎo)體制造工廠(Fab 5)第二期工程,并共同展開(kāi)3D NAND記憶體技術(shù)的研發(fā),為2D NAND Flash記憶體制程將于10奈米(nm)節(jié)點(diǎn)面臨微縮瓶頸,預(yù)做準(zhǔn)備。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)與領(lǐng)先的飛機(jī)制造商空中客車(簡(jiǎn)稱“空客”)完成合作開(kāi)發(fā)及投產(chǎn)一款復(fù)雜的專用集成電路(ASIC),應(yīng)用于空客A350 XWB寬體飛機(jī)的飛行控制計(jì)算機(jī)。這定制硅方案的代號(hào)為JEKYLL,使用了安森美半導(dǎo)體內(nèi)部的110納米(nm)工藝技術(shù),在安森美半導(dǎo)體美國(guó)俄勒岡州的Gresham工廠制造。JEKYLL項(xiàng)目的完成,反映了雙方
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