一起看看國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體發(fā)展?fàn)顩r
2020-12-23 14:01:39 來(lái)源: 商業(yè)經(jīng)濟(jì)觀察 點(diǎn)擊:1333
前不久,歐州關(guān)鍵國(guó)家包含德國(guó),法國(guó),西班牙等相互簽定了一個(gè)協(xié)議書(shū),表明要協(xié)同起來(lái)發(fā)展歐州的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),在聲明中尤其提及了歐州必須提升在ic設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造領(lǐng)域的工作能力,提高歐州在國(guó)際性半導(dǎo)體材料銷(xiāo)售市場(chǎng)的影響力。這也是初次有國(guó)家明確指出要在實(shí)際的半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)作出更改,大家都知道,集成ic是具備戰(zhàn)略意義的商品和技術(shù)性,過(guò)去要是在總體年產(chǎn)值上領(lǐng)跑就可以稱(chēng)作集成ic大國(guó),但是現(xiàn)如今游戲的規(guī)則早已更改,僅是年產(chǎn)值早已沒(méi)有用,在每一個(gè)環(huán)節(jié)都是有有著優(yōu)點(diǎn)才可以站穩(wěn)腳跟。
我國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展趨勢(shì)現(xiàn)況怎樣?
從總體上,考量一個(gè)國(guó)家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高低,必須從四個(gè)層面來(lái)多方面分辨,包含設(shè)計(jì)方案,原材料,芯片制造機(jī)器設(shè)備和生產(chǎn)制造。有別于其它商品,集成ic的這四個(gè)環(huán)節(jié)在必要性層面逐步平等,換句話說(shuō),每一個(gè)環(huán)節(jié)都十分關(guān)鍵。設(shè)計(jì)方案處在全產(chǎn)業(yè)鏈的最頂部,其關(guān)鍵水平顯而易見(jiàn),并且這也是美國(guó)最善于的領(lǐng)域;原材料層面,近期的事例便是日本對(duì)日本的半導(dǎo)體器件出入口限定,突顯了原材料的發(fā)展戰(zhàn)略使用價(jià)值;芯片制造機(jī)器設(shè)備也是把握在極少數(shù)國(guó)家手上,變成國(guó)際性產(chǎn)業(yè)鏈,技術(shù)性牽制的專(zhuān)用工具;在生產(chǎn)制造層面,自打tsmc將加工工藝的演變演譯得駕輕就熟后,這類(lèi)生產(chǎn)量一時(shí)間越來(lái)越趨之若鶩,變成地域謀略家角逐的戰(zhàn)略資源。
但是更是因?yàn)榘雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)四大環(huán)節(jié)的存在,國(guó)際性芯片加工早已產(chǎn)生了有效的職責(zé)分工管理體系,沒(méi)有一個(gè)國(guó)家能在之上四個(gè)領(lǐng)域均占得領(lǐng)跑優(yōu)點(diǎn)。即便 是美國(guó)都不除外。美國(guó)的ic設(shè)計(jì)在全世界長(zhǎng)期領(lǐng)先,這一領(lǐng)域排名前三的公司均來(lái)源于美國(guó),它們是博通,高通芯片和英偉達(dá)顯卡,除此之外AMD,賽靈思包含iPhone也是有具有競(jìng)爭(zhēng)能力。美國(guó)的半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈在全世界一樣處在壟斷性影響力,有著除光刻技術(shù)之外基本上全部的機(jī)器設(shè)備生產(chǎn)量。美國(guó)唯一的薄弱點(diǎn)是原材料,現(xiàn)階段絕大多數(shù)的原材料公司尤其是硅晶圓生產(chǎn)商都早已轉(zhuǎn)移到亞洲地區(qū),包含intel以內(nèi),美國(guó)公司關(guān)鍵依靠日本信越化學(xué),勝高及其法國(guó)世創(chuàng)的供貨。
在歐州,在芯片制造機(jī)器設(shè)備領(lǐng)域有阿斯麥(ASML)和ASM(先晶半導(dǎo)體材料),在原材料領(lǐng)域有世創(chuàng),林德氣體,巴斯夫等。在芯片制造領(lǐng)域,歐州公司雖然不缺英飛凌那樣的集成ic大佬,但是關(guān)鍵業(yè)務(wù)流程都集中化在轎車(chē)領(lǐng)域,而在CPU設(shè)計(jì)方案,生產(chǎn)制造領(lǐng)域,歐州如出一轍。日本做為集成ic強(qiáng)國(guó)之一,在原材料和半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)域兩大環(huán)節(jié)有著優(yōu)點(diǎn)。在原材料領(lǐng)域,日本公司占有了硅晶圓銷(xiāo)售市場(chǎng)的江山半壁;在半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)域,日本公司與歐美國(guó)家企祖業(yè)伯仲之間,全世界前15大機(jī)器設(shè)備經(jīng)銷(xiāo)商,來(lái)源于日本的就會(huì)有7家之多。日本坐享兩大優(yōu)點(diǎn),但是在生產(chǎn)制造和設(shè)計(jì)方案環(huán)節(jié)就較為弱。
韓國(guó)一樣是集成ic強(qiáng)國(guó),但是在四大環(huán)節(jié)里能占優(yōu)勢(shì)的卻只有一個(gè),便是生產(chǎn)制造環(huán)節(jié),除開(kāi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器強(qiáng)悍外,三星電子在晶圓代工領(lǐng)域僅次tsmc。其他設(shè)計(jì)方案,原材料和機(jī)器設(shè)備相對(duì)而言,都較為弱。因而在與日本的半導(dǎo)體材料之戰(zhàn)中,雖然韓國(guó)著世界最大的集成ic公司之一,一樣避免不了受制于人。
意想不到的是,中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)在四大環(huán)節(jié)中,較為強(qiáng)悍的居然有三項(xiàng),與美國(guó)處在同一水準(zhǔn),這三大領(lǐng)域分別是生產(chǎn)制造,設(shè)計(jì)方案和原材料。生產(chǎn)制造層面有tsmc坐陣,就很少講過(guò);設(shè)計(jì)方案層面,MTK是全世界第四大ic設(shè)計(jì)公司,整體實(shí)力僅次美國(guó)三強(qiáng)博通,高通芯片和英偉達(dá)顯卡;在原材料層面,環(huán)球晶圓是近些年發(fā)展趨勢(shì)更快的硅晶圓生產(chǎn)商,根據(jù)一連串的回收,包含近期與法國(guó)世創(chuàng)達(dá)到收購(gòu)協(xié)議,環(huán)球晶圓早已一躍變成僅次日本信越化學(xué)的第二大經(jīng)銷(xiāo)商。中國(guó)臺(tái)灣省唯一的薄弱點(diǎn)是半導(dǎo)體行業(yè),因此也防止不上要采用美國(guó)公司的技術(shù)性。
那么我國(guó)的狀況怎樣?盡管?chē)?guó)產(chǎn)芯片的發(fā)展趨勢(shì)常常被“受制于人”,但是毫無(wú)疑問(wèn)的是中國(guó)的ic設(shè)計(jì)早已位居全球優(yōu)秀水準(zhǔn),象征性的公司包含海思芯片,中興微電子,紫光展銳等。在生產(chǎn)制造層面,現(xiàn)階段中國(guó)早已具有一定的水準(zhǔn),處在技術(shù)性提升的邊沿,中芯假如如期完成新一代加工工藝的批量生產(chǎn),毫無(wú)疑問(wèn)可能使中國(guó)芯片制造的水準(zhǔn)提升 到一個(gè)新的高寬比。因?yàn)槊绹?guó)的技術(shù)性封禁,我國(guó)難以避免的要邁向全面的發(fā)展的路經(jīng),即在生產(chǎn)制造,設(shè)計(jì)方案,原材料和機(jī)器設(shè)備四大領(lǐng)域并駕齊驅(qū),僅有那樣,才可以擺脫海外的壟斷性。
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碳化硅是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、低導(dǎo)通電阻等特性,如今已經(jīng)廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域。當(dāng)下電機(jī)行業(yè)有哪些技術(shù)發(fā)展方向和趨勢(shì)?如何把握電機(jī)領(lǐng)域新產(chǎn)品、新技術(shù)、新解決方案?
不可否認(rèn),磁性元器件的發(fā)展已搭乘上第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展的快車(chē)。芯片電感、一體成型電感、磁集成技術(shù)等新技術(shù)新產(chǎn)品層出不窮,但材料始終是掣肘行業(yè)發(fā)展的難題,如何更為深刻和全面地認(rèn)識(shí)磁性材料,讓其跟上行業(yè)奔跑的快車(chē)是行業(yè)亟待去正視和解決的問(wèn)題。
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11月18-21日,第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS2024)&第二十一屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA2024)、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展(CASTAS)將在蘇州國(guó)際博覽中心舉辦。半導(dǎo)體材料學(xué)家,中國(guó)科學(xué)院院士楊德仁將出席論壇,并將帶來(lái)“半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)”的大會(huì)報(bào)告。
碳化硅(SiC)是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料,具有寬禁帶的特性,從而導(dǎo)致其有高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等材料特性。SiC功率器件具有耐高壓、體積小、功耗低、耐高溫等優(yōu)勢(shì)。SiC器件適用于高壓、高頻應(yīng)用場(chǎng)景。
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