臺(tái)灣科學(xué)家研制出氧化鋅白光LED 前景光明
2009-11-16 12:04:50 來源:大比特資訊
一般白光發(fā)光二極管可分為無機(jī)及有機(jī)兩類。過去無機(jī)白光發(fā)光組件的制作需考慮材料晶格匹配的問題,且需要高真空高溫的制程設(shè)備,因此制造成本高昂;而有機(jī)白光發(fā)光組件在白光材料的開發(fā)上需要昂貴且復(fù)雜的化學(xué)反應(yīng),若是由三層RGB有機(jī)材料所組成的白光組件,還需顧慮到各層材料發(fā)光強(qiáng)度及壽命不一致的問題。
發(fā)光的納米復(fù)合材料
臺(tái)灣大學(xué)光電所林清富教授與其博士生李俊育,利用低溫的溶液制程技術(shù),將n型無機(jī)ZnO納米柱陣列與p型藍(lán)光有機(jī)材料成功整合成pn型白光發(fā)光二極管,此無機(jī)/有機(jī)復(fù)合薄膜同時(shí)具備ZnO高載子遷移率的優(yōu)點(diǎn),以及有機(jī)材料高熒光效率與可大面積制作的好處,沒有不同材料晶格匹配的問題,也不需使用昂貴的真空與高溫設(shè)備。
根據(jù)林清富教授實(shí)驗(yàn)室的研究,ZnO納米柱在成長(zhǎng)過程中會(huì)與有機(jī)薄膜產(chǎn)生鍵結(jié),并生成Zn(OH)2,此為造成氧化鋅表面發(fā)光的來源,因此當(dāng)組件被施加偏壓時(shí),電子空穴對(duì)很容易在ZnO納米柱表面/有機(jī)分子接口之間復(fù)合,產(chǎn)生涵蓋大量氧化鋅表面缺陷發(fā)光波長(zhǎng)與藍(lán)光有機(jī)材料發(fā)光波長(zhǎng)的光子,因而得到白光。
該團(tuán)隊(duì)利用傅利葉紅外光譜儀(Fourier-Transform Infrared Spectrometer, FTIR)觀察發(fā)現(xiàn),上述以水熱法制作的ZnO/藍(lán)光有機(jī)材料復(fù)合薄膜的頻譜在氫氧基對(duì)應(yīng)的3410 cm-1處有強(qiáng)烈的峰值,證明此復(fù)合薄膜確實(shí)含有大量的Zn(OH)2。
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本文論述了壓敏電阻瓷片變形機(jī)理。根據(jù)瓷片變形影響因素,制定相應(yīng)改善驗(yàn)證,根據(jù)改善效果分析了瓷片變形最優(yōu)改善方法,其中燒結(jié)層數(shù)、壓片方式和墊板平整度對(duì)變形均有較好的改善效果,采用壓片方式加平整墊板的組合方式可進(jìn)一步降低變形率并且適合批量化生產(chǎn),并總結(jié)出延長(zhǎng)墊板使用壽命的方法。
氧化鋅(ZnO)壓敏陶瓷作為金屬氧化物避雷器的核心材料,在電力設(shè)備過電壓防護(hù)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。ZnO壓敏陶瓷中的各類缺陷對(duì)其非線性伏安特性、電位梯度、通流能力等性能有著重要影響,通過摻雜、晶粒尺寸控制、表面處理等手段調(diào)控缺陷結(jié)構(gòu)以改善其電性能,是ZnO壓敏陶瓷一直以來的研究熱點(diǎn)。
采用ZnO+MgO+Al2O3+SiO2配方體系,制備了氧化鋅線性電阻。通過改變氧化鋅瓷料粉末的煅燒條件以及瓷體的燒結(jié)溫度,詳細(xì)研究氧化鋅陶瓷線性電阻的溫度系數(shù)和電阻率變化規(guī)律。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示,氧化鋅煅燒溫度為1000 ℃,瓷體燒結(jié)溫度為1240 ℃時(shí),電阻片的電阻率為1165 Ω·cm。
本文重點(diǎn)探討了在不同應(yīng)用場(chǎng)景下,氧化鋅壓敏電阻(MOV)基本技術(shù)指標(biāo)發(fā)生變化的趨勢(shì),為智能監(jiān)控提供可以準(zhǔn)確分析的數(shù)據(jù)。
本文采用傳統(tǒng)的ZnO+MgO+Al2O3+SiO2配方體系氧化鋅線性電阻,探究了燒結(jié)溫度對(duì)氧化鋅基線性電阻的電阻溫度系數(shù)和微觀結(jié)構(gòu)的影響。
采用固相法制備一種具有高電位梯度、高非線性系數(shù)及高脈沖雷擊耐受能力的氧化鋅壓敏電阻器。制得的壓敏電阻器電位梯度為534-692V/mm,非線性系數(shù)α為71-89,8/20μs脈沖沖擊耐受能力強(qiáng)。
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