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3月14日英飛凌官網(wǎng)發(fā)布消息稱英飛凌科技股份有限公司(Infineon Technologies AG)將通過(guò)其子公司英飛凌科技奧地利股份有限公司(Infineon Technologies Austria AG)對(duì)英諾賽科(珠海)科技有限公司(Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd.)和英諾賽科美國(guó)公司(Innoscience America, Inc.)及其附屬子公司提起訴訟。該訴訟目前已向加利福尼亞州北區(qū)地方法院提起。

英諾賽科是一家國(guó)內(nèi)氮化鎵(GaN)IDM企業(yè)，全球首家實(shí)現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵(GaN)量產(chǎn)。根據(jù)Trendforce去年數(shù)據(jù)，其在氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)營(yíng)收排名第三。2023年2月，公司宣布年出貨量達(dá)5億顆，市占率達(dá)30%。另外據(jù)路透社報(bào)道，英諾賽科計(jì)劃今年在香港進(jìn)行IPO，預(yù)計(jì)融資3億美元。

英飛凌方面稱，其為了防止自己擁有的與氮化鎵(GaN)技術(shù)相關(guān)的美國(guó)專利收到侵犯，目前正在尋求永久禁令。涉及起訴的專利權(quán)利要求涵蓋了氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體器件的核心方面，其中包括可實(shí)現(xiàn)英飛凌專有的氮化鎵(GaN)器件可靠性和性能的創(chuàng)新。

英飛凌聲稱英諾賽科侵犯了上述提及的英飛凌專利，其行為包括在美國(guó)制造、使用、銷(xiāo)售、提供銷(xiāo)售和/或進(jìn)口各種產(chǎn)品，包括用于多種應(yīng)用的氮化鎵(GaN)晶體管，涵蓋汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心、太陽(yáng)能、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、消費(fèi)電子以及用于汽車(chē)、工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用的相關(guān)產(chǎn)品。

英飛凌功率與傳感器系統(tǒng)部總裁 Adam White對(duì)此表示，為了保證所有客戶和終端用戶的利益，英飛凌將大力保護(hù)其知識(shí)產(chǎn)權(quán)。數(shù)十年來(lái)，英飛凌一直投資于與氮化鎵(GaN)技術(shù)相關(guān)的研發(fā)、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和制造專業(yè)知識(shí)。英飛凌將繼續(xù)捍衛(wèi)其知識(shí)產(chǎn)權(quán)并保護(hù)其投資。

值得一提的是，去年10月份，英飛凌宣布完成了對(duì)氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems Inc.)的收購(gòu)。目前英飛凌已經(jīng)擁有350個(gè)氮化鎵(GaN)相關(guān)的同族專利。此次提起訴訟的專利或許正是來(lái)自于去年的收購(gòu)。

而此次被起訴的英諾賽科也不是頭一次遇到專利訴訟。早在去年，另一家氮化鎵(GaN)公司Effcient Power Conversion(EPC)也曾向加州地區(qū)法院以及美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)提起訴訟，稱英諾賽科侵犯了其四項(xiàng)專利。這些專利涵蓋了 EPC 專有的增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)和大批量制造工藝的核心方面。

不過(guò)，英諾賽科方面否認(rèn)了這些說(shuō)法，并發(fā)布了一則聲明對(duì)方?jīng)]有事實(shí)根據(jù)。此次陷入與英飛凌的氮化鎵(GaN)專利官司，可能會(huì)對(duì)其上市進(jìn)程有所影響。

其實(shí)在諸如科技、半導(dǎo)體等技術(shù)密集型行業(yè)中，專利糾紛并不少見(jiàn)。在技術(shù)日益復(fù)雜以及供應(yīng)鏈全球化的趨勢(shì)下，專利糾紛更加難以避免。高通和蘋(píng)果、英偉達(dá)和三星都曾有過(guò)專利糾紛。此前高通指控蘋(píng)果侵犯了其多項(xiàng)專利。雙方最終達(dá)成和解，簽署了為期6年的全球?qū)＠S可協(xié)議。而英偉達(dá)和三星專利訴訟案最終也以雙方交叉授權(quán)專利和解告終。

而此次英飛凌起訴英諾賽科最終走向如何，還有待更多消息披露。