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發(fā)光半導(dǎo)體應(yīng)用愈加普遍 揭兩者間性質(zhì)
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發(fā)光半導(dǎo)體應(yīng)用愈加普遍 揭兩者間性質(zhì)

2021-09-13 09:39:12 來源:知乎 作者:bitlyw 點(diǎn)擊:3369

恰好有一個(gè)同學(xué)問了有關(guān)有機(jī)半導(dǎo)體材料的發(fā)亮特性與其半導(dǎo)體性質(zhì)的問題,因此這篇文章內(nèi)容就從上述話題談起,共同揭發(fā)光半導(dǎo)體材料與半導(dǎo)體兩者間性質(zhì)。

有機(jī)半導(dǎo)體發(fā)亮材料早已被廣泛應(yīng)用于很多層面,例如最成功的當(dāng)屬OLED屏幕的商用化。自然也有其它一些運(yùn)用(比如微生物顯像、醫(yī)治、光催化等)。發(fā)亮特性的提高變成科學(xué)研究發(fā)亮半導(dǎo)體材料的人十分關(guān)鍵的研究方案。

根據(jù)有效的分子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案能夠極大地提高半導(dǎo)體材料的發(fā)亮特性。有機(jī)發(fā)亮材料的制定觀念到現(xiàn)在己經(jīng)進(jìn)到第四代。往后面毫無疑問也會(huì)有新的制定觀念發(fā)生,讓半導(dǎo)體材料的性能品質(zhì)更上一層來,重點(diǎn)是要解決目前面對的靠性,功能損耗等難題。

插個(gè)題外話,實(shí)際上,OPV和OFET材料的設(shè)計(jì)方案也是一樣的大道理,每一個(gè)新的制定觀念的發(fā)生,都是會(huì)讓材料的性能提升,從而提升半導(dǎo)體器件性能?,F(xiàn)階段OFET電子密度停滯不前,表明已經(jīng)有的設(shè)計(jì)理念早已類似走停止了,必須升級的設(shè)計(jì)理念。

說回不一樣的發(fā)亮半導(dǎo)體材料。最初的是平常的瑩光半導(dǎo)體材料,根據(jù)頭發(fā)顏色團(tuán)的引進(jìn)和官能團(tuán)異構(gòu)裝飾完成瑩光提高,但其電致發(fā)光激子使用率一般較低,三重態(tài)沒法被合理運(yùn)用,外量子效率一般為5%上下。

第二代的磷光半導(dǎo)體材料根據(jù)貴重金屬雜化效應(yīng)利用三重態(tài)激子,將外量子效率提高到20%之上,并用以現(xiàn)階段商用化OLED。存在的不足主要是貴,高清藍(lán)光周期短,因而才擁有現(xiàn)階段各種各樣排序的OLED屏幕設(shè)計(jì)方案。

第三代的熱激話延遲時(shí)間瑩光半導(dǎo)體材料則借助純有機(jī)化學(xué)的給體——受體構(gòu)造完成電子能級管控和藕合。效率與磷光半導(dǎo)體材料并列,缺陷是半峰寬太寬,色純凈度不太好。

因而現(xiàn)在的第四代根據(jù)多共振現(xiàn)象設(shè)計(jì)方案來處理半峰寬的難題,該設(shè)計(jì)方案觀念也很有希望處理高清藍(lán)光可靠性的難題。

能夠見到之上的設(shè)計(jì)理念全是在想方設(shè)法提升材料的瑩光輻射源工作能力,與此同時(shí)根據(jù)半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)方案管控分子結(jié)構(gòu)的動(dòng)力學(xué)模型特性,進(jìn)而管控色調(diào),高效率,使用壽命等主要參數(shù)。

從電致發(fā)光的全過程(正電荷引入,傳送,激子造成,激子蔓延,動(dòng)能傳送,復(fù)合型降解),參照雅布隆斯基能級圖能夠了解,之上每一個(gè)全過程都是會(huì)影響到最終半導(dǎo)體器件的性能。

第一個(gè)難題,正電荷引入,傳送便會(huì)牽涉到半導(dǎo)體性質(zhì),這個(gè)東西毫無疑問會(huì)對半導(dǎo)體器件性能造成影響。終究大多數(shù)全是塑料薄膜器件,圈套難以避免,傳輸速度很慢得話正電荷和激子都掉到圈套里了,消耗了。因此或是必須考慮到電子密度的。

第二個(gè)難題,激子結(jié)合能。這一不可以較弱,較弱了,激子自身的離解了,無法推行事后的蔓延,動(dòng)能傳送,復(fù)合型的全過程了。

有機(jī)半導(dǎo)體

如同圖中一樣。

好啦,在確保半導(dǎo)體材料發(fā)亮性能的情況下,提升發(fā)亮材料的半導(dǎo)體特性很必須。那麼,提高半導(dǎo)體特性的制定觀念是什么呢。

有機(jī)半導(dǎo)體材料歷經(jīng)近幾十年的發(fā)展趨勢,基本上設(shè)計(jì)構(gòu)思是:提高分子結(jié)構(gòu)鏈內(nèi)共軛點(diǎn),提升 分子結(jié)構(gòu)間沉積品質(zhì)。

好啦先說沉積這個(gè)問題,不一樣的沉積方式對帶隙和發(fā)亮性能危害非常大。

半導(dǎo)體材料

如上圖所述,H集聚一般全是淬滅瑩光,但毫無疑問有利于正電荷傳送,畢竟重合積分大。J集聚與之反過來。

HJ集聚好像能夠中和之上兩種要素。

再講共軛點(diǎn),提高共軛點(diǎn)毫無疑問有益于提升正電荷彈跳的速率,但一般那么制定的半導(dǎo)體材料都必須分子結(jié)構(gòu)平面性好,雜分子不打破共軛點(diǎn)等規(guī)定,因此一般全是S1和T1相距很遠(yuǎn),這明顯不利半導(dǎo)體材料發(fā)亮。

那麼那么問題來了,半導(dǎo)體發(fā)亮特性的設(shè)計(jì)方案考慮和半導(dǎo)體特性的設(shè)計(jì)方案考慮好像是互相矛盾的設(shè)計(jì)方案。這也是實(shí)際絕大多數(shù)有機(jī)半導(dǎo)體材料遭遇的難題。

怎樣讓步設(shè)計(jì)與此同時(shí)兼具之上二者,毫無疑問有益于最終材料性能,如果理想甚至還可以完成電泵浦壓柱塞泵有機(jī)化學(xué)激光器。

坦白說,現(xiàn)階段都還沒太好的設(shè)計(jì)構(gòu)思,大伙兒基本都是在試著,基本的難題肯定是考慮到共軛點(diǎn),分子結(jié)構(gòu)沉積,電子能級這三個(gè)難題。實(shí)際上,能夠參照自己寫的一個(gè)具體描述。

 

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