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    美國Nanochip宣布，為采用MEMS技術開發(fā)每個芯片容量超過10GB的大容量硅存儲器，從英特爾投資(Intel Capital)和美國JK&B Capital共籌集了1400萬美元。憑借這些資金，Nanochip將在2008年底之前實現(xiàn)能夠評測的MEMS存儲器樣品，2009年有望在限定范圍內供應樣品。 

    該公司正在開發(fā)的MEMS存儲器采用的是使用納米尺寸探針陣列（Probe Array）在存儲器材料上記錄數(shù)據的結構。由于未采用閃存中容量存在極限的光刻法，可以利用現(xiàn)行的制造裝置精度實現(xiàn)10GB以上的存儲器。最初推出的產品將超過100GB，此后將以低于閃存的成本實現(xiàn)容量為1TB的芯片。首款產品將在2010年之前上市。目前已有7項有關技術獲得美國專利，34項技術正在申請之中。