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在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅和氮化鎵都是目前比較熱門(mén)的材料代表。以氮化鎵材料應(yīng)用為例，隨著5G和PD適配器的普及，市場(chǎng)需求增加，氮化鎵廣泛應(yīng)用于小體積、高性價(jià)比的PC、手機(jī)等快充應(yīng)用領(lǐng)域。近年來(lái)，市場(chǎng)也對(duì)消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求，以實(shí)現(xiàn)社會(huì)的可持續(xù)發(fā)展。

為了順應(yīng)這一市場(chǎng)需求，羅姆開(kāi)發(fā)出集650V GaN HEMT和柵極驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。該產(chǎn)品可以替代現(xiàn)有的Si MOSFET，從而使器件體積減少99%，功率損耗降低55%，對(duì)減少數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費(fèi)電子設(shè)備的體積及損耗非常有效。

7月19日，羅姆“2023年媒體交流會(huì)暨產(chǎn)品發(fā)布會(huì)”上，嗶哥嗶特商務(wù)網(wǎng)了解到，該新產(chǎn)品具有以下三個(gè)特點(diǎn)：

特點(diǎn)1：支持各種一次側(cè)電源電路。Power Stage IC驅(qū)動(dòng)的范圍寬、啟動(dòng)時(shí)間短，可應(yīng)用于各種各樣的AC-DC的電路中，并且傳輸延遲時(shí)間也大幅縮短，僅延遲11納秒到15納秒，整個(gè)環(huán)路設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)易，可廣泛應(yīng)用于反激式及交錯(cuò)式AC-DC和圖騰等。

特點(diǎn)2：進(jìn)一步降低功耗。在導(dǎo)通損耗影響不大的情況下，相比Si MOSFET，Power Stage IC單體大幅度減少55%，相比普通產(chǎn)品，Power Stage IC仍可以做到減少約20%的損耗。

特點(diǎn)3：應(yīng)用產(chǎn)品可進(jìn)一步小型化。元器件數(shù)量上，普通產(chǎn)品是使用9個(gè)相關(guān)元器件，而Power Stage IC使得驅(qū)動(dòng)方式進(jìn)一步簡(jiǎn)化，外置Power Stage IC相關(guān)元器件數(shù)量只需1個(gè)。

Power Stage IC將柵極驅(qū)動(dòng)器和GaN HEMT以8×8mm的VQFN一體化封裝。這兩者將FET性能最大化，GnA決定效率值，組合在一起便可以實(shí)現(xiàn)高速開(kāi)關(guān)，更加充分地發(fā)揮氮化鎵器件的性能。

柵極驅(qū)動(dòng)器通過(guò)內(nèi)置電壓范圍接口，使原來(lái)驅(qū)動(dòng)電壓要求可以達(dá)到5V-30V。不影響速度的情況下，Power Stage IC擁有能夠控制EMI的技術(shù)，以及相應(yīng)的電源、溫度保護(hù)等電路構(gòu)成，可簡(jiǎn)易地把氮化鎵器件替代到現(xiàn)有方案中去，且不需要大幅調(diào)整驅(qū)動(dòng)電壓，擔(dān)心噪聲影響，大大減少設(shè)計(jì)工程師的工時(shí)。

目前，該新產(chǎn)品有兩款型號(hào)：BM3G007MUV-LB和BM3G015MUV-LB，其導(dǎo)通電阻分別是70毫歐和150毫歐。此外，Power Stage IC還備有三款評(píng)估板，一款是BM3G007MUV-EVK-002，用來(lái)評(píng)估芯片的整體方案性能，另外兩款BM3G007MUV-EVK-003和BM3G015MUV-EVK-003，可移植到客戶現(xiàn)有方案進(jìn)行測(cè)試。

另外，EcoGaN™是羅姆專(zhuān)門(mén)為氮化鎵器件申請(qǐng)的商標(biāo)，其系列器件助力應(yīng)用產(chǎn)品的效率提升和小型化。我們可以看到，羅姆不僅致力于元器件的開(kāi)發(fā)，進(jìn)一步提高器件的性能，而且還與業(yè)內(nèi)相關(guān)企業(yè)積極建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系并推動(dòng)聯(lián)合開(kāi)發(fā)，持續(xù)為解決社會(huì)問(wèn)題貢獻(xiàn)力量。